Resaltar:
6 pulgadas GaAs VCSEL epiwafer
, Epiwafer VCSEL de 940 nm
, 100 111 Epiwafer VCSEL
Cavity mode Tolerance: |
Within3% |
Modo de cavidad Uniformidad: |
El valor de las pérdidas |
Dopinglevel tolerance: |
Within ±30 % |
Nivel de dopaje Uniformidad: |
El importe de la ayuda será igual o superior a: |
PL Wavelength uniformity: |
Std. Dev better than 2nm @inner 140mm |
Thickness uniformity: |
Better than ±3% @inner 140mm |
Mole fraction x tolerance: |
Within ±0.03 |
Mole fraction x Uniformity: |
<= 0.03 |
N-GaAs sustrato VCSEL epiwafer de 6 pulgadas orientación GaAs 100 111 longitud de onda 940nm para Gigabit Ethernet
Sustrato de N-GaAs VCSEL epiwafer de 6 pulgadas con orientación GaAs de 100 a 111 nm y longitud de onda de 940 nm para Gigabit Ethernet
Resumen del sustrato de N-GaAs VCSEL epiwafer
ElOblea epi VCSEL con sustrato de N-GaAs (arseniuro de galio de tipo n)es un componente fundamental que se utiliza en la fabricación de láseres de cavidad vertical emisores de superficie (VCSEL). Los VCSEL son clave en aplicaciones como la comunicación óptica de alta velocidad, la detección 3D y el LIDAR. La oblea está construida sobre un sustrato de GaAs de tipo N, que proporciona una excelente conductividad eléctrica y una base adecuada para el crecimiento de la capa epitaxial.
Las capas epitaxiales, normalmente compuestas de varios semiconductores compuestos, se desarrollan sobre el sustrato para formar la región activa del láser. Esta estructura permite la emisión vertical de luz, lo que ofrece una alta eficiencia y una fácil integración en matrices. La oblea normalmente admite la emisión en longitudes de onda como850 nm o 940 nm, ideal para aplicaciones en comunicación por fibra óptica y detección 3D.
Los sustratos de N-GaAs proporcionanbaja densidad de defectos, esencial para dispositivos de alto rendimiento y puede soportarprocesamiento de alta temperaturaSu estabilidad mecánica y conductividad térmica la hacen adecuada para aplicaciones de alta potencia y alta velocidad. Esta oblea se utiliza comúnmente encentros de datos,Electrónica de consumo(por ejemplo, reconocimiento facial en teléfonos inteligentes), ysistemas automotricesAl igual que el LIDAR, debido a surentableyescalableproducción.
Estructura de la epiwafer VCSEL con sustrato N-GaAs
Hoja de datos de la epiwafer VCSEL con sustrato N-GaAsOVAJAS ZMSH VCSEL EPIWAFER.pdf)
Fotografía de la epiwafer VCSEL con sustrato N-GaAs
Aplicación de epiwafers VCSEL con sustrato N-GaAs
ElEpiwafer VCSEL con sustrato de N-GaAsSe utiliza ampliamente en diversas aplicaciones de alta tecnología debido a su eficiente emisión de luz vertical, escalabilidad y ventajas de rendimiento. Las áreas de aplicación clave incluyen:
Comunicación óptica:
- Los VCSEL sobre sustratos de N-GaAs se utilizan ampliamente encomunicación por fibra ópticasistemas, incluidosGigabit Ethernetycentros de datos, donde admiten la transmisión de datos a alta velocidad en distancias cortas con alta eficiencia energética.
Detección 3D:
- EnElectrónica de consumo, como los teléfonos inteligentes y las tabletas, los VCSEL son fundamentales paraDetección 3Daplicaciones, incluyendoreconocimiento facial(Identificación facial),reconocimiento de gestos, yrealidad aumentadaSistemas (RA). Su diseño compacto y eficiencia energética los hacen ideales para dispositivos móviles.
LIDAR (detección y medición de distancia por luz):
- Los VCSEL se utilizan enSistemas LIDARparavehículos autónomos,drones, yRobóticapara proporcionar mediciones de distancia precisas y mapeo ambiental. La longitud de onda de 940 nm es particularmente útil en LIDAR debido a su capacidad para funcionar bien en condiciones exteriores.
Ratones y impresoras láser:
- Las epiwafers VCSEL también se utilizan enratones láserpara un seguimiento preciso del movimiento y enimpresoras láserPara impresión de alta velocidad y alta resolución.
Sensores médicos e industriales:
- En el diagnóstico médico y la automatización industrial, los VCSEL se utilizan paradetección de proximidad,escaneo biométrico, ysistemas de posicionamientoPor su precisión y fiabilidad.
Estas aplicaciones resaltan la versatilidad e importancia de los VCSEL de sustrato N-GaAs en la tecnología moderna.
Propiedades de las epiwafers VCSEL con sustrato N-GaAs
ElEpiwafer VCSEL con sustrato de N-GaAsPosee varias propiedades importantes que lo hacen ideal para aplicaciones optoelectrónicas avanzadas, en particular en tecnologías de comunicación y detección de alta velocidad. Las propiedades clave incluyen:
Alta conductividad eléctrica:
- ElSustrato de GaAs de tipo nOfrece una excelente conductividad eléctrica, lo que permite una inyección eficiente de portadores en las regiones activas del VCSEL.
Baja densidad de defectos:
- El sustrato de GaAs normalmente tiene unabaja densidad de dislocaciones, lo cual es crucial para los dispositivos de alto rendimiento, garantizando la uniformidad y confiabilidad de las matrices VCSEL.
Alta conductividad térmica:
- GaAs proporcionabuena conductividad térmica, lo que permite una disipación de calor eficiente durante el funcionamiento de alta potencia, lo que lo hace adecuado para aplicaciones continuas y de alta velocidad.
Ajustabilidad de la longitud de onda:
- Las epiwafers VCSEL cultivadas en sustratos de N-GaAs se pueden adaptar para emitir luz en longitudes de onda específicas, comúnmente850 nmy940 nm, que son óptimos para la comunicación por fibra óptica y la detección 3D.
Emisión vertical:
- Elestructura de cavidad verticalLa tecnología VCSEL permite la emisión de luz perpendicular a la superficie de la oblea, lo que posibilita una integración eficiente en matrices y hace que la oblea sea ideal para dispositivos ópticos compactos y de alta densidad.
Escalabilidad:
- El sustrato N-GaAs soportaProducción de gran volumen y bajo costo, lo que lo convierte en una opción atractiva para las industrias de electrónica de consumo, automotriz y telecomunicaciones.
Estabilidad de temperatura:
- Los VCSEL sobre sustratos de GaAs exhibenRendimiento estable en distintas temperaturas., garantizando un funcionamiento confiable en entornos exigentes, como centros de datos y vehículos autónomos.
Estas propiedades hacen que el epiwafer N-GaAs VCSEL sea ideal para aplicaciones que requieren un rendimiento optoelectrónico confiable, eficiente y de alta velocidad.
Epiwafer VCSEL de sustrato de N-GaAs en ZMSH
ElOblea epi VCSEL con sustrato de N-GaAs (arseniuro de galio de tipo n)es un componente vital para la fabricación de VCSEL, ampliamente utilizado encomunicación óptica,Detección 3D, yLIDARConstruida sobre N-GaAs, la oblea proporciona una excelenteconductividad eléctricay una base sólida para el crecimiento de capas epitaxiales, lo que permite una emisión de luz vertical de alta eficiencia en longitudes de onda como850 nmy940 nm.
ZMSHsuministra estas obleas de alta calidad y garantiza la confiabilidad del producto a través de métodos de prueba avanzados comoMapeo de PL,Mapeo FP, yModo cavidadAnálisis. Estas pruebas ayudan a mantener una baja densidad de defectos y garantizan la uniformidad de las obleas, algo esencial para aplicaciones de alto rendimiento. ZMSH también ofrece obleas con diferenteslongitudes de onday configuraciones, tales comoVCSEL de unión simple de 940 nm, satisfaciendo diversas necesidades industriales.
Con el control de calidad detallado y la escalabilidad de ZMSH, estas obleas son ideales para aplicaciones encentros de datos,Electrónica de consumo(por ejemplo, reconocimiento facial), ysistemas automotrices, proporcionandorentableyconfiableSoluciones.
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