2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS

El sustrato de carburo de silicio (3C-SiC) tipo 3C-N es un material semiconductor de banda ancha basado en la estructura de cristal cúbico (3C),fabricado mediante epitaxia en fase líquida (LPE) o transporte físico de vapor (PVT) Soporta tamaños estándar de 2 pulgadas a 8 pulgadas, así como dimensiones personalizadas (por ejemplo, 5×5 mm, 10×10 mm).2 eV) , y alta conductividad térmica (49 W/m·K), por lo que es ideal para aplicaciones de alta frecuencia, alta temperatura y dispositivos de alta potencia.

1- Rendimiento eléctrico.

• Alta movilidad de electrones: significativamente superior al 4H-SiC (900 cm2/V·s), sustratos 3C-SiC que reducen las pérdidas de conducción en los dispositivos.
• Baja resistividad: ≤ 0,0006 Ω·cm (tipo N), sustratos 3C-SiC optimizados para circuitos de alta frecuencia de baja pérdida.
• Amplio intervalo de banda: soporta tensiones de hasta 10 kV, sustratos 3C-SiC adecuados para escenarios de alto voltaje (por ejemplo, redes inteligentes, vehículos eléctricos).

- ¿ Qué?

2Estabilidad térmica y química

• Alta conductividad térmica: 3 veces mayor eficiencia de disipación de calor que el silicio, sustratos 3C-SiC que funcionan de manera estable desde -200 °C hasta 1.600 °C.
• Resistencia a la radiación: los sustratos 3C-SiC son ideales para aplicaciones aeroespaciales y nucleares.

- ¿ Qué?

3Compatibilidad de los procesos.

• Superficie plana: λ/10 @ 632.8 nm, compatible con litografía y grabado en seco.
• Baja densidad de defectos: la densidad del micro-tubo < 0,1 cm−2, mejorando el rendimiento del dispositivo.

Aplicaciones básicas de los sustratos 3C-SiC

1. Comunicaciones 5G y dispositivos RF

• Módulos de RF de onda milimétrica: los sustratos 3C-SiC permiten dispositivos de RF GaN-on-3C-SiC para bandas de 28 GHz +, mejorando la eficiencia de la señal.
• Filtros de baja pérdida: los sustratos 3C-SiC reducen la atenuación de la señal, aumentando la sensibilidad del radar y la comunicación.

- ¿ Qué?

2. Vehículos eléctricos (VE)

• Cargadores a bordo (OBC): los sustratos 3C-SiC reducen la pérdida de energía en un 40%, son compatibles con plataformas de carga rápida de 800 V.
• Inversores: los sustratos 3C-SiC reducen la pérdida de energía en un 80~90% y aumentan el alcance de conducción.

3. Sistemas industriales y energéticos

• Inversores solares: mejora la eficiencia de la conversión en un 1·3%, reduciendo el volumen en un 40·60% para entornos de alta temperatura.
• Redes inteligentes: Minimiza las necesidades de disipación de calor, apoyando la transmisión de CC de alto voltaje.

4Aeroespacial y Defensa.

• Dispositivos resistentes a la radiación: sustituye los componentes de silicio, extendiendo la vida útil de los sistemas de satélites y cohetes.
• Radares de alta potencia: los sustratos 3C-SiC aprovechan las propiedades de baja pérdida para una mayor precisión de detección.

1. 5*5mm/10*10mm espesor de la oblea de carburo de silicio 350μm tipo Sic 3C-N de alta resistencia mecánica grado de producción

2. 4 pulgadas 3C N-tipo SiC Substrato de carburo de silicio Substrato de espesor 350um Prime Grade Dummy Grade

Las preguntas más frecuentes sobre los sustratos 3C-SiC