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Sic substrato

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Sic substrato

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Porcelana 4H-SEMI Substrato de carburo de silicio SiC de 2 pulgadas de espesor 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer fábrica

4H-SEMI Substrato de carburo de silicio SiC de 2 pulgadas de espesor 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

En el caso de los productos que no estén incluidos en la lista de productos, se considerará que los productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de ... Leer más
2024-08-15 09:03:01
Porcelana 2 pulgadas de Sic Substrato 6H-N Tipo de espesor 350um 650um Wafer Sic fábrica

2 pulgadas de Sic Substrato 6H-N Tipo de espesor 350um 650um Wafer Sic

El sustrato monocristalino de carburo de silicio (SiC) de tipo 6H n es un material semiconductor esencial ampliamente utilizado en aplicaciones electrónicas de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura... Leer más
2024-08-08 13:35:02
Porcelana Wafer de carburo de silicio de 8 pulgadas Wafer de carburo de silicio Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um fábrica

Wafer de carburo de silicio de 8 pulgadas Wafer de carburo de silicio Prime Dummy Research Grade 500um 350 Um

Wafer de carburo de silicio de 8 pulgadas Wafer de carburo de silicio primer maniquí de investigación grado 500um 350 um Introducción del producto Nuestra compañía se especializa en el suministro de obleas de ... Leer más
2024-06-26 10:36:52
Porcelana Wafers de carburo de silicio 8 pulgadas 200 mm Substrato de pulido Semiconductor fábrica

Wafers de carburo de silicio 8 pulgadas 200 mm Substrato de pulido Semiconductor

Wafers de carburo de silicio 8 pulgadas 200 mm Substrato de pulido Semiconductor Descripción del producto La demanda de obleas de SiC de 8 pulgadas está aumentando rápidamente en múltiples industrias. Estos ... Leer más
2024-06-26 10:36:52
Porcelana Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas de uso industrial con rugosidad superficial ≤ 0,2 nm fábrica

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas de uso industrial con rugosidad superficial ≤ 0,2 nm

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas de uso industrial con rugosidad superficial ≤ 0,2 nm Descripción del producto ZMSH se ha convertido en el principal fabricante y ... Leer más
2024-06-26 10:36:52
Porcelana Substrato de SiC 4H-N de espesor 350um utilizado en material semiconductor de optoelectrónica fábrica

Substrato de SiC 4H-N de espesor 350um utilizado en material semiconductor de optoelectrónica

Substrato de SiC 4H-N de espesor 350um utilizado en material semiconductor de optoelectrónica Descripción del producto Los sustratos de SiC son materiales clave en el campo de la tecnología de semiconductores, ... Leer más
2024-06-26 10:36:52
Porcelana Carburo de silicio (SiC) Substrato 6 pulgadas 8 pulgadas de prueba de grado de oblea para el corte por láser fábrica

Carburo de silicio (SiC) Substrato 6 pulgadas 8 pulgadas de prueba de grado de oblea para el corte por láser

Carburo de silicio (SiC) Substrato 6 pulgadas 8 pulgadas Cortar con láser Para la preparación epitaxial Descripción del producto: Las ofertas completas de Coherent en obleas epitaxiales de SiC no solo aceleran ... Leer más
2024-06-03 17:07:47
Porcelana 4° Fuera del eje Substrato SiC de 2 pulgadas Aplicaciones a altas temperaturas Wafer epitaxial fábrica

4° Fuera del eje Substrato SiC de 2 pulgadas Aplicaciones a altas temperaturas Wafer epitaxial

4° Fuera del eje Substrato SiC de 2 pulgadas Aplicaciones a altas temperaturas Wafer epitaxial Descripción del producto: El sustrato de SiC también tiene una rugosidad superficial de Ra < 0,5 nm, que es ... Leer más
2024-05-29 11:51:08
Porcelana Substrato de oblea epitaxial SiC Semiconductor Aplicaciones industriales 4H-N fábrica

Substrato de oblea epitaxial SiC Semiconductor Aplicaciones industriales 4H-N

Substrato de oblea epitaxial de SiC Aplicaciones industriales de semiconductores 4H-NDescripción del producto:Carburo de silicio (Substrato de SiCEn el siglo XX, el abrasivo fue descubierto como un abrasivo ... Leer más
2024-05-29 11:51:08
Porcelana 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de SiC Substrato 330um espesor 4H-N Tipo grado de producción fábrica

2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de SiC Substrato 330um espesor 4H-N Tipo grado de producción

2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de SiC Substrato 330um espesor 4H-N Tipo grado de producción Descripción del producto: El sustrato de SiC está disponible en varios tamaños, incluidos 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 ... Leer más
2024-05-29 11:51:08
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