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Sic substrato
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| Lugar de origen | China |
| Nombre de la marca | SICC |
| Certificación | CE |
| Número de modelo | 4h-n |
N-tipo 6H o 4H de las obleas del carburo de silicio 2inch o sic substratos semiaislantes
Ventajas del carburo de silicio
Dureza
Hay ventajas numerosas a usar el carburo de silicio sobre substratos de silicio más tradicionales. Una de las ventajas principales es su dureza. Esto da a material muchas ventajas, en velocidad, temperatura alta y/o usos de alto voltaje.
Las obleas del carburo de silicio tienen alta conductividad termal, que los medios ellos pueden transferir calor a partir de un punto a otro pozo. Esto mejora su conductividad eléctrica y en última instancia miniaturización, uno de los objetivos comunes de cambiar sic a las obleas.
Capacidades termales
Alta resistencia al choque termal. Esto significa que tienen la capacidad de cambiar temperaturas rápidamente sin la fractura o agrietarse. Esto crea una ventaja clara al fabricar los dispositivos pues es otra característica de la dureza que mejora el curso de la vida y el funcionamiento del carburo de silicio con respecto al silicio a granel tradicional.
Clasificación
Los substratos del carburo de silicio sic se pueden dividir en dos categorías: substratos semi-aislados del carburo de silicio (la O.N.U-dopend de la pureza elevada y 4H-SEMI V-dopado) con la alta resistencia (resistorivity ≥107Ω·cm), y substratos conductores del carburo de silicio con resistencia baja (la gama de la resistencia es 15-30mΩ·cm).
Especificación para las obleas de 6inch 4H-N sic.
(2inch, 3inch 4inch, sic oblea 8inch también está disponible)
| Grado |
Producción cero de MPD Grado (grado de Z) |
Grado de la producción estándar (grado de P) |
Grado simulado (Grado de D) |
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| 99,5 mm~100.0 milímetro | ||||
| 4H-N | 350 μm±20 μm | 350 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | ||
| Orientación de la oblea | ||||
| Densidad de Micropipe | 4H-N | ≤0.5cm-2 | cm2s ≤2 | cm2s ≤15 |
| 4H-SI | ≤1cm-2 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | |
| Resistencia del ※ | 4H-N | 0.015~0.025 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | |
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | ||
| Orientación plana primaria | {10-10} ±5.0° | |||
| Longitud plana primaria | 32,5 mm±2.0 milímetro | |||
| Longitud plana secundaria | 18,0 mm±2.0 milímetro | |||
| Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: 90°CW. de ±5.0° plano primero | |||
| Exclusión del borde | 3 milímetros | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | ||
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Aspereza del ※ |
Ra≤1 polaco nanómetro | |||
| CMP Ra≤0.2 nanómetro | Ra≤0.5 nanómetro | |||
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Grietas del borde por la luz de intensidad alta
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Ninguno | ≤ acumulativo de la longitud 10 milímetros, solo length≤2 milímetro | ||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤0.05% | Área acumulativa el ≤0.1% | ||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta |
Ninguno | El area≤3% acumulativo | ||
| Inclusiones visuales del carbono | Área acumulativa el ≤0.05% | Área acumulativa el ≤3% | ||
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Rasguños de la superficie del silicio por la luz de intensidad alta |
Ninguno | Acumulativo len el ‘diámetro de gth≤1×wafer | ||
| Borde Chips High By Intensity Light | Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.2 milímetro | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | ||
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Contaminación superficial del silicio por de intensidad alta |
Ninguno | |||
| casete de la Multi-oblea o solo envase de la oblea | ||||
Cadena industrial
La cadena sic industrial del carburo de silicio se divide en la preparación material del substrato, el crecimiento de la capa epitaxial, la fabricación del dispositivo y usos rio abajo. Los monocristales del carburo de silicio son preparados generalmente por la transmisión física del vapor (método de PVT), y entonces las hojas epitaxiales son generadas por la deposición de vapor químico (método del CVD) en el substrato, y los dispositivos relevantes finalmente se hacen. En la cadena industrial sic de dispositivos, debido a la dificultad de la tecnología de fabricación del substrato, el valor de la cadena industrial se concentra principalmente en el vínculo por aguas arriba del substrato.
La compañía de ZMSH proporciona proporciona las obleas de 100m m y de 150m m sic. Con su dureza (sic está el segundo material más duro del mundo) y la estabilidad bajo calor y corriente de alto voltaje, este material está siendo ampliamente utilizado en varias industrias.
Precio
La compañía de ZMSH ofrece el mejor precio en el mercado para sic las obleas de alta calidad y los substratos sic cristalinos hasta seis (6) pulgadas de diámetro. Nuestro precio que hace juego garantías de la política usted el mejor precio para los productos sic cristalinos con especificaciones comparables. CONTACTO LOS E.E.U.U. hoy para conseguir su cita.
Arreglo para requisitos particulares
Los productos sic cristalinos modificados para requisitos particulares se pueden hacer para resolver los requisitos particulares y las especificaciones del cliente.
las Epi-obleas pueden también ser por encargo a petición.
FAQ
Q: ¿Cuál es la manera de término del envío y del coste y de la paga?
: (1) aceptamos el 50% T/T por adelantado y dejamos el 50% antes de entrega por DHL, Fedex, el ccsme etc.
(2) si usted tiene su propia cuenta expresa, es grande. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
La carga está de acuerdo con el acuerdo real.
Q: ¿Cuál es su MOQ?
: (1) para el inventario, el MOQ es 3pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.
Q: ¿Puedo modificar los productos para requisitos particulares basados en mi necesidad?
: Sí, podemos modificar el material, las especificaciones y la forma para requisitos particulares, tamaño basado en sus necesidades.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
: (1) para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.
(2) para los productos especial-formados, la entrega es 4 workweeks después de que usted ponga la orden.
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