tipo sic substrato del grueso 4H N de 6inch Dia150mm 350um para el SBD para MOS Application
cristal del grado de la investigación del substrato de 2inch Dia50mm 4H semi sic solo
N-tipo sic grado del grueso 4H de 2inch dia50mm los 330μm de la producción del substrato
N-tipo 6H o 4H de las obleas del carburo de silicio 2inch o sic substratos semiaislantes
4 H-N Type/semi aislamiento sic de las obleas del carburo de silicio de los substratos 2inch 3inch 6inch
cuál es sic subatrate
Sic un substrato refiere a una oblea hecha del carburo de silicio (sic), que es un material ancho-bandgap del semiconductor que tiene propiedades eléctricas y termales excelentes. Sic los substratos son de uso general como plataforma para el crecimiento de las capas epitaxiales de sic o de otros materiales, que se pueden utilizar para fabricar los diversos dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, tales como transistores de alta potencia, diodos de Schottky, fotodetectores ULTRAVIOLETA, y LED.
Sic los substratos se prefieren sobre otros materiales del semiconductor, tales como silicio, para los usos de alta potencia y des alta temperatura de la electrónica debido a sus propiedades superiores, incluyendo un voltaje de avería más alto, una conductividad termal más alta, y una temperatura de funcionamiento máximo más alta. Sic los dispositivos pueden actuar en temperaturas mucho más altas que los dispositivos silicio-basados, haciéndolos convenientes para el uso en ambientes extremos, por ejemplo en usos automotrices, aeroespaciales, y de la energía.
Usos
Deposición del nitruro de III-V
Dispositivos optoelectrónicos
Dispositivos de alta potencia
Dispositivos des alta temperatura
Dispositivos de poder de alta frecuencia
| Diámetro |
150 |
milímetro |
| Tipo |
4H- N ()/4H-SI del nitrógeno (semiaislante) |
|
| Resistencia |
4H-Ni: 0,015 ~ 0,028; 4H-SI: >1E5 |
Ω.cm |
| Thickness* |
(330 ± ~ de 500) 25 |
µm |
| Orientation* |
En-AXIS: <0001> ± 0.5˚
De fuera del eje: 4˚± 0.5˚off hacia (11-20)
|
grado |
| Flat* primario |
± 5.0˚ (de 10-10) |
grado |
| Plano secundario |
Ninguno |
grado |
| TTV* |
≤15 |
µm |
| Bow* |
≤40 |
µm |
| Warp* |
≤60 |
µm |
| Densidad de Micropipe |
Cero: ≤1/producción: ≤5/maniquí: ≤15 |
cm2s |
| Aspereza |
Pulido (Ra≤1) |
nanómetro |
| CMP (Ra≤0.5) |
Cadena industrial
La cadena sic industrial del carburo de silicio se divide en la preparación material del substrato, el crecimiento de la capa epitaxial, la fabricación del dispositivo y usos rio abajo. Los monocristales del carburo de silicio son preparados generalmente por la transmisión física del vapor (método de PVT), y entonces las hojas epitaxiales son generadas por la deposición de vapor químico (método del CVD) en el substrato, y los dispositivos relevantes finalmente se hacen. En la cadena industrial sic de dispositivos, debido a la dificultad de la tecnología de fabricación del substrato, el valor de la cadena industrial se concentra principalmente en el vínculo por aguas arriba del substrato.
La compañía de ZMSH proporciona proporciona las obleas de 100m m y de 150m m sic. Con su dureza (sic está el segundo material más duro del mundo) y la estabilidad bajo calor y corriente de alto voltaje, este material está siendo ampliamente utilizado en varias industrias.
FAQ
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