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Hogar > PRODUCTOS > Sic substrato > 6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción
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6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción
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6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción

6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción

Detalles del producto

Lugar de origen: China.

Nombre de la marca: ZMSH

Certificación: rohs

Número de modelo: 4H SiC

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10 por ciento

Precio: by case

Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada

Tiempo de entrega: en 30days

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 1000pc/month

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:

Substrato compuesto de SiC de polvo único

,

Substrato compuesto de SiC tipo P

,

Substrato compuesto de SiC doblemente polido

Material:
Carburo de silicio
Tamaño:
6 pulgadas
Es el día.:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Resistencia:
≥ 1 E8 ohm·cm
La velocidad warp.:
≤ 35 μm
Parámetro:
Tipo de vehículo
TTV:
≤5 μm
La rugosidad:
Ra ≤ 0,2 nm
Finalización de la superficie:
de una sola o dos caras
Aplicaciones:
Electrónica de potencia, optoelectrónica
personalizado:
AUTORIZACIÓN
Material:
Carburo de silicio
Tamaño:
6 pulgadas
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Ra ≤ 0,2 nm
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de una sola o dos caras
Aplicaciones:
Electrónica de potencia, optoelectrónica
personalizado:
AUTORIZACIÓN
6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción

Descripción del producto:

6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción

Las obleas de sustrato compuesto de carburo de silicio semi-aislante (SiC) son un nuevo tipo de materiales de sustrato para electrónica de potencia y dispositivos de microondas de RF.Los sustratos compuestos de SiC semi-aislantes se utilizan ampliamente en la electrónica de potenciaEs particularmente adecuado para la fabricación de circuitos integrados de microondas de alto rendimiento y amplificadores de potencia.En comparación con los sustratos de silicio tradicionales, los sustratos compuestos de SiC semi-aislantes tienen un mayor aislamiento, conductividad térmica y resistencia mecánica,El desarrollo de una nueva generación de, dispositivos electrónicos de alta frecuencia.

6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción 0

Características:

· el Alta resistividad: las obleas de SiC semi-isolantes pueden alcanzar una resistividad del orden de 10^8-10^10 Ω·cm.Esta resistencia extremadamente alta permite aislar eficazmente los dispositivos electrónicos de interferencias entre sí.

· elBaja pérdida dieléctrica: las obleas de SiC semi-aislantes tienen un factor de pérdida dieléctrica extremadamente bajo, generalmente inferior a 10^-4.Esto ayuda a reducir la pérdida de energía del dispositivo cuando se opera a altas frecuencias.

· elExcelente conductividad térmica: Los materiales de SiC tienen una alta conductividad térmica y pueden conducir eficazmente el calor generado por el dispositivo.Ayuda a mejorar el rendimiento de gestión térmica del dispositivo y mejorar la estabilidad de funcionamiento.

6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción 1

· elAlta resistencia mecánica: las obleas de SiC semi-aislantes tienen una alta dureza y resistencia a la flexión.Puede soportar grandes tensiones mecánicas y es adecuado para la fabricación de dispositivos electrónicos de alta fiabilidad.

· elBuena estabilidad química: Los materiales de SiC tienen una excelente estabilidad química en ambientes químicamente corrosivos a altas temperaturas.Es beneficioso para mejorar la vida útil del dispositivo en ambientes adversos.

· elBuena compatibilidad con el Si: La constante de red y el coeficiente de expansión térmica de las obleas de SiC semi-aislantes son similares a los del silicio.Ayuda a simplificar el proceso de fabricación del dispositivo y reducir los costes de fabricación.

Parámetros técnicos:

6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción 2

Aplicaciones:

1.Dispositivos de RF y microondas: El SiC semi-aislante es ideal para la fabricación de circuitos integrados de RF y microondas debido a su baja pérdida dieléctrica y alto aislamiento.Puede aplicarse a campos de microondas de alta frecuencia como estaciones base de comunicaciones móviles, sistemas de radar y comunicaciones por satélite.

2.Electrónica de potencia: el SiC semi-aislante tiene una excelente conductividad térmica y características de alta temperatura, lo que es beneficioso para la fabricación de dispositivos semiconductores de potencia.Se puede utilizar para fabricar dispositivos electrónicos de alta potencia, como amplificadores de potencia, conmutación de fuentes de alimentación y conversión de energía.

3.Optoelectrónica: El SiC semi-aislante tiene resistencia a la radiación y puede usarse para fabricar dispositivos fotodetectores que operan en un entorno de radiación.defensa nacional y otros campos con requisitos estrictos para la resistencia a la radiación.

6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción 3

Personalización:

Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo semi-aislante y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 6 pulgadas. El lugar de origen es China.



6 pulgadas de carburo de silicio Semi-aislante de SiC Substrato compuesto Tipo P Tipo N Tipo de Polish único Doble Polish grado de producción 4

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Su empresa sólo trabaja con el negocio de la SIC?
R: Sí; sin embargo no crecemos el cristal sic por nosotros mismos.

P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
R: (1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
El flete está de acuerdo con la liquidación real.

P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.

Tags:

sic oblea,

sic substrato,

substrato del carburo de silicio

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