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Sobre sic cristal

El carburo de silicio (sic), también conocido como carborundo /k ɑːrbəˈrʌndəm/, es un semiconductor que contiene el silicio y el carbono con fórmula química sic. Ocurre en naturaleza como el moissanite mineral extremadamente raro. El polvo sintético del carburo de silicio se ha producido en masa desde 1893 para el uso como abrasivo. Los granos del carburo de silicio pueden ser enlazados juntos sinterizando para formar cerámica muy dura que son ampliamente utilizados en los usos que requieren alta resistencia, tal como frenos del coche, embragues del coche y placas de cerámica en chalecos a prueba de balas. Los usos electrónicos del carburo de silicio tales como diodos electroluminosos (LEDs) y detectores en radios tempranas primero fueron demostrados hacia 1907. Sic se utiliza en los dispositivos de la electrónica del semiconductor que actúan en las temperaturas altas o los altos voltajes, o ambos. Los solos cristales grandes del carburo de silicio se pueden crecer por el método de Lely; pueden ser cortados en las gemas conocidas como moissanite sintético. El carburo de silicio con alta superficie se puede producir de SiO2 contenido en el material vegetal.

Usos de los substratos y de las obleas sic cristalinos

Los crytsals del carburo de silicio (sic) tienen propiedades físicas y electrónicas únicas. Los dispositivos basados del carburo de silicio se han utilizado para la longitud de onda corta optoelectrónica, applciations des alta temperatura, resistentes a las radiaciones. Los dispositivos electrónicos de alta potencia y de alta frecuencia hechos con sic son superiores al Si y a los dispositivos basados GaAs. Abajo están algunos usos populares sic de substratos.

Deposición del nitruro de III-V

Capas epitaxiales de GaN, de AlxGa1-xN y de InyGa1-yN en sic el substrato o el substrato del zafiro.

La epitaxia del nitruro del galio en sic plantillas se utiliza para fabricar los diodos electroluminosos azules (LED azul) y y los fotodetectores ULTRAVIOLETA ciegos casi solares

Dispositivos optoelectrónicos

Los dispositivos sic basados tienen unión mal hecha baja del enrejado con capas epitaxiales del III-nitruro. Tienen alta conductividad termal y pueden ser utilizados para la supervisión de los procesos de la combustión y para toda clase de Ultravioleta-detección.

los dispositivos de semiconductor SIC-basados pueden trabajar bajo ambientes muy hostiles, tales como temperatura alta, poder más elevado, y altas condiciones de la radiación.

Dispositivos de poder más elevado

Sic tiene las propiedades siguientes:

Energía amplia Bandgap

Alto campo eléctrico de la avería

Alta velocidad de deriva de la saturación

Alta conductividad termal

Sic se utiliza para la fabricación de dispositivos muy de alto voltaje y de alta potencia tales como diodos, transitors del poder, y dispositivos de la microonda del poder más elevado. Comparado a los Si-dispositivos convencionales, los dispositivos de poder SIC-basados tienen voltajes más altos más rápidos de la velocidad de transferencia, resistencias parásitas más bajas, más tamaño pequeño, requerida menos de enfriamiento debido a la capacidad da alta temperatura.

Sic tiene conductividad termal más alta que el significado del GaAs o del Si que sic los dispositivos pueden actuar teóricamente en las densidades de mayor potencia que el GaAs o el Si. Una conductividad termal más alta combinada con el bandgap ancho y el alto campo crítico dan sic a semiconductores una ventaja cuando el poder más elevado es una característica deseable dominante del dispositivo.

El carburo de silicio (sic) es actualmente ampliamente utilizado para el poder más elevado MMICapplications. Sic también se utiliza como substrato para el crecimiento epitaxial de GaN para incluso los dispositivos de la mayor potencia MMIC

Dispositivos des alta temperatura

Porque sic tiene una alta conductividad termal, sic disipa calor más rápidamente que otros materiales del semiconductor. Esto permite sic a los dispositivos ser actuada en extremadamente los niveles de poder más elevado y todavía disipa una gran cantidad del exceso de calor generado de los dispositivos.

Dispositivos de poder de alta frecuencia

la electrónica SIC-basada de la microonda se utiliza para las comunicaciones inalámbricas y el rad

2. tamaño de los substratos

El otro tamaño

2 especificaciones del substrato del carburo de silicio de la pulgada de diámetro 4H

PROPIEDAD DEL SUBSTRATO	Grado de la producción	Grado de la investigación	Grado simulado
Diámetro	50,8 milímetros ±0.38 milímetro
Orientación superficial	{0001} ±0.2°
Orientación plana primaria	<11->20> ̊ del ± 5,0
Orientación plana secundaria	90,0 ̊ CW del ̊ primario del ± 5,0, silicio cara arriba
Longitud plana primaria	16,0 milímetros ±1.65 milímetro
Longitud plana secundaria	8,0 milímetros ±1.65 milímetro
Borde de la oblea	Chaflán
Densidad de Micropipe	cm2s de ≤5 micropipes/	cm2sdel ≤10micropipes/	cm2s de ≤50 micropipes/
Áreas de Polytype por la luz de alta intensidad	Ningunos permitieron		áreadel ≤el10%
Resistencia	≥1E7 Ω·cm		(área el 75%) ≥1E7 Ω·cm
Grueso	350,0 μm del μm del ± 25,0 del μm o 500,0 del ± 25,0 del μm
TTV	μm ≤10		μm ≤15
Arco (valor absoluto)	μm ≤10		μm ≤15
Deformación	μmdel ≤25
Final superficial	Polaco doble del lado, CMP de la cara del Si (pulido de la sustancia química)
Aspereza superficial	Cara Ra≤0.5 nanómetro del CMP Si		N/A
Grietas por la luz de alta intensidad	Ningunos permitieron
Microprocesadores/mellas del borde por la iluminación difusa	Ningunos permitieron	Qty.2<> anchura y profundidad de 1,0 milímetros	Qty.2<> anchura y profundidad de 1,0 milímetros
Área usable total	el ≥90%	el ≥80%	N/A

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