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Sic substrato
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| Lugar de origen | CHINA |
| Nombre de la marca | SICC |
| Certificación | CE |
| Número de modelo | 4h-n |
cristal del grado de la investigación del substrato de 2inch Dia50.8mm 4H-Semi sic solo
N-tipo sic grado del grueso 4H de 2inch dia50mm los 330μm de la producción del substrato
N-tipo 6H o 4H de las obleas del carburo de silicio 2inch o sic substratos semiaislantes
4 H-N Type/semi aislamiento sic de las obleas del carburo de silicio de los substratos 2inch 3inch 6inch
cuál es sic subatrate
Sic un substrato refiere a una oblea hecha del carburo de silicio (sic), que es un material ancho-bandgap del semiconductor que tiene propiedades eléctricas y termales excelentes. Sic los substratos son de uso general como plataforma para el crecimiento de las capas epitaxiales de sic o de otros materiales, que se pueden utilizar para fabricar los diversos dispositivos electrónicos y optoelectrónicos, tales como transistores de alta potencia, diodos de Schottky, fotodetectores ULTRAVIOLETA, y LED.
Sic los substratos se prefieren sobre otros materiales del semiconductor, tales como silicio, para los usos de alta potencia y des alta temperatura de la electrónica debido a sus propiedades superiores, incluyendo un voltaje de avería más alto, una conductividad termal más alta, y una temperatura de funcionamiento máximo más alta. Sic los dispositivos pueden actuar en temperaturas mucho más altas que los dispositivos silicio-basados, haciéndolos convenientes para el uso en ambientes extremos, por ejemplo en usos automotrices, aeroespaciales, y de la energía.
Usos
Deposición del nitruro de III-V
Dispositivos optoelectrónicos
Dispositivos de alta potencia
Dispositivos des alta temperatura
Dispositivos de poder de alta frecuencia
Propiedad
| Propiedad | solo cristal 4H-SiC | solo cristal 6H-SiC |
| Parámetros del enrejado (Å) |
a=3.076 c=10.053 |
a=3.073 c=15.117 |
| Amontonamiento de secuencia | ABCB | ABCACB |
| Densidad | 3,21 | 3,21 |
| Dureza de Mohs | ~9,2 | ~9,2 |
| Coeficiente de la extensión termal (CTE) (/K) | 4-5 x10-6 | 4-5 x10-6 |
| Índice @750nm de la refracción |
ningunos = 2,61 ne = 2,66 |
ningunos = 2,60 ne = 2,65 |
| Constante dieléctrica | c ~ 9,66 | c ~ 9,66 |
| Doping del tipo | N-tipo o semiaislante | N-tipo o semiaislante |
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Conductividad termal (W/cm-K @298K) (N-tipo, 0,02 ohmio-cm) |
a~4.2 c~3.7 |
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Conductividad termal (W/cm-K @298K) (Tipo semiaislante) |
a~4.9 c~3.9
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a~4.6 c~3.2
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| Banda-Gap (eV) | 3,23 | 3,02 |
| Campo eléctrico de la avería (V/cm) | 3-5 x 106 | 3-5 x106 |
| Velocidad de deriva de la saturación (m/s) | 2,0 x 105 | 2,0 x 105 |
| Tamaños de la oblea y del substrato | Obleas: 2, 3, 4, 6 pulgadas; substratos más pequeños: 10x10, 20x20 milímetro, otros tamaños están disponibles y pueden ser por encargo a petición | |
| Grados del producto |
Una densidad cero del micropipe del grado (MPD < 1="">cm-2) Grado grado B de la producción (MPD<> 5 cm-2) Grado de la investigación del grado de C (MPD<> 15 cm-2) Grado simulado del grado de D (MPD<> 30 cm-2) |
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Especificación
| Diámetro | 50,8 | 76,2 | 100 | 150 | milímetro |
| Tipo | 4H- N ()/4H-SI del nitrógeno (semiaislante) | ||||
| Resistencia | 4H-Ni: 0,015 ~ 0,028; 4H-SI: >1E5 | Ω.cm | |||
| Thickness* | (330 ± ~ de 500) 25 | µm | |||
| Orientation* |
En-AXIS: <0001> ± 0.5˚ De fuera del eje: 4˚± 0.5˚off hacia (11-20) |
grado | |||
| Flat* primario | ± 5.0˚ (de 10-10) | grado | |||
| Plano secundario | Cara del silicio: 90˚CW del ± primario 5.0˚ | Ninguno | grado | ||
| TTV* | ≤15 | µm | |||
| Bow* | ≤25 | ≤40 | µm | ||
| Warp* | ≤25 | ≤35 | ≤40 | ≤60 | µm |
| Densidad de Micropipe | Cero: ≤1/producción: ≤5/maniquí: ≤15 | cm2s | |||
| Aspereza | Pulido (Ra≤1) | nanómetro | |||
| CMP (Ra≤0.5) | |||||
Cadena industrial
La cadena sic industrial del carburo de silicio se divide en la preparación material del substrato, el crecimiento de la capa epitaxial, la fabricación del dispositivo y usos rio abajo. Los monocristales del carburo de silicio son preparados generalmente por la transmisión física del vapor (método de PVT), y entonces las hojas epitaxiales son generadas por la deposición de vapor químico (método del CVD) en el substrato, y los dispositivos relevantes finalmente se hacen. En la cadena industrial sic de dispositivos, debido a la dificultad de la tecnología de fabricación del substrato, el valor de la cadena industrial se concentra principalmente en el vínculo por aguas arriba del substrato.
La compañía de ZMSH proporciona proporciona las obleas de 100m m y de 150m m sic. Con su dureza (sic está el segundo material más duro del mundo) y la estabilidad bajo calor y corriente de alto voltaje, este material está siendo ampliamente utilizado en varias industrias.
FAQ
Q: ¿Cuál es la manera de término del envío y del coste y de la paga?
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Q: ¿Cuál es su MOQ?
: (1) para el inventario, el MOQ es 3pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.
Q: ¿Puedo modificar los productos para requisitos particulares basados en mi necesidad?
: Sí, podemos modificar el material, las especificaciones y la forma para requisitos particulares, tamaño basado en sus necesidades.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
: (1) para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.
(2) para los productos especial-formados, la entrega es 4 workweeks después de que usted ponga la orden.
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