Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicaciones y radares Diámetro 150 mm Prime Grade

Descripción del producto:

6H-SiC (carburo de silicio hexagonal) es un material semiconductor de banda ancha con buena conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas,que se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuenciaEl dopaje de tipo P se logra mediante la introducción de elementos como el aluminio (Al), que hace que el material sea electropositivo y adecuado para diseños específicos de dispositivos electrónicos.que es adecuado para funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje. La conductividad térmica es superior a muchos materiales semiconductores tradicionales y ayuda a mejorar la eficiencia del dispositivo..

En el campo de la electrónica de potencia, se puede utilizar para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT.tiene un excelente rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia y se utiliza ampliamente en equipos de comunicaciónEn el campo de la tecnología LED, se puede utilizar como material básico para dispositivos LED azules y ultravioleta.

Características:

· Diferencia de banda ancha:El intervalo de banda es de aproximadamente 3,0 eV, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia.

· Excelente conductividad térmica:Con una buena conductividad térmica, ayuda a la disipación de calor, mejora el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.

· Alta resistencia y dureza:alta resistencia mecánica, antifragmentación y anti desgaste, adecuada para su uso en ambientes hostiles.

· Movilidad electrónica:El dopaje de tipo P mantiene una movilidad relativamente alta de los portadores, lo que permite el uso de dispositivos electrónicos eficientes.

· Propiedades ópticas:Con propiedades ópticas únicas, adecuadas para el campo de la optoelectrónica, como LED y láseres.

· Estabilidad química:Buena resistencia a la corrosión química, adecuada para ambientes de trabajo duros.

· Gran adaptabilidad:puede combinarse con una variedad de materiales de sustrato, adecuados para una variedad de escenarios de aplicación.

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

· Electrónica de potencia:Se utiliza para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT, que se utilizan ampliamente en convertidores de frecuencia, gestión de energía y vehículos eléctricos.

· Equipo de RF y microondas:Se utiliza en amplificadores de alta frecuencia, amplificadores de potencia de RF, adecuados para sistemas de comunicación y radar.
 

· Optoelectrónica:Se utiliza como sustrato en LED y láseres, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.

· Sensores de alta temperatura:Debido a su buena estabilidad térmica, son adecuados para sensores de alta temperatura y equipos de monitoreo.

· Energía solar y sistemas energéticos:se utilizan en inversores solares y otras aplicaciones de energía renovable para mejorar la eficiencia de la conversión de energía.

· Electrónica automotriz:Optimización del rendimiento y ahorro de energía en el sistema de potencia de los vehículos eléctricos e híbridos.

· Equipos eléctricos industriales:Módulos de potencia para una amplia gama de equipos y máquinas de automatización industrial para mejorar la eficiencia energética y la fiabilidad.

Nuestro sustrato SiC está disponible en el tipo 6H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pago. Nuestra capacidad de suministro es de 1000pc/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de diámetro 150mm espesor 350 μm. El lugar de origen es China.