Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G
ZMSH se especializa en I+D y producción de materiales semiconductores de tercera generación, con más de una década de experiencia en la industria.Proporcionamos servicios personalizados para materiales semiconductores como el zafiroEn el campo del carburo de silicio (SiC), cubrimos sustratos de tipo 4H/6H/3C, apoyando el suministro de tamaño completo de obleas de 2 a 12 pulgadas,con personalización flexible para satisfacer los requisitos del cliente, logrando servicios industriales y comerciales integrados.
Nuestros sustratos de SiC están diseñados para dispositivos de energía de alta frecuencia y aplicaciones automotrices (por ejemplo, inversores EV), ofreciendo una estabilidad térmica de hasta 1,600°C y conductividad térmica de 49 W/m·K Nos adherimos a los estándares internacionales y poseemos certificaciones para materiales de grado aeroespacial, asegurando la compatibilidad con entornos extremos.
- ¿ Qué?
Características básicas del sustrato 3C-SiC
1. Cobertura de varios tamaños:
- Tamaños estándar: 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas.
- Dimensiones personalizables: desde 5×5 mm hasta especificaciones personalizadas.
2Baja densidad de defectos:
- Densidad de microvoides < 0,1 cm−2, resistividad ≤ 0,0006 Ω·cm, lo que garantiza una alta fiabilidad del dispositivo.
3. Compatibilidad de los procesos:
- El substrato 3C-SiC es sEs conveniente para la oxidación a alta temperatura, la litografía y otros procesos complejos.
- Aplanamiento de la superficie: λ/10 @ 632,8 nm, ideal para la fabricación de dispositivos de precisión.
Propiedades del material del sustrato 3C-SiC
1Ventajas eléctricas:
- Alta movilidad de electrones: el 3C-SiC alcanza 1.100 cm2/V·s, superando significativamente al 4H-SiC (900 cm2/V·s), reduciendo las pérdidas de conducción.
- Amplia banda: la banda de 3,2 eV permite una tolerancia de alto voltaje (hasta 10 kV).
2. Rendimiento térmico:
- Alta conductividad térmica: 49 W/m·K, superior al silicio, soportando un funcionamiento estable de -200°C a 1.600°C.
3. Estabilidad química:
- Resistente a los ácidos/alcalinos y a la radiación, adecuado para aplicaciones aeroespaciales y nucleares.
Material de sustrato 3C-SiCParámetro técnico
| - ¿ Qué?¿ Qué grado? |
Clasificación de producción de MPD cero (clasificación Z) |
Grado de producción estándar (grado P) |
Grado de simulacro (grado D) |
| Diámetro |
145.5 mm150.0 mm |
| El grosor |
350 μm ± 25 μm |
| Orientación de la oblea |
En el eje exterior: 2,0°-4,0° hacia [1120]±0,5° para 4H/6H-P, en el eje: 1111±0,5° para 3C-N |
| ** Densidad de los microtubos |
0 cm−2 |
| ** Resistencia |
el tipo p 4H/6H-P
|
≤ 0,1 Ω·cm |
≤ 0,3 Ω·cm |
| Tipo n 3C-N |
≤ 0,8 mΩ·cm |
≤ 1 mΩ·cm |
| Orientación plana primaria |
4H/6H-P |
{1010} ± 5,0° |
| 3C-N |
{110} ± 5,0° |
| Duración plana primaria |
32.5 mm ± 2,0 mm |
| Duración plana secundaria |
18.0 mm ± 2,0 mm |
| Orientación plana secundaria |
Silicón hacia arriba, 90° CW. desde el plano Prime ±5.0° |
| Exclusión del borde |
3 mm |
6 mm |
| El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
| * La rugosidad |
Lengua polacaRa ≤ 1 nm |
| CMPRa≤0,2 nm |
Ra ≤ 0,5 nm |
| Las grietas de borde por la luz de alta intensidad |
No hay |
Duración acumulada ≤10 mm, longitud única ≤2 mm |
| * Placas hexagonales con luz de alta intensidad |
Área acumulada ≤ 0,05% |
Área acumulada ≤ 0,1% |
| * Áreas de politipo por luz de alta intensidad |
No hay |
Área acumulada ≤ 3% |
| Inclusiones de carbono visual |
No hay |
Área acumulada ≤ 0,05% |
| # La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad |
No hay |
Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea |
| Chips de borde de alta intensidad de luz |
Ninguno permitido, ancho y profundidad ≥ 0,2 mm |
5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno |
| Contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad |
No hay |
| Embalaje |
Contenedor de una sola o varias obleas |
Las notas:
* Los límites de defectos se aplican a toda la superficie de la oblea, excepto a la zona de exclusión de los bordes.
*Los arañazos deben comprobarse solo en la cara de Si.
- ¿ Qué?
Escenarios de aplicación para sustratos 3C-SiC
1Dispositivos de energía de alta frecuencia:
- Estaciones base de comunicación 5G: los sustratos 3C-SiC sirven como sustratos de los dispositivos de RF, lo que permite la transmisión de señales de onda mm para la comunicación de alta velocidad.
- Sistemas de radar: Las características de baja pérdida minimizan la atenuación de la señal, mejorando la precisión de detección.
2. Vehículos eléctricos:
- Cargadores a bordo (OBC): los sustratos 3C-SiC reducen la pérdida de energía en un 40%, acortando el tiempo de carga para las plataformas de 800V.
- Convertidores de CC/DC: los sustratos 3C-SiC reducen la pérdida de energía en un 80~90% y mejoran el alcance de conducción.
3. Industria y energía:
- Inversores solares: Aumenta la eficiencia en un 1·3%, reduce el volumen en un 40·60% y soporta ambientes hostiles.
- Redes inteligentes: Reduce el tamaño/peso del equipo y las demandas de refrigeración, reduciendo los costes de infraestructura.
4- Aeroespacial:
- Dispositivos resistentes a la radiación: los sustratos 3C-SiC reemplazan los componentes a base de silicio en satélites y cohetes, mejorando la resistencia a la radiación y la vida útil.
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