Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: 3C-N SiC
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 10 por ciento
Precio: by case
Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada
Tiempo de entrega: en 30days
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000pc/month
tamaño: |
2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 5 x 5, 10 x 10 |
Constante dieléctrica: |
9,7 |
Dureza de la superficie: |
HV0.3>2500 |
Densidad: |
3.21 G/cm3 |
Coeficiente de expansión térmica: |
4,5 X 10-6/K |
Tensión de ruptura: |
5,5 milivoltios/cm |
Aplicaciones: |
Comunicaciones, sistemas de radar |
tamaño: |
2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 5 x 5, 10 x 10 |
Constante dieléctrica: |
9,7 |
Dureza de la superficie: |
HV0.3>2500 |
Densidad: |
3.21 G/cm3 |
Coeficiente de expansión térmica: |
4,5 X 10-6/K |
Tensión de ruptura: |
5,5 milivoltios/cm |
Aplicaciones: |
Comunicaciones, sistemas de radar |
Amplio intervalo de banda: intervalo de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicaciones de alta temperatura y alto voltaje.
Alta movilidad de electrones: el dopaje de tipo N proporciona una buena movilidad de electrones y mejora el rendimiento general del dispositivo.
Excelente conductividad térmica: tiene una excelente conductividad térmica y mejora eficazmente el rendimiento de disipación de calor, adecuado para aplicaciones de alta potencia.
Buena resistencia mecánica: Tiene una alta dureza y resistencia a la compresión, y es adecuado para su uso en ambientes hostiles.
Resistencia química: buena resistencia a una amplia gama de productos químicos, mejorando la estabilidad del material.
Características eléctricas ajustables: mediante el ajuste de la concentración de dopaje, se pueden lograr diferentes propiedades eléctricas para satisfacer las necesidades de una variedad de aplicaciones.
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Propiedad |
No...Tipo de producto3C-Seco, Cristal único |
| Parámetros de la red | a=4,349 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABC |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 |
| Densidad | 2.36 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 3.8×10-6/K |
| Indice de refracción @750nm |
n=2.615 |
| Constante dieléctrico | C ~ 9.66 |
|
Conductividad térmica |
3 a 5 W/cm·K@298K |
| La banda-brecha | 2.36 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 2-5×106V/cm |
|
Velocidad de deriva de saturación |
2.7×107m/s |
※ Carburo de silicio el material las propiedades es sólo para referencia.
Aplicaciones
1Electrónica de potencia: para convertidores de potencia, inversores y accionadores de alta eficiencia, ampliamente utilizados en vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable. 2Equipos de RF y microondas: amplificadores de RF, equipos de microondas, especialmente adecuados para sistemas de comunicación y radar. 3Optoelectrónica: puede usarse como un bloque de construcción para LED y detectores de luz, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas. 4Sensores: se aplican a una amplia gama de sensores en entornos de alta temperatura y alta potencia, proporcionando un rendimiento confiable. 5Carga inalámbrica y gestión de la batería: se utiliza en sistemas de carga inalámbrica y dispositivos de gestión de la batería para mejorar la eficiencia y el rendimiento. 6Equipo eléctrico industrial: se utiliza en sistemas de automatización y control industriales para mejorar la eficiencia energética y la estabilidad del sistema.
Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 3C-N y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 6 pulgadas.
Etiqueta: #Substrato de carburo de silicio, #SIC tipo 3C-N, #Materiales semiconductores.