Tipo Sic 3C-N Tamaño Tipo conductor de mecanizado para sistemas de radar Nulo grado de producción MPD

Descripción del producto

1Electrónica de potencia: para convertidores de potencia, inversores y accionadores de alta eficiencia, ampliamente utilizados en vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

2Equipos de RF y microondas: amplificadores de RF, equipos de microondas, especialmente adecuados para sistemas de comunicación y radar.

3Optoelectrónica: puede usarse como un bloque de construcción para LED y detectores de luz, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.

4Sensores: se aplican a una amplia gama de sensores en entornos de alta temperatura y alta potencia, proporcionando un rendimiento confiable.

5Carga inalámbrica y gestión de la batería: se utiliza en sistemas de carga inalámbrica y dispositivos de gestión de la batería para mejorar la eficiencia y el rendimiento.

6Equipo eléctrico industrial: se utiliza en sistemas de automatización y control industriales para mejorar la eficiencia energética y la estabilidad del sistema.

Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 3C-N y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 6 pulgadas.

1.P: ¿Cuáles son las características de los sustratos de carburo de silicio 3C-N?

R: El sustrato de carburo de silicio de tipo 3C-N tiene una alta movilidad de electrones, lo que hace que el dispositivo tenga una corriente de túnel FN más pequeña y una mayor fiabilidad en la preparación de óxido.y puede mejorar en gran medida el rendimiento del producto del dispositivoAl mismo tiempo, el 3C-SiC tiene un ancho de banda más pequeño, lo que también proporciona ventajas para su aplicación en la fabricación de dispositivos.

2P: ¿Cómo afecta el tamaño del sustrato de carburo de silicio a su aplicación?

R: El tamaño (diámetro y grosor) del sustrato de carburo de silicio es uno de sus indicadores clave.Y cuanto menor sea el costo del chip unitarioAl mismo tiempo, el sustrato de gran tamaño también es más propicio para la disipación de calor y la estabilidad del dispositivo.el sustrato de carburo de silicio se está desarrollando constantemente en la dirección de grandes tamaños.

3P: ¿Cuál es la relación entre el sustrato 3C-N SIC y la hoja epitaxial?

R: El sustrato de carburo de silicio de tipo 3C-N es la capa de soporte para el crecimiento de la hoja epitaxial.y su tipo de dopaje, la concentración y el grosor del dopante pueden controlarse con precisión de acuerdo con los requisitos de diseño del dispositivo.La calidad del sustrato afecta directamente a la calidad de crecimiento de la hoja epitaxial y al rendimiento del dispositivo..

Etiqueta: #Substrato de carburo de silicio, #SIC tipo 3C-N, #Materiales semiconductores.