Detalles del producto
Lugar de origen: Shangai China
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: ROHS
Número de modelo: Oblea del carburo de silicio
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: en 30 días
Condiciones de pago: T/T
El material: |
SiC monocristalino 4h-N |
Grado: |
Grado de la producción |
Espesor: |
0.4 mm |
El color: |
El verde |
Diámetro: |
2 pulgadas |
Suraface: |
Las demás |
El material: |
SiC monocristalino 4h-N |
Grado: |
Grado de la producción |
Espesor: |
0.4 mm |
El color: |
El verde |
Diámetro: |
2 pulgadas |
Suraface: |
Las demás |
Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas tipo 4H-N para dispositivo MOS Dia 0.4mm
Introducción del producto
El sustrato de cristal único de carburo de silicio (SiC) de tipo 4H n es un material semiconductor crítico ampliamente utilizado en dispositivos electrónicos de potencia, dispositivos de radiofrecuencia (RF) y dispositivos optoelectrónicos.Este artículo presenta una visión general de las técnicas de fabricación, características estructurales, áreas de aplicación y avances en la investigación en curso relacionados con el sustrato de cristal único de carburo de silicio de tipo 4H n.
Para comenzar, se discuten varios métodos para preparar el sustrato de cristal único de carburo de silicio de tipo 4H n. Estos métodos incluyen el transporte físico de vapor (PVT), la deposición química de vapor (CVD), la deposición química de vapor (CVD) y la deposición química de vapor (CVD).y separación asistida por láser (LAS)Cada técnica tiene un impacto en la calidad del cristal, la morfología de la superficie y la rentabilidad del sustrato.
A continuación, el artículo explora las características estructurales del sustrato de cristal único de carburo de silicio de tipo 4H n. Esto incluye un análisis de la estructura cristalina,distribución de las concentraciones de impurezasLos sustratos monocristalinos de carburo de silicio de tipo 4H n de alta calidad presentan una calidad cristalina superior y concentraciones de impurezas más bajas.que son cruciales para mejorar el rendimiento del dispositivo.
Luego se discuten las aplicaciones del sustrato de cristal único de carburo de silicio de tipo 4H n en dispositivos electrónicos de potencia, dispositivos de RF y dispositivos optoelectrónicos.Estabilidad térmica excepcional del sustrato, las propiedades eléctricas y el amplio intervalo de banda lo hacen muy adecuado para varios dispositivos.
Por último, el artículo resume el progreso actual de la investigación sobre sustratos de cristal único de carburo de silicio de tipo 4H n y describe las direcciones futuras.se espera que el sustrato de cristal único de carburo de silicio de tipo 4H n desempeñe un papel fundamental en una gama más amplia de aplicaciones., apoyando la mejora y la innovación de los dispositivos electrónicos.
Parámetro del producto
Presentación del producto
Características clave del producto
El carburo de silicio (SiC) ha surgido como un material revolucionario en el ámbito de la tecnología de semiconductores, y el sustrato SiC de tipo 4H n se destaca como un componente fundamental con características distintivas.Este sustrato, caracterizado por su estructura cristalina hexagonal y conductividad de tipo n, presenta una multitud de características clave que contribuyen a su amplia utilización en diversas aplicaciones electrónicas.
El sustrato 4H SiC posee una disposición de red cristalina hexagonal, un atributo estructural que confiere propiedades eléctricas y térmicas únicas al material.Esta estructura cristalina es crucial para lograr dispositivos electrónicos de alto rendimiento.
Una de las características más destacadas del sustrato SiC de tipo 4H n es su excepcional movilidad de electrones.contribuyendo a la eficiencia del sustrato en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
El amplio espacio entre bandas del SiC, resultado de su estructura cristalina hexagonal, es una característica clave que mejora el rendimiento del sustrato.El amplio intervalo de banda permite la creación de dispositivos capaces de funcionar a temperaturas elevadas y en ambientes hostiles.
El sustrato 4H SiC está específicamente dopado para mostrar conductividad de tipo n, lo que significa que tiene un exceso de electrones como portadores de carga.Este tipo de dopaje es esencial para ciertas aplicaciones de dispositivos semiconductores, incluidos los dispositivos electrónicos de potencia y de RF.
La capacidad inherente del material para soportar altos campos eléctricos sin averías es una característica crítica para los dispositivos de energía.El alto voltaje de descomposición del sustrato SiC de tipo 4H n es fundamental para garantizar la fiabilidad y durabilidad de los componentes electrónicos.
Los sustratos de SiC demuestran una excelente conductividad térmica, por lo que son adecuados para aplicaciones en las que la disipación eficiente del calor es crucial.Esta característica es particularmente ventajosa en los dispositivos electrónicos de potencia, donde es esencial minimizar la resistencia térmica.
El sustrato de SiC de tipo 4H n presenta una robusta estabilidad química y mecánica, lo que lo hace adecuado para aplicaciones en condiciones de funcionamiento adversas.Esta estabilidad contribuye a la longevidad y fiabilidad del sustrato en diversos entornos..
Además de sus propiedades electrónicas, el sustrato 4H SiC también posee transparencia óptica en rangos de longitudes de onda específicos.Esta propiedad es ventajosa para aplicaciones como la optoelectrónica y ciertas tecnologías de sensores.
La combinación única de las propiedades del sustrato 4H SiC permite la fabricación de diversos dispositivos electrónicos, incluidos los MOSFET de potencia, los diodos Schottky y los dispositivos de RF de alta frecuencia.Su versatilidad contribuye a su amplia adopción en diferentes ámbitos tecnológicos.
Los continuos esfuerzos de investigación y desarrollo en el campo de la tecnología de SiC están llevando a avances en las características clave de los sustratos de SiC de tipo 4H n.Las innovaciones en curso tienen por objeto mejorar aún más el rendimiento, la fiabilidad y la gama de aplicaciones de estos sustratos.
En conclusión, el sustrato SiC de tipo 4H n sirve como piedra angular en la evolución de la tecnología de semiconductores,ofreciendo un espectro de características clave que lo hacen indispensable para dispositivos electrónicos de alto rendimientoSu estructura cristalina hexagonal, alta movilidad de electrones, amplio intervalo de banda y otros atributos distintivos lo posicionan como un material líder para avanzar en tecnologías en electrónica de potencia, dispositivos de RF, etc.,y más allá.
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