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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Correo: eric_wang@zmsh-materials.com Teléfono: 86-1580-1942596
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resistencia 0.015-0.028ohm del substrato de 10x10m m 5x5m m sic. El cm o >1E7ohm.Cm sic salta
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Lugar de origen China
Nombre de la marca ZMSH
Certificación rohs
Número de modelo SIC010
Detalles del producto
Fuerza compresiva:
>1000MPa
Superficie:
CMP de cara de Si; cara C Mp;
Resistencia:
0,015 ~ 0,028 ohmios cm; O >1E7ohm.cm;
Material:
Monocristal de SiC
Aspereza superficial:
Ra<0.5nm
Voltaje de avería:
5,5 milivoltios/cm
Conductividad termal:
4,9 W/mK
Tamaño3:
0,5x0,5 mm; 1x1 mm; 5x5 mm; 10x10 mm;
Alta luz: 

Del monocristal substrato sic

,

De silicio del carburo oblea sic

,

microprocesadores de 10x10m m sic

Descripción de producto

Descripción de producto:

Desde la perspectiva de la capa de aplicaciones terminal, los materiales del carburo de silicio tienen una amplia gama de usos en tren de alta velocidad, electrónica de automóvil, rejillas elegantes, inversores fotovoltaicos, electromecánico industrial, centros de datos, electrodomésticos, productos electrónicos de consumo, comunicación 5G, exhibiciones de la siguiente generación, y otros campos, con potencial de mercado enorme.

En términos de uso, se divide en la baja tensión, el voltaje medio, y campos de alto voltaje:

Campo de la baja tensión
Principalmente apuntando un ciertos productos electrónicos de consumo, tales como PFC y fuente de alimentación; Por ejemplo, Xiaomi y Huawei han lanzado cargadores rápidos usando los dispositivos del nitruro del galio.

Campo medio del voltaje
Principalmente en sistemas de la electrónica de automóvil y del tránsito y de red eléctrica del carril con un voltaje encima de 3300V. Por ejemplo, Tesla era el fabricante automotriz más temprano para utilizar los dispositivos del carburo de silicio, usando los 3. modelo.
En el campo de la tensión media y baja, el carburo de silicio tiene los diodos muy maduros y productos del MOSFET que se están promoviendo y se están aplicando en el mercado.

Campo de alto voltaje
El carburo de silicio tiene ventajas únicas. Pero hasta ahora, no ha habido un producto maduro lanzado en el campo de alto voltaje, y el mundo está en la etapa de la investigación y desarrollo.
Los vehículos eléctricos son el mejor escenario del uso para el carburo de silicio. El módulo de la impulsión eléctrico de Toyota (el componente de la base de vehículos eléctricos) reduce el volumen de dispositivos del carburo de silicio por el 50% o comparados más a IGBTs basado silicio, y la densidad de energía es también mucho más alto que el del silicio basó IGBTs. Ésta es también la razón por la que muchos fabricantes tienden a utilizar el carburo de silicio, que puede optimizar la disposición de componentes en el coche y ahorrar más espacio.

 

Características:

El carburo de silicio es un substrato increíblemente duro y versátil, ofreciendo ventajas numerosas sobre los substratos de silicio tradicionales.

Una de las ventajas principales del carburo de silicio es su dureza. Thismaterial puede transferir calor a partir de un punto a otro pozo, permitiendo que mejore su conductividad eléctrica y que permita la miniaturización en muchos usos. Las obleas del carburo de silicio también tienen un coeficiente bajo para la extensión termal, significando ellas no cambian perceptiblemente de tamaño o forma mientras que se calientan o se refrescan. Además, los substratos del carburo de silicio son altamente resistentes al choque termal, y pueden cambiar temperaturas rápidamente sin la fractura o agrietarse.

El carburo de silicio es un material muy durable que no reacciona con los ácidos, los álcalis o las sales fundidas en las temperaturas hasta 800°C. Es también bastante fuerte actuar con seguridad en las temperaturas sobre 1600°C, haciéndolo conveniente para los usos des alta temperatura.

 

Parámetros técnicos:

4H-SiC* y 6H-SiC ** tenga diversos tamaños que se extienden a partir 50.8m m (2") hasta 200m m (8 pulgadas). En cuanto a tipo y a dopante, son ambos el N/Nitrogen y tipo intrínseco de HPSI. 4H-SiC* tiene una gama de la resistencia de 0,015 - 0,028 ohm*cm mientras que 6H-SiC ** tiene una resistencia mucho más grande del ohm*cm >1E7. El grueso de ambas gamas de 250um a 15,000um (15m m) y ellos ambos tienen solo/doble final pulido un lado de la superficie. El amontonamiento de la secuencia de 4H-SiC* sigue ABCB mientras que el de 6H-SiC ** sigue ABCACB. La constante dieléctrica de 4H-SiC* es 9,6 y el de 6H-SiC ** es 9,66. En cuanto a movilidad de electrón, 4H-SiC* tiene una cuenta de 800 cm2/V*S mientras que 6H-SiC ** son levemente más bajas en 400 cm2/V*S. por último, sus densidades son lo mismo en 3,21 · 103 kg/m3.

 

Usos:

El substrato de ZMSH SIC010 sic es placas de encargo de alta precisión de un tamaño para los diversos usos. Se hace del material del carburo de silicio (sic), con una constante dieléctrica de 9,7, extremadamente - una aspereza superficial baja de Ra1000MPa<0>, haciéndola ideal para las aplicaciones con la precisión extrema y exigiendo condiciones. Es perfecto para el corte del laser, pues puede mantener un nivel de la exactitud y de la calidad. Es RoHS certificado obediente y está disponible en cantidades de orden mínima de 10 pedazos. El precio se determina caso por caso, con las cajas plásticas de encargo para empaquetar. Plazo de expedición es 30 días y el pago se acepta vía T/T. ZMSH puede suministrar hasta 1000 pedazos por mes.

 

resistencia 0.015-0.028ohm del substrato de 10x10m m 5x5m m sic. El cm o >1E7ohm.Cm sic salta 0resistencia 0.015-0.028ohm del substrato de 10x10m m 5x5m m sic. El cm o >1E7ohm.Cm sic salta 1Arreglo para requisitos particulares:

Sic modificado para requisitos particulares substrato

Marca: ZMSH
Number modelo: SIC010
Lugar del origen: CHINA
Certificación: ROHS
Cantidad de orden mínima: 10PC
Precio: Por el caso
Detalles de empaquetado: Caja plástica modificada para requisitos particulares
Plazo de expedición: En 30 días
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000PC/month
Dopante: N/A
Material: Sic monocristal
Dureza superficial: HV0.3 > 2500
Resistencia a la tensión: > 400MPa
Superficie: CMP de la Si-cara; P.M. de la C-cara

Punto culminante:

Las obleas del carburo de silicio, obleas de 4H-N SIC, tamaño modificado para requisitos particulares sic saltan

 

Ayuda y servicios:

Sic soporte técnico y servicios del substrato

Estamos confiados a proveer de nuestros clientes el mejores soporte técnico y servicios para sic los productos del substrato. Nuestro personal bien informado está siempre disponible contestar a preguntas y proporcionar la dirección. Nos esforzamos asegurarnos de que nuestros clientes tienen acceso a la información y a los recursos más actualizados para ayudarles en tomar decisiones informadas. También proporcionamos una variedad de servicios, tales como ayuda del diseño, creación de un prototipo, arreglo para requisitos particulares, y más.

Nuestro equipo de expertos está siempre disponible asesorar el soporte técnico y. Entendemos la importancia del funcionamiento y de la confiabilidad de producto y trabajaremos con nuestros clientes para asegurarse de que sus necesidades están cubiertas. También proporcionamos el entrenamiento y la educación en el uso sic de los productos del substrato.

Nos dedican a proporcionar el del más alto nivel del servicio y atención para nuestros clientes. Nuestra meta es asegurarse de que nuestros clientes tienen una experiencia positiva y se satisface con nuestros productos y servicios.

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Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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