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Oblea del nitruro del galio

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Oblea del nitruro del galio

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Porcelana obleas de GaN-EN-SIC EPI de la oblea del nitruro del galio de 4inch 6inch fábrica

obleas de GaN-EN-SIC EPI de la oblea del nitruro del galio de 4inch 6inch

obleas de la capa del GaN-EN-Si EPI de las obleas de la capa de 4inch 6inch GaN-EN-SIC EPI Alrededor GaN-en-GaN la característica de GaN-en-SIC introduzca Oblea epitaxial de GaN: Según los diversos substratos, ... Leer más
2022-10-28 09:52:04
Porcelana Semiconductor derecho libre GaN Substrates de la oblea del nitruro del galio fábrica

Semiconductor derecho libre GaN Substrates de la oblea del nitruro del galio

oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos libres para el applicaion del LED, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de la situación de HVPE GaN 2inch GaN-EN... Leer más
2022-08-02 11:43:29
Porcelana 2 pulgadas DSP solo Crystal Gallium Nitride Wafer Free que coloca a GaN Substrates fábrica

2 pulgadas DSP solo Crystal Gallium Nitride Wafer Free que coloca a GaN Substrates

B2inch GaN-EN-GaN las obleas verdes azules del epi Micro-LED en los substratos libres de GaN 2inch DSP SSP GaN-EN-GaN las obleas azules del HEMT en los substratos libres de GaN Alrededor GaN-en-GaN caracter... Leer más
2022-04-14 16:25:11
Porcelana Oblea del nitruro del galio de la oblea de GaN de la eficacia de poder más elevado para la iluminación económica de energía fábrica

Oblea del nitruro del galio de la oblea de GaN de la eficacia de poder más elevado para la iluminación económica de energía

oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos derechos libres para el applicaion del LED, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de HVPE GaN Sobre la caracter... Leer más
2022-04-09 13:26:09
Porcelana Substrato de HVPE GaN u oblea de GaN Template EPI para los usos del RF fábrica

Substrato de HVPE GaN u oblea de GaN Template EPI para los usos del RF

oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos libres para el applicaion del LED, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de la situación de HVPE GaN Sobre GaN ... Leer más
2022-04-09 13:24:08
Porcelana los substratos del orSapphire del GaN-en-zafiro 6Inch basaron el HEMT llevado azul de la Epi-oblea fábrica

los substratos del orSapphire del GaN-en-zafiro 6Inch basaron el HEMT llevado azul de la Epi-oblea

el azul del GaN-EN-zafiro de 2inch 4inch 6inch llevó la epi-oblea PSS para el HEMT Como un fabricante y proveedor principales de las obleas del epi de GaN (nitruro del galio), ofrecemos 2-6inch GaN en las ... Leer más
2022-04-09 13:23:16
Porcelana 10X10m m sin impurificar M-AXIS HVPE GAN Wafers For semiconductor fábrica

10X10m m sin impurificar M-AXIS HVPE GAN Wafers For semiconductor

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2021-07-28 16:27:01
Porcelana Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser fábrica

Oblea cristalizada del nitruro del galio de HVPE GaN para el dispositivo del laser

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2021-07-20 15:14:38
Porcelana Grueso de GaN Wafer 350um del nitruro del galio de la exhibición de la proyección del laser fábrica

Grueso de GaN Wafer 350um del nitruro del galio de la exhibición de la proyección del laser

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2020-12-19 20:55:01
Porcelana 2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado fábrica

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado

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2020-12-19 20:52:21
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