Detalles del producto
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: zmsh
Certificación: ISO9001
Número de modelo: descolorido transparente
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: por el caso modificado para requisitos particulares
Tiempo de entrega: 30days dentro
Condiciones de pago: T/T, T/T
Industria: |
substrato del semiconductor |
Materiales: |
sic cristal |
Uso: |
Obleas de la semilla |
Tipo: |
4H-N, o pureza elevada 4h-semi sin impurificar |
Color: |
Blanco |
Hardeness: |
9,4 para arriba |
Grado: |
Grado óptico |
Tamaño: |
Puede ser modificado para requisitos particulares |
Conductividad termal: |
4.9w/cm.k |
Industria: |
substrato del semiconductor |
Materiales: |
sic cristal |
Uso: |
Obleas de la semilla |
Tipo: |
4H-N, o pureza elevada 4h-semi sin impurificar |
Color: |
Blanco |
Hardeness: |
9,4 para arriba |
Grado: |
Grado óptico |
Tamaño: |
Puede ser modificado para requisitos particulares |
Conductividad termal: |
4.9w/cm.k |
grueso cristalino primero de la oblea 0.6m m de la semilla del carburo de silicio de SIC de la producción 6inch para sic el crecimiento
oblea descolorida sin impurificar o transparente de la pureza elevada de la lente sic óptica para la fuente de luz de Quantum
podemos proporcionamos la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en el diámetro 2 -6inch, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.
uso 1.material y advantagement
Usos:
• Dispositivo de la epitaxia de GaN
• Dispositivo optoelectrónico
• Dispositivo de alta frecuencia
• Dispositivo de poder más elevado
• Dispositivo de alta temperatura
• Diodos electroluminosos
• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda
PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
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Polytype
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Solo cristal 4H
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Solo cristal 6H
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Parámetros del enrejado
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a=3.076 Å
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a=3.073 Å
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c=10.053 Å
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c=15.117 Å
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Amontonamiento de secuencia
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ABCB
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ABCACB
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Banda-Gap
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eV 3,26
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eV 3,03
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Densidad
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3,21 · 103 kg/m3
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3,21 · 103 kg/m3
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Therm. Coeficiente de la extensión
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4-5×10-6/K
|
4-5×10-6/K
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Índice de la refracción
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ningunos = 2,719
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ningunos = 2,707
|
ne = 2,777
|
ne = 2,755
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Constante dieléctrica
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9,6
|
9,66
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Conductividad termal
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490 W/mK
|
490 W/mK
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Campo eléctrico de la avería
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2 – 4 · 108 V/m
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2 – 4 · 108 V/m
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Velocidad de deriva de la saturación
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2,0 · 105 m/s
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2,0 · 105 m/s
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Movilidad de electrón
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800 cm2/V·S
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400 cm2/V·S
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movilidad de agujero
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115 cm2/V·S
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90 cm2/V·S
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Dureza de Mohs
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~9
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FAQ:
Q: ¿Cuál es su MOQ y plazo de expedición?
: (1) para el inventario, el MOQ es 3pcs. si 5-10pcs él es mejor en 10-30days
(2) para 6inch modificó productos para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba en 30-50days
Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?
: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.
(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y fletar está de acuerdo con el acuerdo real.
Q: ¿Cómo pagar?
: T/T, 100%
Q: ¿Usted tiene productos estándar?
: no hay 6inch nuestros productos estándar en existencia.
pero como como el grueso 2sp de los substratos 4inch 0.33m m tenga algún en existencia