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Sic Wafer HPSI：High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

Nombre De La Marca:	ZMSH
Número De Modelo:	Oblea de SiC HPSI
MOQ:	25
Precio:	Fluctuates with market
Tiempo De Entrega:	2-4 semanas
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Shangai, China

Politito:

4H-SiC convencional

Diámetro:

4/6/8 pulgadas disponibles

Espesor:

Los tamaños estándar son 350 μm, 500 μm y 650 μm.

Resistividad:

≥1×10¹⁰ Ω・cm (especificación eléctrica central HPSI)

Tratamiento superficial:

Pulido espejo CMP por una o dos caras

Densidad de Micropipe:

Grado de producción en masa ≤1 ea/cm²

Descripción de producto

Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high

Etiquetas:

sic oblea

sic substrato

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