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Semi - oblea aislador sin impurificar HVPE del nitruro del galio y tipo de la plantilla
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Semi - oblea aislador sin impurificar HVPE del nitruro del galio y tipo de la plantilla

Lugar de origen China
Nombre de la marca zmsh
Número de modelo GaN-001
Detalles del producto
Materiales:
Solo cristal de GaN
industria:
Oblea de semiconductor, LED
Aplicación:
dispositivo de semiconductor, oblea del LD, oblea del LED, detector del explorador, laser,
Tipo:
semi tipo dopado la O.N.U
Personalizado:
AUTORIZACIÓN
Tamaño:
2inch o pequeño modificado para requisitos particulares
Espesor:
330um
Alta luz: 

substrato gan

,

plantilla gan

Descripción de producto

oblea de GaN del nitruro del galio del método de 2inch HVPE, substratos derechos libres para el LD, microprocesadores de GaN del tamaño de 10x10m m, oblea de GaN de HVPE GaN

 

Sobre la característica de GaN introduzca

La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alta temperatura y altas del manejo de la potencia ha hecho        

la industria del semiconductor repiensa la opción de los materiales usados como semiconductores. Por ejemplo,                      

mientras que se presentan los diversos dispositivos computacionales más rápidos y más pequeños, el uso del silicio está haciendo difícil sostener la ley de Moore. Pero también en oblea de la electrónica de poder, así que de semiconductor de GaN se crece hacia fuera para la necesidad.              

 Debido a su voltaje de avería único de las características (alto actual máximo, alto, y alta frecuencia que cambia), nitruro GaN del galio es el material único de la opción para solucionar los problemas de energía del futuro.         GaN basó sistemas tiene eficacia de mayor potencia, los apagones así de reducción, cambian en una frecuencia más alta, así reduciendo tamaño y el peso.                                                                                                                              

La tecnología de GaN se utiliza en usos de alta potencia numerosos tales como fuentes industriales, del consumidor y del servidor de alimentación, impulsión solar, de la CA e inversores de UPS, y coches híbridos y eléctricos. Además,                       

GaN se adapta idealmente para los usos del RF tales como estaciones base, radares y televisión por cable celulares                             

infraestructura en los sectores del establecimiento de una red, del espacio aéreo y de la defensa, gracias a su alta fuerza de la avería,      

figura de poco ruido y altas linearidades.

 

 

 

 

 

 

 

2" substratos de GaN  
Artículo GAN-FS-n GAN-FS-SI
Dimensiones ± 1m m de Ф 50.8m m
Densidad del defecto de Marco Un nivel ≤ 2 cm-2
Nivel de B > 2 cm-2
Grueso 330 µm del ± 25
Orientación ± 0.5° de C-AXIS (0001)
Orientación plana ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1.0m m
Orientación secundaria plana ± 3°, 8,0 ± 1.0m m (de 11-20)
TTV (variación total del grueso) µm ≤15
ARCO µm ≤20
Tipo de la conducción N-tipo Semiaislante
Resistencia (300K) < 0=""> >106 Ω·cm
Densidad de dislocación Menos que 5x106 cm-2
Superficie usable > el 90%
Polaco Superficie delantera: Ra < 0="">
Superficie trasera: Tierra fina
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

 

Semi - oblea aislador sin impurificar HVPE del nitruro del galio y tipo de la plantilla 0

Usos

  1. - Diversos LED: LED blanco, LED violeta, LED ultravioleta, LED azul
  2. - Diodos láser: LD violeta, LD verde para los proyectores ultra pequeños.
  3. - Dispositivos electrónicos del poder
  4. - Dispositivos electrónicos de alta frecuencia
  5. - Detección ambiental
  6. Uso del ■
  7. Substratos para el crecimiento epitaxial por MOCVD etc.

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86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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