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2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: zmkj

Número de modelo: GaN-plantillas

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 5pc

Precio: by case

Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados

Tiempo de entrega: 2-4 semanas

Condiciones de pago: L / C, T / T

Consiga el mejor precio
Resaltar:

substrato gan

,

plantilla gan

Material:
Epi de GaN en el portador del zafiro
Método:
HVPE
Tamaño:
2inch
Grueso:
430um
Industria:
LD, llevado, dispositivo del laser, detector,
Superficie:
solo lado pulido
Material:
Epi de GaN en el portador del zafiro
Método:
HVPE
Tamaño:
2inch
Grueso:
430um
Industria:
LD, llevado, dispositivo del laser, detector,
Superficie:
solo lado pulido
2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado

plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea de GaN del nitruro del galio del mocvd GaN,

Especificaciones de GaN/características especiales:

  1. El nitruro del galio (GaN) es un material hecho muy duro que tiene una wurzita la estructura cristalina y es probablemente el material más importante del semiconductor como el material de la tercera generación semi.
  2. Puede ser utilizado para emitir la luz brillante bajo la forma de diodos electroluminosos (LED) y diodos láser, así como para ser el material dominante para el de alta frecuencia de la siguiente generación, transistores de poder más elevado capaces del funcionamiento en las temperaturas altas.
  3. GaN basó la oblea epitaxial (zafiro, sic) que las obleas epitaxiales son crecidas por método del MBE o del MOCVD, una capa o las estructuras de múltiples capas en los substratos del zafiro, diámetro hasta 4 pulgadas.

Cubierta prohibida del ancho de banda del III-nitruro (GaN, AlN, mesón) (luminescente y absorción) el ultravioleta,

la luz visible e infrared.GaN se pueden utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía

y proyección de imagen, exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre para llevado 0

Especificaciones:

2" plantillas de GaN

Artículo

GaN-T-N

GaN-T-S

Dimensiones

Ф 2"

Grueso

15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40

30 μm, μm 90

Orientación

± 1° de C-AXIS (0001)

Tipo de la conducción

N-tipo

Semiaislante

Resistencia (300K)

< 0="">Ω·cm

>106 Ω·cm

Densidad de dislocación

Menos que los cm2s 1x108

Estructura del substrato


GaN grueso en el zafiro 430um o 330um (0001)

Superficie usable

> el 90%

Polaco

Estándar: Opción del SSP: DSP

Paquete

Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en casetes de 25pcs o de solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

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- FAQ –
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(1) aceptamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF por el MANDO.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
(1) para los productos estándar tales como oblea de 2inch 0.33m m.
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
Q: ¿Cómo pagar?
100%T/T por adelantado, Paypal, unión del oeste, MoneyGram,