Detalles de los productos

Hogar PRODUCTOS

4H-N SiC: Pulido SSP/DSP de espesor personalizado disponible Inversores fotovoltaicos y de almacenamiento de energía

Name: 4H-N SiC: Pulido SSP/DSP de espesor personalizado disponible Inversores fotovoltaicos y de almacenamiento de energía
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 4H-N SiC
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	ZMSH
Número De Modelo:	4H-N SiC
MOQ:	25
Precio:	Fluctuates with market
Tiempo De Entrega:	4-9 semanas
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Shangai, China

Materia prima:

SIC

Tamaño:

Modificado para requisitos particulares según el dibujo

Espesor:

Personalizado

Forma:

Formas redondas, cuadradas o personalizadas

Superficie:

Pulido o según aplicación

Ubicación de muescas:

Cantidad, tamaño y posición personalizables

Descripción de producto

Información sobre el 4H-N SiC

Esta oblea de carburo de silicio de tipo 4H-N (4H-N SiC) de alta pureza es un sustrato de cristal único fabricado para la fabricación de dispositivos de semiconductores de potencia que requieren un alto voltaje de ruptura,alta conductividad térmicaEl producto se caracteriza por un cuerpo circular de un solo cristal, un control de espesor preciso, una superficie pulida y lista para epi,con una orientación cristalográfica controlada fuera del eje, y un borde de obleas cuidadosamente perfilado.

En lugar de ser un simple disco plano, la oblea incorpora varios parámetros de material controlados con precisión que pueden proporcionar un crecimiento epitaxial consistente, un rendimiento confiable del dispositivo,características eléctricas uniformesLa superficie preparada para epi ofrece una base con un mínimo de defectos para la posterior deposición epitaxial.mientras que la orientación controlada fuera del eje puede ayudar con el crecimiento del flujo paso a paso y mantener la calidad cristalina definida en todo el área del dispositivo activo. 4H-N SiC: Pulido SSP/DSP de espesor personalizado disponible Inversores fotovoltaicos y de almacenamiento de energía

La especificación de la oblea incluye varios parámetros personalizables y controles de tolerancia. Estos pueden diseñarse para que coincidan con los procesos de fabricación del dispositivo correspondiente, los requisitos de crecimiento epitaxial,normas de equipos de litografíaDiámetro, grosor, ángulo fuera del eje, rango de resistividad, concentración de dopante, acabado de superficie, perfil de borde, planitud (TTV),y la proa / curvatura pueden ser personalizados de acuerdo con la especificación técnica del cliente.

Esta oblea 4H-N SiC es adecuada para MOSFET de potencia, diodos de barrera Schottky, IGBT, transistores de unión bipolar y otros dispositivos de semiconductores de potencia utilizados en inversores de tracción de vehículos eléctricos,convertidores de energía renovable (solar y eólica), motores industriales, fuentes de alimentación ininterrumpidas, sistemas de conmutación de alto voltaje,y aplicaciones electrónicas de alta temperatura en las que los sustratos de silicio convencionales puedan encontrarse con tensión de ruptura, conductividad térmica o limitaciones de frecuencia de conmutación.

Especificaciones técnicas

Punto de trabajo	Especificación
Producto	4H-N SiC Substrato / oblea
El material	Cristales únicos de carburo de silicio de tipo 4H N
Método de crecimiento	Transporte físico de vapor (PVT)
Estructura de cristal	Hexagonal (4H-SiC politipo)
Diámetro	4" / 6" / 8" o personalizado
El grosor	Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de los componentes de las máquinas de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de los componentes de las máquinas de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de los componentes de las máquinas de ensamblaje.
Orientación	(0001) Caras de Si / Caras de C, ángulo fuera del eje personalizable (típicamente 4° / 8° hacia <11-20>)
Finalización de la superficie	Se aplicará el método de ensayo de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de las pruebas de ensayo en el caso de los ensayos de ensayo en el caso de los ensayos de ensayo en el caso de los ensayos de ensayo en el caso de los ensayos de ensayo en el caso de ensayo en el caso de ensayo en el caso de ensayo en el caso de ensayo en el caso de ensayo en el caso de ensayo en el caso de ensayo en el caso de ensayo en el caso de ensayo en el caso de ensayo en el caso de ensayo.
Calidad de la superficie	El método de simulación de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el impacto de las emisiones de gases de efecto invernadero en el medio ambiente.
TTV (variación del grosor total)	≤ 5 μm (o según las necesidades del cliente)
Arco / Warp	Polished: ≤ 0,2 nm / Lapped: ≤ 0,5 μm
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.	Polished: ≤ 0,2 nm / Lapped: ≤ 0,5 μm
Tipo de borde	Se ha hecho en forma de tramos o redondeado según sea necesario
Duración plana	Personalizado (por estándar SEMI o dibujo del cliente)
Perfil del borde	Se ha hecho en forma de tramos o redondeado según sea necesario
Agregante / Pureza	Nitrogen doped N-tipo, cristal único de alta pureza
Revestimiento	No revestido / recubrimiento funcional personalizado disponible bajo petición
Aplicación	MOSFET de potencia, SBD, inversor de tracción de vehículos eléctricos, convertidor de energía renovable, fuente de alimentación industrial, electrónica de alta temperatura

¿Por qué elegir sustratos 4H-N SiC para aplicaciones de semiconductores de potencia?

Los sustratos 4H-N SiC son materiales básicos avanzados de núcleo de banda ancha ampliamente utilizados en la epitaxia de semiconductores de potencia, fabricación de dispositivos electrónicos de alto voltaje,y sistemas de procesamiento de energía de nueva energíaAl servir como el transportador óptimo para el crecimiento de la capa epitaxial de GaN y SiC, operan en entornos de fabricación extremos con voltaje ultra alto, conmutación de alta frecuencia, carga de corriente pesada,y operación a altas temperaturas de larga duración.

En comparación con el silicio tradicional, el zafiro y los materiales de sustrato cerámico comunes, los sustratos de SiC 4H-N de cristal único de alta pureza integran propiedades físicas y eléctricas integrales superiores,que los convierte en insustituibles para los semiconductores de alta potencia y los procesos industriales de nuevas energíasLas principales ventajas incluyen:

Estabilidad extrema a altas temperaturas: Con un punto de fusión de hasta 2830°C, mantiene una estructura cristalina estable y un rendimiento eléctrico bajo condiciones de epitaxia a altas temperaturas, recocido y mantenimiento del dispositivo a largo plazo,Evita eficazmente el fallo del sustrato y la fuga térmica del dispositivo de alimentación. 4H-N SiC: Pulido SSP/DSP de espesor personalizado disponible Inversores fotovoltaicos y de almacenamiento de energía

Válvulas de corte de alta tensión: Con un campo eléctrico de degradación 10 veces mayor que los materiales de silicio, el 4H-N SiC admite el diseño de dispositivos de ultraalta tensión, reduciendo en gran medida el grosor del chip y el tamaño de los

y lograr la miniaturización de los módulos de alta potencia.

Conductividad térmica superiorCon una conductividad térmica 3×4 veces superior a la del silicio, disipa rápidamente el calor de funcionamiento de los dispositivos de potencia.reducción efectiva de la temperatura de las uniones y mejora de la estabilidad de funcionamiento continuo del equipo.

Excelente rendimiento de alta frecuencia: La baja pérdida de conmutación y la baja capacidad parasitaria permiten un funcionamiento estable en condiciones de conmutación de alta frecuencia, mejorando significativamente la energía

gy eficiencia de conversión para equipos de alta potencia.

Características conductoras estables de tipo N: El dopaje uniforme de nitrógeno proporciona una conductividad constante de baja resistividad, lo que garantiza una excelente conducción de corriente y rendimiento de puesta a tierra para los dispositivos de potencia vertical.

Resistencia química y plasmática superior: Resiste la corrosión de varios gases de proceso de semiconductores y ambientes de grabado de plasma fuertes, manteniendo un estado superficial ultraestable durante la epitaxia, el grabado y la deposición de películas finas.

Confiabilidad a largo plazo y resistencia a la radiación: Con una excelente estabilidad estructural y capacidad antirradiación, se adapta a las duras condiciones de trabajo de los vehículos de nuevas energías, los equipos aeroespaciales e industriales de alta potencia,prolongación de la vida útil del dispositivo.

Por las razones anteriores, los sustratos de SiC 4H-N se han convertido en el material principal preferido para los MOSFET de potencia para automóviles, los diodos Schottky, los inversores fotovoltaicos, los módulos de energía de almacenamiento de energía,y otros componentes centrales de semiconductores de alta eficiencia de potencia.

Fabricación de sustratos de SiC 4H-N a medida

Nos especializamos en la fabricación de sustratos 4H-N SiC personalizados y estandarizados para semiconductores de potencia y equipos optoelectrónicos,centrándose en soluciones personalizadas de alta precisión para la producción industrial en masa y la I+D de laboratorioRompemos las limitaciones de las especificaciones estándares fijas y personalizamos los sustratos de SiC completamente de acuerdo con los parámetros reales del proceso de epitaxia de los clientes,requisitos de fabricación de obleas y normas de diseño de dispositivos.

Las opciones de personalización completas abarcan los parámetros del sustrato de proceso completo y las estructuras de soporte:

Parámetros del núcleo del sustrato 4H-N SiC

Diámetro de la oblea (2/4/6/8 pulgadas y tamaños especiales personalizados)

espesor del sustrato

Orientación de los cristales (cara Si / cara C, ángulo fuera del eje personalizable 0° ∼8°)

Intervalo de resistividad y concentración de doping de nitrógeno

Forma de los bordes y especificaciones de las chanferías

Diseño de posicionamiento plano/noche

Indicadores de rugosidad, planitud, TTV y de curvatura/arco de la superficie

Requisitos de doble cara o de una sola cara pulida (SSP/DSP)

Tratamiento de superficies ultralimpias y tratamiento para aliviar el estrés

Compatibilidad de los componentes estructurales

Personalización del tamaño de los accesorios para portadores de obleas

Procesamiento de agujeros y ranuras de posicionamiento

Base y estructura de la funda de acoplamiento de metal

Especificaciones de las interfaces de montaje y fijación

Confección integrada de sustratos y piezas auxiliares

Podemos proporcionar componentes integrados terminados ensamblados con sustratos 4H-N SiC y piezas metálicas / cerámicas compatibles para satisfacer las necesidades de instalación y uso directos de los clientes.

Servicio de ingeniería inversa y de reemplazo

Para sustratos de SiC 4H-N descontinuados, obleas originales difíciles de obtener y sustratos no estándar personalizados para equipos especiales de proceso de semiconductores,Proporcionamos servicios profesionales de ingeniería inversa y fabricación de reemplazosLos clientes pueden proporcionar la siguiente información para la evaluación y cotización:

Número de pieza del equipo original

Dibujos técnicos detallados y especificaciones de parámetros

Fotos claras del producto y muestras físicas (nuevas/utilizadas)

Datos de los parámetros dimensionales clave, cristalinos y eléctricos

Modelo de equipo de epitaxia de apoyo e información de lote

Escenarios de aplicación específicos y parámetros del entorno de proceso

Nuestro equipo de ingeniería profesional llevará a cabo una evaluación completa sobre la calidad del cristal del sustrato, el rendimiento eléctrico,Dificultad de procesamiento y viabilidad de fabricación antes de la cotización formalTodos los sustratos de SiC de reemplazo personalizados serán optimizados para la compatibilidad epitaxi y el rendimiento del dispositivo.El rendimiento final de coincidencia se confirmará de acuerdo con las normas reales de configuración del equipo y del proceso de producción de los clientes para garantizar una diferencia cero en el efecto de uso..

Control de calidad

Implementamos una inspección de calidad de precisión de proceso completo para todos los sustratos 4H-N SiC,y puede proporcionar artículos de inspección dirigidos y informes completos de pruebas de acuerdo con los requisitos del proyecto del cliente y las normas de la industria SEMILos contenidos básicos de las inspecciones incluyen:

Inspección de precisión en dimensiones completas (diámetro, grosor, calibración de las tolerancias)

Detección de la precisión de la orientación de los cristales y del ángulo fuera del eje 4H-N SiC: Pulido SSP/DSP de espesor personalizado disponible Inversores fotovoltaicos y de almacenamiento de energía

Ensayo de uniformidad de la resistividad y de concentración de dopaje

Pruebas de planitud de la superficie, TTV, de arco/formación y de rugosidad

Inspección de defectos visuales (rasguños, hoyos, grietas, inclusiones de politipos)

La limpieza de la superficie y la detección de esfuerzos internos

Inspección de la precisión de montaje y de las tolerancias correspondientes

Inspección profesional de los envases de obleas a prueba de polvo y de colisiones

Se pueden proporcionar informes formales de inspección con datos completos de los ensayos para apoyar la verificación de los materiales entrantes del cliente y la trazabilidad de la calidad de la producción..

¿Qué información debe enviar para obtener un presupuesto?

Para garantizar una cotización precisa y acortar el ciclo de entrega, proporcione los siguientes datos detallados:

información al consultar:

Dibujos técnicos completos del producto y fichas de parámetros

Requisitos de diámetro, grosor y tolerancia del sustrato

Orientación del cristal, ángulo fuera del eje y rango de resistividad

Requisitos de acabado de la superficie, grado de pulido y limpieza

Parámetros de los componentes auxiliares correspondientes (en su caso)

Marca, modelo y condiciones del proceso de apoyo del equipo de epitaxia

Número original de la pieza OEM, si está disponible

Cantidad requerida y demanda de lotes

Proceso de solicitud específico y requisitos ambientales extremos

Si no se dispone de dibujos técnicos completos, proporcione fotos claras de alta definición y muestras físicas del sustrato de SiC para que nuestro equipo realice pruebas de parámetros y evaluación del esquema.

Preguntas frecuentes

¿Para qué se utilizan principalmente los sustratos de 4H-N SiC?

Los sustratos de SiC 4H-N son materiales portadores de banda ancha para la fabricación de semiconductores de potencia, utilizados principalmente en MOSFET de SiC, diodos de barrera de Schottky, módulos de potencia de alto voltaje,sistemas de control eléctrico de vehículos de nueva energía, inversores de energía eólica fotovoltaica, fuentes de alimentación industriales de alta frecuencia y dispositivos electrónicos aeroespaciales de alta temperatura, adecuados para alta tensión,Procesos de epitaxia y fabricación de chips de alta frecuencia y de alto flujo térmico.

¿Puede suministrar piezas personalizadas de montaje de sustrato SiC integrado?

Sí, además de las obleas de sustrato de SiC 4H-N, podemos personalizar varios accesorios de obleas, bases metálicas,componentes de posicionamiento y conjuntos integrados acabados de acuerdo con los dibujos y los requisitos de muestra, realizando un único punto de apoyo de suministro.

¿Puede producir sustratos de SiC de reemplazo para equipos viejos y especiales?

Apoyamos el servicio completo de fabricación personalizada incluyendo la producción basada en dibujos y la ingeniería inversa de muestras.muestras físicas e información sobre el equipo, y nuestro equipo completará el ajuste de rendimiento y la fabricación alternativa.

¿Se pueden personalizar todos los parámetros centrales de los sustratos 4H-N SiC?

Sí, todos los parámetros clave incluyendo el tamaño de la oblea, el grosor, la orientación del cristal, el ángulo fuera del eje, la resistividad, el procesamiento de los bordes,La rugosidad y la planitud de la superficie se pueden personalizar completamente según los requisitos del proceso de epitaxia del cliente para satisfacer las necesidades personalizadas de I + D y producción en masa..

¿Apoya el pedido de pequeños lotes y prototipos?

Sí, apoyamos totalmente el desarrollo de prototipos, pruebas de laboratorio de pequeños lotes, mantenimiento de equipos de reemplazo y pedidos de producción en serie.Evaluaremos el esquema de producción y cotización de acuerdo con parámetros personalizados y dificultad de procesamiento.

Productos relacionados

4 pulgadas 6 pulgadas 4H-N 500mm 350um SIC oblea de carburo de silicio sic Substrato Prime Dummy Grade

Substrato SiC de 6 pulgadas 8 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR de grado óptico

Etiquetas:

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

El alambre vio la máquina

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Oblea del nitruro del galio

Oblea del GaAs