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Wafer de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic de cristal único de 150 mm de diámetro Tipo de traje 3C-N para sistemas de radar de comunicación

Nombre De La Marca:	ZMSH
Número De Modelo:	3C-N SiC
MOQ:	10 por ciento
Precio:	by case
Tiempo De Entrega:	en 30days
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China.

Certificación:

rohs

Tamaño:

6 pulgadas

Constante dieléctrica:

9,7

Dureza de la superficie:

HV0.3>2500

Densidad:

3.21 G/cm3

Coeficiente de expansión térmica:

4,5 X 10-6/K

Tensión de ruptura:

5,5 milivoltios/cm

Aplicaciones:

Comunicaciones, sistemas de radar

Detalles de empaquetado:

caja de plástico personalizada

Capacidad de la fuente:

1000pc/month

Resaltar:

Wafer de carburo de silicio tipo 3C-N

Wafer de carburo de silicio de 6 pulgadas

Wafer de carburo de silicio de 150 mm de diámetro

Descripción de producto

Descripción del producto:

Wafer de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic de cristal único de 150 mm de diámetro Tipo de traje 3C-N para sistemas de radar de comunicación

3C-SiC (carburo de silicio cúbico) es un material semiconductor de banda ancha con buenas propiedades eléctricas y térmicas, especialmente adecuado para alta frecuencia,aplicaciones de alta potencia y dispositivos electrónicosEl dopaje de tipo N se logra generalmente mediante la introducción de elementos tales como nitrógeno (N) y fósforo (P), lo que hace que el material sea electronegativo y adecuado para una variedad de diseños de dispositivos electrónicos.La distancia entre bandas es de aproximadamente 3El dopaje de tipo N mantiene una alta movilidad de electrones, lo que mejora el rendimiento del dispositivo.La excelente conductividad térmica ayuda a mejorar la capacidad de disipación de calor de los dispositivos eléctricosTiene una buena resistencia mecánica y es adecuado para su uso en ambientes hostiles. Tiene una buena resistencia a una amplia gama de productos químicos y es adecuado para aplicaciones industriales.se utiliza en convertidores y accionadores de potencia de alta eficiencia, adecuado para vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

Características:

· Largo intervalo de banda: Intervalo de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicaciones de alta temperatura y alto voltaje.

· Alta movilidad de los electrones: el dopaje de tipo N proporciona una buena movilidad de los electrones y mejora el rendimiento general del dispositivo.

· Excelente conductividad térmica: tiene una excelente conductividad térmica y mejora eficazmente el rendimiento de disipación de calor, adecuado para aplicaciones de alta potencia.

· Buena resistencia mecánica: tiene una alta dureza y resistencia a la compresión, y es adecuado para su uso en ambientes hostiles.

· Resistencia química: buena resistencia a una amplia gama de productos químicos, mejorando la estabilidad del material.

· Características eléctricas ajustables: mediante el ajuste de la concentración de dopaje, se pueden lograr diferentes propiedades eléctricas para satisfacer las necesidades de una variedad de aplicaciones.

Parámetros técnicos:

Wafer de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic de cristal único de 150 mm de diámetro Tipo de traje 3C-N para sistemas de radar de comunicación 4

Aplicaciones:

1Electrónica de potencia: para convertidores de potencia, inversores y accionadores de alta eficiencia, ampliamente utilizados en vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable.

2Equipos de RF y microondas: amplificadores de RF, equipos de microondas, especialmente adecuados para sistemas de comunicación y radar.

3Optoelectrónica: puede usarse como un bloque de construcción para LED y detectores de luz, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.

4Sensores: se aplican a una amplia gama de sensores en entornos de alta temperatura y alta potencia, proporcionando un rendimiento confiable.

5Carga inalámbrica y gestión de la batería: se utiliza en sistemas de carga inalámbrica y dispositivos de gestión de la batería para mejorar la eficiencia y el rendimiento.

6Equipo eléctrico industrial: se utiliza en sistemas de automatización y control industriales para mejorar la eficiencia energética y la estabilidad del sistema.

Personalización:

Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 3C-N y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 6 pulgadas. El lugar de origen es China.

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Es su empresa una fábrica o una empresa comercial?
R: Somos la fábrica y también podemos exportar nosotros mismos.

P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.

P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
R: (1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
El flete está de acuerdo con la liquidación real.

Etiquetas:

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

El alambre vio la máquina

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Oblea del GaAs

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

El alambre vio la máquina

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Oblea del GaAs

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Wafer de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic de cristal único de 150 mm de diámetro Tipo de traje 3C-N para sistemas de radar de comunicación

Wafer de carburo de silicio tipo 3C-N

Wafer de carburo de silicio de 6 pulgadas

Wafer de carburo de silicio de 150 mm de diámetro

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Wafer de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic de cristal único de 150 mm de diámetro Tipo de traje 3C-N para sistemas de radar de comunicación

Características:

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

Personalización:

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2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

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Preguntas frecuentes:

P: ¿Es su empresa una fábrica o una empresa comercial?R: Somos la fábrica y también podemos exportar nosotros mismos.

P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.

P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?R: (1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.El flete está de acuerdo con la liquidación real.

sic oblea

sic substrato

substrato del carburo de silicio

4H-N Type SiC Substrate 10x10mm Wafer for Power Electronics

4H Silicon Carbide Substrate for Power Electronics, RF Devices & UV Optoelectronics

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R: Somos la fábrica y también podemos exportar nosotros mismos.

P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.

P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
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