Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmsh
Certificación: ROHS
Número de modelo: Substratos de Gao
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 10pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: Película del ANIMAL DOMÉSTICO en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega: 1-4weeks
Capacidad de la fuente: 500pcs/month
Uso: |
Diodos electroluminosos ULTRAVIOLETA (LED) |
Tamaño: |
Modificado para requisitos particulares |
Superficie: |
CMP/grabado al agua fuerte |
dopado: |
MG-dopado |
MOQ: |
10pcs |
Grado: |
grado de la investigación/grado simulado |
Uso: |
Diodos electroluminosos ULTRAVIOLETA (LED) |
Tamaño: |
Modificado para requisitos particulares |
Superficie: |
CMP/grabado al agua fuerte |
dopado: |
MG-dopado |
MOQ: |
10pcs |
Grado: |
grado de la investigación/grado simulado |
doping del magnesio del substrato de Gao del óxido del galio 001 de 10x15m m
estructura del monoclinal del substrato del óxido del galio de 10x10m m
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Orientación | 100 | 100 | 100 |
Doping | UID | Magnesio | FE |
parámetro eléctrico | 1×1017~3×1018cm-3 | ≥1010Ω·cm | ≥1010Ω·cm |
arco segundo | ≤150 | ≤150 | ≤150 |
densidad de dislocación | cm2s <1×105 | cm2s <1×105 | cm2s <1×105 |
Característica
Aunque el óxido del galio tenga conductividad termal pobre, su hueco de banda se excede que del carburo de silicio, del nitruro del galio y del silicio. Puesto que la anchura de banda-Gap mide la energía requerida para traer electrones en el en-estado, los sistemas hicieron de materiales con banda-Gap más ancho pueden ser más finos y más ligeros que ésos hechos de materiales con banda-Gap más estrecho, y pueden manejar mayor potencia, prometiendo componentes de alto voltaje y de pequeñas pérdidas del poder a bajo costo. Además, el hueco de banda amplio permite la operación en temperaturas más altas, reduciendo la necesidad de un sistema de enfriamiento grande.
El óxido del galio es una nueva clase de material del semiconductor del poder, que tiene ventajas cada vez más obvias en usos del poder más elevado. Los expertos creen generalmente que ese óxido del galio se convertirá en un suplemento importante al carburo de silicio y al nitruro del galio.
El óxido del galio es más probable desempeñar un papel en la extensión de la gama del poder y del voltaje disponible para los sistemas ultra-anchos del bandgap. Los usos más prometedores pueden ser rectificadores de alto voltaje en la regulación y sistemas de distribución del poder, tales como vehículos eléctricos y Sistema Solar fotovoltaicas.
SOBRE NUESTRO ZMKJ
Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs-30pcs.
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.