Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: 4H-P SiC
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 10 por ciento
Precio: by case
Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada
Tiempo de entrega: en 30days
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000pc/month
tamaño: |
5*5 mm/10*10 mm |
Dureza de la superficie: |
HV0.3>2500 |
Densidad: |
3.21 G/cm3 |
Coeficiente de expansión térmica: |
4,5 X 10-6/K |
Constante dieléctrica: |
9,7 |
Resistencia a la tracción: |
>400MPa |
Tensión de ruptura: |
5,5 milivoltios/cm |
Aplicaciones: |
Vehículos eléctricos, comunicaciones por satélite |
tamaño: |
5*5 mm/10*10 mm |
Dureza de la superficie: |
HV0.3>2500 |
Densidad: |
3.21 G/cm3 |
Coeficiente de expansión térmica: |
4,5 X 10-6/K |
Constante dieléctrica: |
9,7 |
Resistencia a la tracción: |
>400MPa |
Tensión de ruptura: |
5,5 milivoltios/cm |
Aplicaciones: |
Vehículos eléctricos, comunicaciones por satélite |
Descripción del producto:
Wafer de carburo de silicio Sic 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P grado de producción para electrónica de potencia
El carburo de silicio 4H-P (SiC) es un material semiconductor importante comúnmente utilizado en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.El 4H-SiC es un tipo de estructura cristalina que tiene una estructura de red hexagonalEl amplio intervalo de banda (aproximadamente 3,26 eV) le permite funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje.puede guiar y disipar el calor de manera efectivaEl carburo de silicio dopado tipo P tiene una baja resistividad y es adecuado para la construcción de uniones PN.Se espera que la demanda de carburo de silicio tipo 4H-P siga creciendo, impulsando la investigación y los avances tecnológicos relacionados.
Características:
· Tipo:El cristal 4H-SiC tiene una estructura de red hexagonal y proporciona excelentes características eléctricas.
· Largo espacio de banda:aproximadamente 3,26 eV para aplicaciones de alta temperatura y alta frecuencia.
· Dopaje de tipo P:La conductividad de tipo P se obtiene mediante elementos de dopaje como el aluminio, aumentando la concentración del conductor poroso.
· Resistencia:Baja resistividad, adecuada para dispositivos de alta potencia.
· Alta conductividad térmica:Aproximadamente 4,9 W/m·K, disipación de calor eficaz, adecuada para aplicaciones de alta densidad de potencia.
· Resistencia a altas temperaturas:Puede funcionar de manera estable en un ambiente de alta temperatura.
· Alta dureza:Muy alta resistencia mecánica y resistencia para condiciones adversas.
· Alta tensión de ruptura:Capaz de soportar voltajes más altos y reducir el tamaño del dispositivo.
· Baja pérdida de cambio:Buenas características de conmutación en operación de alta frecuencia para mejorar la eficiencia.
· Resistencia a la corrosión:Buena resistencia a la corrosión a una amplia gama de productos químicos.
· Amplia gama de aplicaciones:adecuado para vehículos eléctricos, inversores, amplificadores de alta potencia y otros campos.
Parámetros técnicos:
| Grado de grado |
精选级 ((Z 级) Producción de MPD cero Grado (grado Z) |
工业级 (P 级) Producción estándar Grado (grado P) |
测试级 ((D 级) 级) Grado de simulacro (grado D) |
||
| Diámetro | 99.5 mm~100,0 mm | ||||
| 厚度 espesor | Se aplicarán las siguientes medidas: | ||||
| 晶片方向 Orientación de la oblea | En el eje opuesto: 2.0°-4.0° hacia adelante [112 | 0] ± 0,5° para 4H/6H-P, en el eje: ∆111 ∆± 0,5° para 3C-N | |||
| 微管密度 ※ Densidad de los microtubos | 0 cm-2 | ||||
| 电 阻 率 ※ Resistencia | el tipo p 4H/6H-P | ≤ 0,1 Ω ̊cm | ≤ 0,3 Ω ̊cm | ||
| Tipo n 3C-N | ≤ 0,8 mΩ cm | ≤ 1 m Ω ̊cm | |||
|
Principales posiciones en la dirección del lado Orientación plana |
4H/6H-P |
- {1010} ± 5,0° |
|||
| 3C-N |
- {110} ± 5,0° |
||||
| 主定位边长度 Primario longitud plana | 32.5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Duración de la línea secundaria | 18.0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Dirección secundaria de orientación plana | Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0° | ||||
| 边缘去除 Exclusión del borde | 3 mm | 6 mm | |||
| 局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow / Warp | Se aplicarán las siguientes medidas: | Se aplicarán las siguientes medidas: | |||
| 表面粗度 ※ La rugosidad | Polish Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra ≤ 0,5 nm | ||||
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm | |||
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 0,1% | |||
| ¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad? | No hay | Área acumulada ≤ 3% | |||
| Incluciones de carbono visuales | Área acumulada ≤ 0,05% | Área acumulada ≤ 3% | |||
| # La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad | No hay | Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea | |||
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz | Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno | |||
| La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad | No hay | ||||
Aplicaciones:
1.Electrónica de potencia
Convertidores de potencia: para adaptadores de potencia eficientes e inversores de menor tamaño y mayor eficiencia energética.
Vehículos eléctricos: optimizar la eficiencia de conversión de potencia en los módulos de accionamiento y las estaciones de carga de vehículos eléctricos.
2.Dispositivos de RF
Amplificadores de microondas: Se utilizan en sistemas de comunicación y radar para proporcionar un rendimiento confiable de alta frecuencia.
Comunicaciones por satélite: amplificador de alta potencia para satélites de comunicación.
3.Aplicaciones a altas temperaturas
Sensor: Sensor utilizado en entornos de temperaturas extremas, capaz de funcionar de forma estable.
Equipo industrial: equipo e instrumentos adaptados a condiciones de alta temperatura.
4.Optoelectrónica
Tecnología LED: se utiliza para mejorar la eficiencia luminosa en LEDs específicos de longitud de onda corta.
Lasers: aplicaciones láser eficientes.
5.Sistema de energía
Red inteligente: Mejorar la eficiencia energética y la estabilidad en la transmisión y gestión de la red de corriente continua de alto voltaje (HVDC).
6.Electrónica de consumo
Dispositivo de carga rápida: Un cargador portátil para dispositivos electrónicos que mejora la eficiencia de carga.
7.Energía renovable
Inversor solar: lograr una mayor eficiencia de conversión de energía en los sistemas fotovoltaicos.
Personalización:
Nuestro sustrato SiC está disponible en el tipo 4H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 6 pulgadas.
Nuestros servicios:
ZMSH ofrece una gama completa de soluciones 4H-P de sustrato de carburo de silicio, incluyendo corte de alta precisión, pulido profesional, doping personalizado,y rigurosas pruebas de calidad para garantizar que cada sustrato cumpla con sus necesidades específicas de alto rendimiento, dispositivos semiconductores de alta fiabilidad y larga duración.
Preguntas frecuentes:
1P: ¿Cuál es el tipo de sustrato de carburo de silicio 4H-P?
R: El sustrato de carburo de silicio tipo 4H-P es un material de carburo de silicio con una estructura cristalina específica, utilizado principalmente en la fabricación de dispositivos semiconductores de alta potencia.
2P: ¿Cómo elegir un sustrato de carburo de silicio tipo 4H-P de alta calidad?
R: Se deben prestar atención a parámetros clave como la calidad del cristal, la concentración de impurezas, la rugosidad de la superficie y la exactitud dimensional.y los proveedores con una buena reputación y un estricto control de calidad deben ser seleccionados.
3P: ¿Cuáles son los pasos clave en el proceso de producción del sustrato de carburo de silicio tipo 4H-P?
R: Incluyendo la síntesis de materias primas, el crecimiento de cristales, el corte, el pulido y los pasos de inspección, cada paso requiere una alta precisión y un control estricto para garantizar la calidad del producto final.
Etiqueta: tipo 4H-P Sic, sustrato de carburo de silicio, pulido de carburo de silicio.
