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Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación

Name: Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 3C-N SiC
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: China.

Nombre de la marca: ZMSH

Certificación: rohs

Número de modelo: 3C-N SiC

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10 por ciento

Precio: by case

Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada

Tiempo de entrega: en 30days

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 1000pc/month

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Detalles del producto

Descripción de producto

Resaltar: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                50Substrato de carburo de silicio de.8 mm Sic, Substrato de carburo de silicio de grado de investigación Sic
                              

Tamaño:	2 pulgadas	Constante dieléctrica:	9,7
Dureza de la superficie:	HV0.3>2500	Densidad:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:	4,5 X 10-6/K	Resistencia a la tracción:	>400MPa
Tensión de ruptura:	5,5 milivoltios/cm	Aplicaciones:	Electrónica de potencia, sensor

Tamaño:	2 pulgadas
Constante dieléctrica:	9,7
Dureza de la superficie:	HV0.3>2500
Densidad:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:	4,5 X 10-6/K
Resistencia a la tracción:	>400MPa
Tensión de ruptura:	5,5 milivoltios/cm
Aplicaciones:	Electrónica de potencia, sensor

Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación

Descripción del producto:

Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación

3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es un material semiconductor de banda ancha con buenas propiedades eléctricas y térmicas, especialmente adecuado para alta frecuencia,aplicaciones de alta potencia y dispositivos electrónicosEl dopaje de tipo N se logra generalmente mediante la introducción de elementos tales como nitrógeno (N) y fósforo (P), lo que hace que el material sea electronegativo y adecuado para una variedad de diseños de dispositivos electrónicos.La distancia entre bandas es de aproximadamente 3El dopaje de tipo N mantiene una alta movilidad de electrones, lo que mejora el rendimiento del dispositivo.La excelente conductividad térmica ayuda a mejorar la capacidad de disipación de calor de los dispositivos eléctricosTiene una buena resistencia mecánica y es adecuado para su uso en ambientes hostiles. Tiene una buena resistencia a una amplia gama de productos químicos y es adecuado para aplicaciones industriales.se utiliza en convertidores y accionadores de potencia de alta eficiencia, adecuado para vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

Características:

· Largo intervalo de banda: Intervalo de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicaciones de alta temperatura y alto voltaje.

· Alta movilidad de los electrones: el dopaje de tipo N proporciona una buena movilidad de los electrones y mejora el rendimiento general del dispositivo.

· Excelente conductividad térmica: tiene una excelente conductividad térmica y mejora eficazmente el rendimiento de disipación de calor, adecuado para aplicaciones de alta potencia.

· Buena resistencia mecánica: tiene una alta dureza y resistencia a la compresión, y es adecuado para su uso en ambientes hostiles.

· Resistencia química: buena resistencia a una amplia gama de productos químicos, mejorando la estabilidad del material.

· Características eléctricas ajustables: mediante el ajuste de la concentración de dopaje, se pueden lograr diferentes propiedades eléctricas para satisfacer las necesidades de una variedad de aplicaciones.

Parámetros técnicos:

Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación 2

Aplicaciones:

1Electrónica de potencia: para convertidores de potencia, inversores y accionadores de alta eficiencia, ampliamente utilizados en vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

2Equipos de RF y microondas: amplificadores de RF, equipos de microondas, especialmente adecuados para sistemas de comunicación y radar.

3Optoelectrónica: puede usarse como un bloque de construcción para LED y detectores de luz, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.

4Sensores: se aplican a una amplia gama de sensores en entornos de alta temperatura y alta potencia, proporcionando un rendimiento confiable.

5Carga inalámbrica y gestión de la batería: se utiliza en sistemas de carga inalámbrica y dispositivos de gestión de la batería para mejorar la eficiencia y el rendimiento.

6Equipo eléctrico industrial: se utiliza en sistemas de automatización y control industriales para mejorar la eficiencia energética y la estabilidad del sistema.

Personalización:

Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 3C-N y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 2 pulgadas.

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes:
P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
A: ((1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
El flete está de acuerdo con la liquidación real.

P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.

Tags:

12 pulgadas de diámetro 300 mm SIC Substrato epitaxial Wafer pulido de carburo de silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conductor solar fotovoltaico

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H-P Tipo fuera del eje 2,0 ° hacia el grado de producción

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro

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Sic substrato

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Oblea del fosfuro de indio

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Oblea de silicio de IC

Placa del cuarzo fundido

substrato de cerámica

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Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación

50Substrato de carburo de silicio de.8 mm Sic

Substrato de carburo de silicio de grado de investigación Sic

Descripción del producto:

Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic Tipo 3C-N Diámetro 50,8 mm Calidad de producción Calidad de investigación Calidad de imitación

Características:

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

Personalización:

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P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.

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R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.