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tipo del grado N de la producción del substrato del carburo de silicio de la oblea de 8inch DSP 4H sic para el experimento
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tipo del grado N de la producción del substrato del carburo de silicio de la oblea de 8inch DSP 4H sic para el experimento

Lugar de origen China
Nombre de la marca TANKBLUE
Certificación CE
Número de modelo 4h-n
Detalles del producto
Materiales:
SIC cristalino
Tipo:
4h-n
Pureza:
99.9995%
Resistencia:
los 0.015~0.028ohm.cm
Tamaño:
2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch
Grueso:
350um o modificado para requisitos particulares
MPD:
《2cm-2
Uso:
para el SBD, MOS Device
TTV:
《15um
arco:
《25um
deformación:
《45um
Superficie:
CMP de la Si-cara, P.M. de la c-cara
Alta luz: 

Sic substrato del carburo de silicio de la oblea

,

substrato de 8inch DSP sic

,

Tipo substrato de N del carburo de silicio

Descripción de producto

grado primero simulado de la producción de las obleas de 4inch 6inch 4H-N sic para electrónica de Crystal Quality For Demanding Power del semiconductor de las obleas del SBD MOS Device, de 4H-N 4inch 6inch sic alta, oblea del carburo de silicio de SIC del substrato del semiconductor de la marca de 4H-N 8inch TANKBLUE para el tipo solar de 4H oblea del grado N de la producción del substrato del carburo fotovoltaico, de silicio 8inch sic para la investigación y el experimento

 

 

Oblea Dopings:

  • Sin impurificar
  • Boro (b)
  • Galio (GA)
  • Arsénico (como)
  • Antimonio (Sb)
  • Dopado degeneradamente


Tipos de la oblea

  • P-tipo
  • N-tipo


8" orientaciones de la oblea de silicio

  • (100)
  • (111)
  • (110)
  • (112)
  • (531)
  • (311)
  • (211)

 

 

 

Ventajas del carburo de silicio

  • Dureza

Hay ventajas numerosas a usar el carburo de silicio sobre substratos de silicio más tradicionales. Una de las ventajas principales es su dureza. Esto da a material muchas ventajas, en velocidad, temperatura alta y/o usos de alto voltaje.

Las obleas del carburo de silicio tienen alta conductividad termal, que los medios ellos pueden transferir calor a partir de un punto a otro pozo. Esto mejora su conductividad eléctrica y en última instancia miniaturización, uno de los objetivos comunes de cambiar sic a las obleas.

  • Capacidades termales

Alta resistencia al choque termal. Esto significa que tienen la capacidad de cambiar temperaturas rápidamente sin la fractura o agrietarse. Esto crea una ventaja clara al fabricar los dispositivos pues es otra característica de la dureza que mejora el curso de la vida y el funcionamiento del carburo de silicio con respecto al silicio a granel tradicional.

 

Clasificación

  Los substratos del carburo de silicio sic se pueden dividir en dos categorías: substratos semi-aislados del carburo de silicio (la O.N.U-dopend de la pureza elevada y 4H-SEMI V-dopado) con la alta resistencia (resistorivity ≥107Ω·cm), y substratos conductores del carburo de silicio con resistencia baja (la gama de la resistencia es 15-30mΩ·cm).

tipo del grado N de la producción del substrato del carburo de silicio de la oblea de 8inch DSP 4H sic para el experimento 0tipo del grado N de la producción del substrato del carburo de silicio de la oblea de 8inch DSP 4H sic para el experimento 1tipo del grado N de la producción del substrato del carburo de silicio de la oblea de 8inch DSP 4H sic para el experimento 2

 

 

Especificación

 
Tamaño:
8inch;
Diámetro:
200mm±0.2;
Grueso:
500um±25;
Orientación superficial:
4 hacia [11-20] ±0.5°;
Orientación de la muesca:
[1-100] ±1°;
Profundidad de la muesca:
1±0.25m m;
Micropipe:
<1cm2>
Placas del hex.:
Ningunos permitieron;
Resistencia:
0.015~0.028Ω;
EPD:
<8000cm2>
TED:
<6000cm2>
BPD:
<2000cm2>
TSD:
<1000cm2>
SF:
área<1>
TTV
≤15um;
Deformación
≤40um;
Arco
≤25um;
Áreas polivinílicas:
el ≤5%;

 

Productos relacionados: Oblea del GaAs

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Cadena industrial

La cadena sic industrial del carburo de silicio se divide en la preparación material del substrato, el crecimiento de la capa epitaxial, la fabricación del dispositivo y usos rio abajo. Los monocristales del carburo de silicio son preparados generalmente por la transmisión física del vapor (método de PVT), y entonces las hojas epitaxiales son generadas por la deposición de vapor químico (método del CVD) en el substrato, y los dispositivos relevantes finalmente se hacen. En la cadena industrial sic de dispositivos, debido a la dificultad de la tecnología de fabricación del substrato, el valor de la cadena industrial se concentra principalmente en el vínculo por aguas arriba del substrato.

 

 

La compañía de ZMSH proporciona proporciona las obleas de 100m m y de 150m m sic. Con su dureza (sic está el segundo material más duro del mundo) y la estabilidad bajo calor y corriente de alto voltaje, este material está siendo ampliamente utilizado en varias industrias.

 

 

 

FAQ

 

Q: ¿Cuál es la manera de término del envío y del coste y de la paga?

: (1) aceptamos el 50% T/T por adelantado y dejamos el 50% antes de entrega por DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) si usted tiene su propia cuenta expresa, es grande. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.

La carga está de acuerdo con el acuerdo real.

 

Q: ¿Cuál es su MOQ?

: (1) para el inventario, el MOQ es 3pcs.

(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.

 

Q: ¿Puedo modificar los productos para requisitos particulares basados en mi necesidad?

: Sí, podemos modificar el material, las especificaciones y la forma para requisitos particulares, tamaño basado en sus necesidades.

 

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.

(2) para los productos especial-formados, la entrega es 4 workweeks después de que usted ponga la orden.

 

 

 

Éntrenos en contacto con en cualquier momento

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Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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