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Hogar > PRODUCTOS > Sic substrato > Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero
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Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero
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Detalles del producto

Lugar de origen: China.

Nombre de la marca: ZMSH

Certificación: rohs

Número de modelo: 4H-P SiC

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10 por ciento

Precio: by case

Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada

Tiempo de entrega: en 30days

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 1000pc/month

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:

Wafer de carburo de silicio de 350 μm Sic

,

Fotovoltaics SIC Wafer de carburo de silicio

,

50Wafer de carburo de silicio de.8 mm SIC

Dureza de la superficie:
HV0.3>2500
Densidad:
3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:
4,5 X 10-6/K
Constante dieléctrica:
9,7
Resistencia a la tracción:
>400MPa
Material:
Monocristal de SiC
Tamaño:
2 pulgadas
Tensión de ruptura:
5,5 milivoltios/cm
Dureza de la superficie:
HV0.3>2500
Densidad:
3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:
4,5 X 10-6/K
Constante dieléctrica:
9,7
Resistencia a la tracción:
>400MPa
Material:
Monocristal de SiC
Tamaño:
2 pulgadas
Tensión de ruptura:
5,5 milivoltios/cm
Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero

Descripción del producto:

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero

El carburo de silicio 4H-P (SiC) es un importante material semiconductor comúnmente utilizado en dispositivos electrónicos de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia.El 4H-SiC es un tipo de estructura cristalina que tiene una estructura de red hexagonalEl amplio intervalo de banda (aproximadamente 3,26 eV) le permite funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje.puede guiar y disipar el calor de manera efectivaLa alta conductividad térmica (aproximadamente 4,9 W/m · K), superior al silicio, puede conducir y disipar el calor de manera eficaz.El carburo de silicio dopado de tipo P tiene una baja resistividad y es adecuado para la construcción de uniones PNCon el desarrollo de los vehículos eléctricos y las tecnologías de energía renovable, se espera que la demanda de carburo de silicio tipo 4H-P siga creciendo.impulsar la investigación y los avances tecnológicos relacionados.

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero 0Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero 1

Características:

· Tipo: el cristal 4H-SiC tiene una estructura de red hexagonal y proporciona excelentes características eléctricas.

· Amplia banda: aproximadamente 3,26 eV para aplicaciones de alta temperatura y alta frecuencia.

· Dopaje tipo P: La conductividad tipo P se obtiene mediante elementos de dopaje como el aluminio, aumentando la concentración del conductor poroso.

· Resistividad: baja resistividad, adecuada para dispositivos de alta potencia.

· Alta conductividad térmica: aprox. 4,9 W/m·K, disipación de calor eficaz, adecuada para aplicaciones de alta densidad de potencia.

· Resistencia a altas temperaturas: puede funcionar de forma estable en un entorno de altas temperaturas.

· Alta dureza: muy alta resistencia mecánica y dureza para condiciones adversas.

· Alta tensión de ruptura: capaz de soportar tensiones más altas y reducir el tamaño del dispositivo.

· Baja pérdida de conmutación: Buenas características de conmutación en operaciones de alta frecuencia para mejorar la eficiencia.
· Resistencia a la corrosión: buena resistencia a la corrosión de una amplia gama de productos químicos.

· Amplia gama de aplicaciones: adecuado para vehículos eléctricos, inversores, amplificadores de alta potencia y otros campos.

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero 2Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero 3

Parámetros técnicos:

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero 4

Aplicaciones:

1Electrónica de potencia
Convertidores de potencia: para adaptadores de potencia eficientes e inversores de menor tamaño y mayor eficiencia energética.
Vehículos eléctricos: optimizar la eficiencia de conversión de potencia en los módulos de accionamiento y las estaciones de carga de vehículos eléctricos.

2. Dispositivos de RF
Amplificadores de microondas: Se utilizan en sistemas de comunicación y radar para proporcionar un rendimiento confiable de alta frecuencia.
Comunicaciones por satélite: amplificador de alta potencia para satélites de comunicación.

3Aplicaciones a altas temperaturas
Sensor: Sensor utilizado en entornos de temperaturas extremas, capaz de funcionar de forma estable.
Equipo industrial: equipo e instrumentos adaptados a condiciones de alta temperatura.

4. Optoelectrónica
Tecnología LED: se utiliza para mejorar la eficiencia luminosa en LEDs específicos de longitud de onda corta.
Lasers: aplicaciones láser eficientes.

5Sistema de energía.
Red inteligente: Mejorar la eficiencia energética y la estabilidad en la transmisión y gestión de la red de corriente continua de alto voltaje (HVDC).

6Electrónica de consumo
Dispositivo de carga rápida: Un cargador portátil para dispositivos electrónicos que mejora la eficiencia de carga.

7Energía renovable
Inversor solar: lograr una mayor eficiencia de conversión de energía en los sistemas fotovoltaicos.

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero 5

Personalización:

Nuestro sustrato SiC está disponible en el tipo 4H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pcs/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 2 pulgadas. El lugar de origen es China.

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4H-P SIC para fotovoltaica espesor 350 μm diámetro 50,8 mm grado cero 6

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes:
P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?
A: ((1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
El flete está de acuerdo con la liquidación real.

P: ¿Cómo se paga?
A: 50% de depósito, 50% antes de la entrega T / T, Paypal.

P: ¿Cuál es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, el MOQ es de 10pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 25pcs.

P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
A: (1) Para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles después de realizar el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 3 semanas después de realizar el pedido.

Tags:

sic oblea,

sic substrato,

substrato del carburo de silicio

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