Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Wafers de GaN sobre Si
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
Capa de GaN en el sustrato sI |
Tamaño: |
4 pulgadas, 6 pulgadas 8 pulgadas |
orientación: |
Se trata de: |
El grosor: |
500um/ 650um |
Dureza: |
9.0 Mohs |
Personalización: |
Apoyo |
El material: |
Capa de GaN en el sustrato sI |
Tamaño: |
4 pulgadas, 6 pulgadas 8 pulgadas |
orientación: |
Se trata de: |
El grosor: |
500um/ 650um |
Dureza: |
9.0 Mohs |
Personalización: |
Apoyo |
GaN en la oblea compuesta de Si, oblea de Si, oblea de silicio, oblea compuesta, GaN en el sustrato de Si, sustrato de carburo de silicio, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, capa de nitruro de galio (GaN) en el sustrato de silicio (Si)
Características del GaN en la oblea de Si
Más sobre el GaN en la oblea de Si
GaN-on-Si es un material semiconductor que combina las ventajas del nitruro de galio (GaN) y el silicio (Si).
GaN tiene las características de una amplia banda, alta movilidad de electrones y resistencia a altas temperaturas, lo que lo hace tener una ventaja significativa en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
Sin embargo, los dispositivos GaN tradicionales generalmente se basan en materiales de sustrato caros como zafiro o carburo de silicio.
Por el contrario, GaN-on-Si utiliza obleas de silicio más grandes y de menor costo como sustratos, lo que reduce en gran medida los costes de producción y mejora la compatibilidad con los procesos existentes basados en silicio.
Este material se utiliza ampliamente en electrónica de potencia, dispositivos de RF y optoelectrónica.
Por ejemplo, los dispositivos GaN-on-Si han mostrado un excelente rendimiento en la gestión de energía, las comunicaciones inalámbricas y la iluminación de estado sólido.
Además, con el avance de la tecnología de fabricación, se espera que GaN-on-Si reemplace los dispositivos tradicionales a base de silicio en una gama más amplia de aplicaciones,promoción de la miniaturización y eficiencia de los dispositivos electrónicos.
Más detalles deGaN en Siuna oblea
| Categoría de parámetros | Parámetro | Valor/rango | En el caso de la |
| Propiedades del material | Ancho de banda de GaN | 3.4 eV | Semiconductores de banda ancha, adecuados para aplicaciones de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia |
| ancho de banda de silicona (Si) | 1.12 eV | El silicio como material de sustrato proporciona una mejor rentabilidad | |
| Conductividad térmica | 130-170 W/m·K | La conductividad térmica de la capa de GaN y el sustrato de silicio es de aproximadamente 149 W/m·K | |
| Movilidad de los electrones | Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2 | La movilidad electrónica de la capa de GaN es mayor que la del silicio | |
| Constante dieléctrica | 9.5 (GaN), 11.9 (Si) | Constantes dieléctricas de GaN y silicio | |
| Coeficiente de expansión térmica | 5Se aplicarán las siguientes medidas: | Los coeficientes de expansión térmica del GaN y el silicio no coinciden, lo que puede causar estrés. | |
| Constante de red | 3.189 Å (GaN), 5.431 Å (Si) | Las constantes de la red de GaN y Si no coinciden, lo que puede conducir a dislocaciones. | |
| Densidad de dislocación | 108-109 cm−2 | Densidad de dislocación típica de una capa de GaN, según el proceso de crecimiento epitaxial | |
| Dureza mecánica | 9 de Mohs | La dureza mecánica del nitruro de galio proporciona resistencia al desgaste y durabilidad | |
| Especificaciones de las obleas | Diámetro de la oblea | 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas | Tamaños comunes de las obleas de GaN-on-Si |
| espesor de la capa de GaN | 1 a 10 μm | Depende de los requisitos específicos de la aplicación | |
| espesor del sustrato | 500-725 μm | espesor típico del sustrato de silicio, soportando la resistencia mecánica | |
| La rugosidad de la superficie | < 1 nm RMS | La rugosidad de la superficie después del pulido garantiza un crecimiento epitaxial de alta calidad | |
| Alturas de los escalones | < 2 nm | La altura del paso de la capa de GaN afecta el rendimiento del dispositivo | |
| Página de guerra | < 50 μm | La curvatura de la oblea afecta a la compatibilidad del proceso de fabricación | |
| Propiedades eléctricas | Concentración de electrones | 1016 a 1019 cm−3 | Concentración de doping de tipo n o p de la capa de GaN |
| Resistencia | 10−3-10−2 Ω·cm | Resistividad típica de las capas de GaN | |
| Descomposición del campo eléctrico | 3 MV/cm | La alta intensidad del campo eléctrico de descomposición de la capa GaN es adecuada para dispositivos de alto voltaje | |
| Rendimiento óptico | longitud de onda de la emisión | 365 a 405 nm (luz UV/luz azul) | La longitud de onda de emisión de los materiales GaN, utilizados en dispositivos optoelectrónicos como LED y láseres |
| Coeficiente de absorción | ~ 104 cm−1 | Coeficiente de absorción del material de GaN en el rango de luz visible | |
| Propiedades térmicas | Conductividad térmica | 130-170 W/m·K | La conductividad térmica de la capa de GaN y el sustrato de silicio es de aproximadamente 149 W/m·K |
| Coeficiente de expansión térmica | 5Se aplicarán las siguientes medidas: | Los coeficientes de expansión térmica del GaN y el silicio no coinciden, lo que puede causar estrés. | |
| Propiedades químicas | Estabilidad química | muy alto | El nitruro de galio tiene una buena resistencia a la corrosión y es adecuado para ambientes hostiles |
| Tratamiento de la superficie | Sin polvo y sin contaminación | Requisitos de limpieza de la superficie de la oblea de GaN | |
| Propiedades mecánicas | Dureza mecánica | 9 de Mohs | La dureza mecánica del nitruro de galio proporciona resistencia al desgaste y durabilidad |
| Módulo de Young | Se aplicarán las siguientes medidas: | El módulo de Young de GaN y silicio, que afecta a las propiedades mecánicas del dispositivo | |
| Parámetros de producción | Método de crecimiento epitaxial | Se trata de los siguientes tipos de productos: | Métodos comunes para el crecimiento epitaxial de capas de GaN |
| Rentabilidad | Depende del control del proceso y del tamaño de la oblea. | La tasa de rendimiento se ve afectada por factores como la densidad de dislocación y la curvatura | |
| Temperatura de crecimiento | 1000 a 1200°C | Temperaturas típicas para el crecimiento epitaxial de las capas de GaN | |
| Tasa de enfriamiento | Refrigeración controlada | Para evitar el estrés térmico y la deformación, la velocidad de enfriamiento generalmente se controla |
Muestras deGaN en Siuna oblea
*Mientras tanto, si usted tiene cualquier otro requisito, por favor no dude en ponerse en contacto con nosotros para personalizar uno.
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Preguntas frecuentes
1P: ¿Qué pasa con el costo del GaN en las obleas de Si en comparación con otras obleas?
R: En comparación con otros materiales de sustrato, como el carburo de silicio (SiC) o el zafiro (Al2O3), las obleas de GaN a base de silicio tienen obvias ventajas de coste, especialmente en la fabricación de obleas de gran tamaño.
2P: ¿Qué pasa con las perspectivas futuras de GaN en las obleas de Si?
R: Las obleas GaN sobre Si están reemplazando gradualmente a la tecnología tradicional basada en silicio debido a su rendimiento electrónico superior y rentabilidad,y están desempeñando un papel cada vez más importante en muchos de los campos anteriores.
