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Sic substrato
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| Lugar de origen | China |
| Nombre de la marca | TANKBLUE |
| Certificación | CE |
| Número de modelo | 4h-n |
grado primero simulado de la producción de las obleas de 4inch 6inch 4H-N sic para electrónica de Crystal Quality For Demanding Power del semiconductor de las obleas del SBD MOS Device, de 4H-N 4inch 6inch sic alta, oblea del carburo de silicio de SIC del substrato del semiconductor de la marca de 4H-N 8inch TANKBLUE para el tipo solar de 4H oblea sic para la investigación y el experimento, tipo conductor de la oblea de encargo de 8inch 4H sic para la temperatura alta y fotovoltaico solar de alto voltaje del grado N de la producción del substrato del carburo fotovoltaico, de silicio 8inch del dispositivo de poder
Ventajas del carburo de silicio
Dureza
Hay ventajas numerosas a usar el carburo de silicio sobre substratos de silicio más tradicionales. Una de las ventajas principales es su dureza. Esto da a material muchas ventajas, en velocidad, temperatura alta y/o usos de alto voltaje.
Las obleas del carburo de silicio tienen alta conductividad termal, que los medios ellos pueden transferir calor a partir de un punto a otro pozo. Esto mejora su conductividad eléctrica y en última instancia miniaturización, uno de los objetivos comunes de cambiar sic a las obleas.
Capacidades termales
Alta resistencia al choque termal. Esto significa que tienen la capacidad de cambiar temperaturas rápidamente sin la fractura o agrietarse. Esto crea una ventaja clara al fabricar los dispositivos pues es otra característica de la dureza que mejora el curso de la vida y el funcionamiento del carburo de silicio con respecto al silicio a granel tradicional.
Clasificación
Los substratos del carburo de silicio sic se pueden dividir en dos categorías: substratos semi-aislados del carburo de silicio (la O.N.U-dopend de la pureza elevada y 4H-SEMI V-dopado) con la alta resistencia (resistorivity ≥107Ω·cm), y substratos conductores del carburo de silicio con resistencia baja (la gama de la resistencia es 15-30mΩ·cm).
Especificación
Cadena industrial
La cadena sic industrial del carburo de silicio se divide en la preparación material del substrato, el crecimiento de la capa epitaxial, la fabricación del dispositivo y usos rio abajo. Los monocristales del carburo de silicio son preparados generalmente por la transmisión física del vapor (método de PVT), y entonces las hojas epitaxiales son generadas por la deposición de vapor químico (método del CVD) en el substrato, y los dispositivos relevantes finalmente se hacen. En la cadena industrial sic de dispositivos, debido a la dificultad de la tecnología de fabricación del substrato, el valor de la cadena industrial se concentra principalmente en el vínculo por aguas arriba del substrato.
La compañía de ZMSH proporciona proporciona las obleas de 100m m y de 150m m sic. Con su dureza (sic está el segundo material más duro del mundo) y la estabilidad bajo calor y corriente de alto voltaje, este material está siendo ampliamente utilizado en varias industrias.
FAQ
Q: ¿Cuál es la manera de término del envío y del coste y de la paga?
: (1) aceptamos el 50% T/T por adelantado y dejamos el 50% antes de entrega por DHL, Fedex, el ccsme etc.
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(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.
Q: ¿Puedo modificar los productos para requisitos particulares basados en mi necesidad?
: Sí, podemos modificar el material, las especificaciones y la forma para requisitos particulares, tamaño basado en sus necesidades.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
: (1) para los productos estándar
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Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.
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