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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS

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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS

2inch 4inch 6inch 8inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substrates 3C-N Type MOS Grade
2inch 4inch 6inch 8inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substrates 3C-N Type MOS Grade 2inch 4inch 6inch 8inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substrates 3C-N Type MOS Grade 2inch 4inch 6inch 8inch 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substrates 3C-N Type MOS Grade

Ampliación de imagen :  2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS

Datos del producto:
Lugar de origen: PORCELANA
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: 3C-N SIC
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10pc
Precio: by case
Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada
Tiempo de entrega: en 30 días
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000pc/mes
Contacto
Descripción detallada del producto
tamaño: 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 5 × 5,10 × 10 Constante dieléctrica: 9.7
Dureza de la superficie: HV0.3> 2500 Densidad: 3.21 g/cm3
Coeficiente de expansión térmica: 4.5 x 10-6/k Voltaje de desglose: 5.5 mv/cm
aplicaciones: Comunicaciones, sistemas de radar
Resaltar:

4H-SiC substrate MOS grade

,

5x5 mm SiC substrate

,

N-type SiC substrate wafer

Resumen de los sustratos 3C-SiC

 

 

2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS

 
 
 

El sustrato de carburo de silicio (3C-SiC) tipo 3C-N es un material semiconductor de banda ancha basado en la estructura de cristal cúbico (3C),fabricado mediante epitaxia en fase líquida (LPE) o transporte físico de vapor (PVT) Soporta tamaños estándar de 2 pulgadas a 8 pulgadas, así como dimensiones personalizadas (por ejemplo, 5×5 mm, 10×10 mm).2 eV) , y alta conductividad térmica (49 W/m·K), por lo que es ideal para aplicaciones de alta frecuencia, alta temperatura y dispositivos de alta potencia.

 

 

- ¿ Qué?

Características clave de los sustratos 3C-SiC

 
2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS 0

1- Rendimiento eléctrico.

  • Alta movilidad de electrones: significativamente superior al 4H-SiC (900 cm2/V·s), sustratos 3C-SiC que reducen las pérdidas de conducción en los dispositivos.
  • Baja resistividad: ≤ 0,0006 Ω·cm (tipo N), sustratos 3C-SiC optimizados para circuitos de alta frecuencia de baja pérdida.
  • Amplio intervalo de banda: soporta tensiones de hasta 10 kV, sustratos 3C-SiC adecuados para escenarios de alto voltaje (por ejemplo, redes inteligentes, vehículos eléctricos).

- ¿ Qué?

2Estabilidad térmica y química

  • Alta conductividad térmica: 3 veces mayor eficiencia de disipación de calor que el silicio, sustratos 3C-SiC que funcionan de manera estable desde -200 °C hasta 1.600 °C.
  • Resistencia a la radiación: los sustratos 3C-SiC son ideales para aplicaciones aeroespaciales y nucleares.

- ¿ Qué?

3Compatibilidad de los procesos.

  • Superficie plana: λ/10 @ 632.8 nm, compatible con litografía y grabado en seco.
  • Baja densidad de defectos: la densidad del micro-tubo < 0,1 cm−2, mejorando el rendimiento del dispositivo.

 

 

 

Aplicaciones básicas de los sustratos 3C-SiC

 

2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS 1

1. Comunicaciones 5G y dispositivos RF

  • Módulos de RF de onda milimétrica: los sustratos 3C-SiC permiten dispositivos de RF GaN-on-3C-SiC para bandas de 28 GHz +, mejorando la eficiencia de la señal.
  • Filtros de baja pérdida: los sustratos 3C-SiC reducen la atenuación de la señal, aumentando la sensibilidad del radar y la comunicación.

- ¿ Qué?

2. Vehículos eléctricos (VE)

  • Cargadores a bordo (OBC): los sustratos 3C-SiC reducen la pérdida de energía en un 40%, son compatibles con plataformas de carga rápida de 800 V.
  • Inversores: los sustratos 3C-SiC reducen la pérdida de energía en un 80~90% y aumentan el alcance de conducción.

 

3. Sistemas industriales y energéticos

  • Inversores solares: mejora la eficiencia de la conversión en un 1·3%, reduciendo el volumen en un 40·60% para entornos de alta temperatura.
  • Redes inteligentes: Minimiza las necesidades de disipación de calor, apoyando la transmisión de CC de alto voltaje.

 

4Aeroespacial y Defensa.

  • Dispositivos resistentes a la radiación: sustituye los componentes de silicio, extendiendo la vida útil de los sistemas de satélites y cohetes.
  • Radares de alta potencia: los sustratos 3C-SiC aprovechan las propiedades de baja pérdida para una mayor precisión de detección.

 

 

 

Substratos de 3C-SiCdel materialParámetro técnico

- ¿ Qué?

- ¿ Qué?¿ Qué grado? Clasificación de producción de MPD cero (clasificación Z) Grado de producción estándar (grado P) Grado de simulacro (grado D)
Diámetro 145.5 mm150.0 mm
El grosor 350 μm ± 25 μm
Orientación de la oblea En el eje exterior: 2,0°-4,0° hacia [1120]±0,5° para 4H/6H-P, en el eje: 1111±0,5° para 3C-N
** Densidad de los microtubos 0 cm−2
** Resistencia el tipo p 4H/6H-P ≤ 0,1 Ω·cm ≤ 0,3 Ω·cm
Tipo n 3C-N ≤ 0,8 mΩ·cm ≤ 1 mΩ·cm
Orientación plana primaria 4H/6H-P {1010} ± 5,0°
3C-N {110} ± 5,0°
Duración plana primaria 32.5 mm ± 2,0 mm
Duración plana secundaria 18.0 mm ± 2,0 mm
Orientación plana secundaria Silicón hacia arriba, 90° CW. desde el plano Prime ±5.0°
Exclusión del borde 3 mm 6 mm
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. Se aplicarán las siguientes medidas: Se aplicarán las siguientes medidas:
* La rugosidad Lengua polacaRa ≤ 1 nm
CMPRa≤0,2 nm Ra ≤ 0,5 nm
Las grietas de borde por la luz de alta intensidad No hay Duración acumulada ≤10 mm, longitud única ≤2 mm
* Placas hexagonales con luz de alta intensidad Área acumulada ≤ 0,05% Área acumulada ≤ 0,1%
* Áreas de politipo por luz de alta intensidad No hay Área acumulada ≤ 3%
Inclusiones de carbono visual No hay Área acumulada ≤ 0,05%
# La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad No hay Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea
Chips de borde de alta intensidad de luz Ninguno permitido, ancho y profundidad ≥ 0,2 mm 5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno
Contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad No hay
Embalaje Contenedor de una sola o varias obleas

 

 

Las notas:

* Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto a la zona de exclusión de los bordes.

*Los arañazos deben comprobarse solo en la cara de Si.

 

 

 

Recomendar otros modelos de SiC

 

 

P1: ¿Cuáles son las principales aplicaciones de los sustratos SiC tipo 3C-N de 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas, 5×5 mm y 10×10 mm?

R: Se utilizan ampliamente en módulos de RF 5G, sistemas de energía EV y dispositivos industriales de alta temperatura debido a su alta movilidad electrónica y estabilidad térmica.

 

 

P2: ¿Cómo se comparan los sustratos de SiC de tipo 3C-N con los tradicionales de 4H-SiC en rendimiento?

R: El SiC de tipo 3C-N ofrece una menor resistencia y un mejor rendimiento de alta frecuencia (hasta 2,7 × 107 cm/s de velocidad de electrones), ideal para RF y electrónica de potencia compacta.

 

 

 

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substrato del carburo de silicio

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