Semi - oblea aislador sin impurificar HVPE del nitruro del galio y tipo de la plantilla

La demanda creciente para las capacidades de alta velocidad, das alta temperatura y altas del manejo de la potencia ha hecho

la industria del semiconductor repiensa la opción de los materiales usados como semiconductores. Por ejemplo,

mientras que se presentan los diversos dispositivos computacionales más rápidos y más pequeños, el uso del silicio está haciendo difícil sostener la ley de Moore. Pero también en oblea de la electrónica de poder, así que de semiconductor de GaN se crece hacia fuera para la necesidad.

Debido a su voltaje de avería único de las características (alto actual máximo, alto, y alta frecuencia que cambia), nitruro GaN del galio es el material único de la opción para solucionar los problemas de energía del futuro. GaN basó sistemas tiene eficacia de mayor potencia, los apagones así de reducción, cambian en una frecuencia más alta, así reduciendo tamaño y el peso.

La tecnología de GaN se utiliza en usos de alta potencia numerosos tales como fuentes industriales, del consumidor y del servidor de alimentación, impulsión solar, de la CA e inversores de UPS, y coches híbridos y eléctricos. Además,

GaN se adapta idealmente para los usos del RF tales como estaciones base, radares y televisión por cable celulares

infraestructura en los sectores del establecimiento de una red, del espacio aéreo y de la defensa, gracias a su alta fuerza de la avería,

figura de poco ruido y altas linearidades.