Sic substrato CON 9,7 conductividad termal dieléctrica de la constante 4,9 W/mK

Descripción de producto:

Los materiales del carburo de silicio tienen una amplia gama de usos en diversos campos de alta tecnología tales como tren de alta velocidad, electrónica de automóvil, rejillas elegantes, inversores fotovoltaicos, electromecánico industrial, centros de datos, electrodomésticos, productos electrónicos de consumo, comunicación 5G, exhibiciones de la siguiente generación, etc. Su potencial y ventajas enormes de mercado sobre los dispositivos silicio-basados les hacen un activo valioso.

Actualmente, el uso del carburo de silicio en los campos de la tensión media y baja se puede dividir principalmente en tres:

• Campo de la baja tensión: Utilizado principalmente en productos electrónicos de consumo tales como PFC y fuentes de alimentación. Por ejemplo, nitruro del galio del uso de Xiaomi y de Huawei para el cargador rápido.
• Campo medio del voltaje: Utilizado principalmente en electrónica de automóvil o las eléctricas para el tránsito y la red eléctrica del carril con un voltaje encima de 3300V. El modelo 3 de Tesla es el primer uso del dispositivo del carburo de silicio en automotriz.
• Campo de alto voltaje: Aunque el carburo de silicio tiene gran potencial en este sector, no hay todavía productos maduros lanzó oficialmente. El vehículo eléctrico, sin embargo, es el escenario ideal para los dispositivos silicio-basados pues éstos tienen tamaño compacto y densidad de una energía más alta comparados a IGBTs del silicio.

Características:

Parámetros técnicos:

4H y 6H-SiC son variación de los materiales del carburo de silicio. El diámetro para ambos tipos puede extenderse a partir 50.8m m (2 pulgadas) hasta 200m m (8 pulgadas). Los dopantes usados para ambos son N/Nitrogen o lo intrínseco, mientras que el tipo de cualquiera puede ser HPSI. La resistencia para 4H-SiC puede ser 0,015 a 0,028 ohm*cm, mientras que la de 6H-SiC es más alta en más alto que el ohm*cm 1E7. Su grueso está entre 250um a 15,000um (15m m), y todos los paquetes vienen con el lado simple o doble pulido. El amontonamiento de la secuencia de 4H-SiC es ABCB, mientras que el de 6H-SiC es ABCACB. La constante dieléctrica para 4H-SiC es 9,6 y 6H-SiC es 9,66 respectivamente. La movilidad de electrón de 4H-SiC es 800 cm2/V*S y es más baja en 400 cm2/V*S para 6H-SiC. Finalmente, ambos materiales tienen la misma densidad en 3,21 · 103 kg/m3.

Usos:

El substrato de ZMSH SIC010 sic es un producto de alta calidad y económico diseñado para los diversos usos. Ofrece 10x10m m, 5x5m m, el 1x1cm, y tamaño modificado para requisitos particulares 0.5x0.5m m, una resistencia de los 0.015~0.028ohm.cm o de >1E7ohm.cm, una constante dieléctrica de 9,7, una llanura superficial de λ/10@632.8nm, una densidad de 3,2 G/cm3, y se certifica con RoHS. La cantidad de orden mínima es 10pc, el precio está conforme al caso, se empaqueta en cajas plásticas modificadas para requisitos particulares, y plazo de expedición es en el plazo de 30 días. ZMSH ofrece una capacidad de la fuente de 1000pc/month, y acepta el pago vía T/T.

Arreglo para requisitos particulares:

Servicio modificado para requisitos particulares para sic el substrato: ZMSH SIC010

• Marca: ZMSH
• Number modelo: SIC010
• Lugar del origen: CHINA
• Certificación: ROHS
• Cantidad de orden mínima: 10pc
• Precio: por el caso
• Detalles de empaquetado: Caja plástica modificada para requisitos particulares
• Plazo de expedición: En 30 días
• Condiciones de pago: T/T
• Capacidad de la fuente: 1000pc/month
• Conductividad termal: 4,9 W/mK
• Superficie: CMP de la Si-cara; P.M. de la C-cara
• Resistencia a la tensión: >400MPa
• Material: Sic monocristal
• Dopante: N/A
• Especializado adentro: Corte del laser de SIC, obleas de 4H-N SIC, placas modificadas para requisitos particulares de SIC de la forma

Ayuda y servicios:

Proporcionamos el soporte técnico y el servicio para nuestros sic substratos. Nuestro equipo de profesionales altamente experimentados está disponible ayudarle con cualquier pregunta que usted pueda tener sobre nuestros productos.

Ofrecemos una variedad de servicios de asistencia, por ejemplo:

• Ayuda del diseño y de la fabricación
• Resolución de la localización de averías y de problema
• Arreglo para requisitos particulares del producto
• Optimización del funcionamiento de producto
• Comprobación y evaluación del producto

También proporcionamos los servicios en curso del mantenimiento y de reparación para nuestros sic substratos.

Si usted tiene cualesquiera preguntas sobre nuestros sic substratos o ningunas de nuestros otros productos, no vacile por favor entrarnos en contacto con.