En el caso de los productos que no estén incluidos en la lista de productos, se considerará que los productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de productos incluidos en la lista de ... Leer más
El sustrato monocristalino de carburo de silicio (SiC) de tipo 6H n es un material semiconductor esencial ampliamente utilizado en aplicaciones electrónicas de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura... Leer más
Wafer de carburo de silicio de 8 pulgadas Wafer de carburo de silicio primer maniquí de investigación grado 500um 350 um Introducción del producto Nuestra compañía se especializa en el suministro de obleas de ... Leer más
Wafers de carburo de silicio 8 pulgadas 200 mm Substrato de pulido Semiconductor Descripción del producto La demanda de obleas de SiC de 8 pulgadas está aumentando rápidamente en múltiples industrias. Estos ... Leer más
Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas de uso industrial con rugosidad superficial ≤ 0,2 nm Descripción del producto ZMSH se ha convertido en el principal fabricante y ... Leer más
Substrato de SiC 4H-N de espesor 350um utilizado en material semiconductor de optoelectrónica Descripción del producto Los sustratos de SiC son materiales clave en el campo de la tecnología de semiconductores, ... Leer más
Carburo de silicio (SiC) Substrato 6 pulgadas 8 pulgadas Cortar con láser Para la preparación epitaxial Descripción del producto: Las ofertas completas de Coherent en obleas epitaxiales de SiC no solo aceleran ... Leer más
4° Fuera del eje Substrato SiC de 2 pulgadas Aplicaciones a altas temperaturas Wafer epitaxial Descripción del producto: El sustrato de SiC también tiene una rugosidad superficial de Ra < 0,5 nm, que es ... Leer más
Substrato de oblea epitaxial de SiC Aplicaciones industriales de semiconductores 4H-NDescripción del producto:Carburo de silicio (Substrato de SiCEn el siglo XX, el abrasivo fue descubierto como un abrasivo ... Leer más
2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de SiC Substrato 330um espesor 4H-N Tipo grado de producción Descripción del producto: El sustrato de SiC está disponible en varios tamaños, incluidos 2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 ... Leer más