logo
PRODUCTOS
PRODUCTOS
Hogar > PRODUCTOS > Oblea del nitruro del galio > 10x10mm 10x15mm 001 Óxido de galio substrato de GaO Mg doping Ga2O3 Oblea de nitruro de galio

10x10mm 10x15mm 001 Óxido de galio substrato de GaO Mg doping Ga2O3 Oblea de nitruro de galio

Detalles del producto

Lugar de origen: CHINA

Nombre de la marca: zmsh

Certificación: ROHS

Número de modelo: Substratos de Gao

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10pcs

Precio: by case

Detalles de empaquetado: Película del ANIMAL DOMÉSTICO en sitio de limpieza de 100 grados

Tiempo de entrega: 1-4weeks

Capacidad de la fuente: 500pcs/month

Consiga el mejor precio
Resaltar:

Substrato del óxido Ga2O3 del galio

,

Solo substrato de Crystal Ga 2O3

,

Oblea del nitruro del galio Ga2O3

Industria:
oblea del semicondutor para el ld o llevada
Aplicación:
el substrato del semiconductor, llevó el microprocesador, ventana de cristal óptica, substratos del
tamaño:
Personalizado
Superficie:
CMP/grabado al agua fuerte
dopado:
Si-dopado
Cuota de producción:
10 PCS
Grado:
grado de la investigación/grado simulado
Industria:
oblea del semicondutor para el ld o llevada
Aplicación:
el substrato del semiconductor, llevó el microprocesador, ventana de cristal óptica, substratos del
tamaño:
Personalizado
Superficie:
CMP/grabado al agua fuerte
dopado:
Si-dopado
Cuota de producción:
10 PCS
Grado:
grado de la investigación/grado simulado
10x10mm 10x15mm 001 Óxido de galio substrato de GaO Mg doping Ga2O3 Oblea de nitruro de galio

doping del magnesio del substrato de Gao del óxido del galio 001 de 10x15m m

estructura del monoclinal del substrato del óxido del galio de 10x10m m
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Detalle de la especificación
Orientación 100 100 100
Doping UID Magnesio FE
parámetro eléctrico
1×1017~3×1018cm-3
≥1010Ω·cm ≥1010Ω·cm
arco segundo
≤150 ≤150 ≤150
densidad de dislocación cm2s <1×105 cm2s <1×105 cm2s <1×105

10x10mm 10x15mm 001 Óxido de galio substrato de GaO Mg doping Ga2O3 Oblea de nitruro de galio 0


SOBRE NUESTRO ZMKJ

ZMKJ localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China, y se funda nuestra fábrica
en la ciudad de Wuxi en 2014. Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, substratos
y custiomized parts.components de cristal óptico ampliamente utilizado en la electrónica, la óptica,
optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales
y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares
y servicios para sus proyectos del R&D.
Productos relacionados: Oblea del GaAs
10x10mm 10x15mm 001 Óxido de galio substrato de GaO Mg doping Ga2O3 Oblea de nitruro de galio 110x10mm 10x15mm 001 Óxido de galio substrato de GaO Mg doping Ga2O3 Oblea de nitruro de galio 2
Empaquetado – Logistcs
Las preocupaciones de Worldhawk por cada uno detallan del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.
¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado!
FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y por el MANDO
y condición de la paga del depósito del 50%, el 50% antes de entrega.
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.

Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs-30pcs.
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.