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Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm

Name: Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: China.

Nombre de la marca: ZMSH

Certificación: rohs

Model Number: 6H-P SiC

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10 por ciento

Precio: by case

Packaging Details: customzied plastic box

Tiempo de entrega: en 30days

Payment Terms: T/T

Supply Ability: 1000pc/month

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Detalles del producto

Descripción de producto

Resaltar: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Substrato de carburo de silicio de baja resistencia., Low Resistance Sic Silicon Carbide Substrate
                              

Dureza de la superficie:	HV0.3>2500	Densidad:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:	4,5 X 10-6/K	Constante dieléctrica:	9,7
Resistencia a la tracción:	>400MPa	Material:	Monocristal de SiC
Tamaño:	2 pulgadas	Tensión de ruptura:	5,5 milivoltios/cm

Dureza de la superficie:	HV0.3>2500
Densidad:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:	4,5 X 10-6/K
Constante dieléctrica:	9,7
Resistencia a la tracción:	>400MPa
Material:	Monocristal de SiC
Tamaño:	2 pulgadas
Tensión de ruptura:	5,5 milivoltios/cm

Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm

Descripción del producto:

Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm

6H-SiC (carburo de silicio hexagonal) es un material semiconductor de banda ancha con buena conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas,que se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuenciaEl doping de tipo P se logra mediante la introducción de elementos como el aluminio (Al), que hace que el material sea electropositivo y adecuado para diseños específicos de dispositivos electrónicos.que es adecuado para funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje. La conductividad térmica es superior a muchos materiales semiconductores tradicionales y ayuda a mejorar la eficiencia del dispositivo..

En el campo de la electrónica de potencia, se puede utilizar para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT.tiene un excelente rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia y se utiliza ampliamente en equipos de comunicaciónEn el campo de la tecnología LED, se puede utilizar como material básico para dispositivos LED azules y ultravioleta.

Características:

· elBrecha de banda ancha: La brecha de banda es de aproximadamente 3,0 eV, lo que la hace adecuada para aplicaciones de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia.

· elExcelente conductividad térmica: con una buena conductividad térmica, ayuda a la disipación de calor, mejora el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.

· elAlta resistencia y dureza: alta resistencia mecánica, anti fragmentación y anti desgaste, adecuada para su uso en ambientes hostiles.

· elMovilidad de electrones: el dopaje tipo P mantiene una movilidad relativamente alta de los portadores, lo que permite el uso de dispositivos electrónicos eficientes.

· elPropiedades ópticas: con propiedades ópticas únicas, adecuadas para el campo de la optoelectrónica, como LED y láseres.

· elEstabilidad química: buena resistencia a la corrosión química, adecuada para ambientes de trabajo adversos.

· elFuerte adaptabilidad: puede combinarse con una variedad de materiales de sustrato, adecuados para una variedad de escenarios de aplicación.

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

· elElectrónica de potencia: Se utiliza para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT, que se utilizan ampliamente en convertidores de frecuencia, gestión de energía y vehículos eléctricos.
· elEquipo de RF y microondas: se utiliza en amplificadores de alta frecuencia, amplificadores de potencia de RF, adecuados para sistemas de comunicación y radar.

· elOptoelectrónica: Se utiliza como sustrato en LED y láseres, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.

· elSensores de alta temperatura: debido a su buena estabilidad térmica, son adecuados para sensores de alta temperatura y equipos de monitoreo.

· elEnergía solar y sistemas energéticos: se utilizan en inversores solares y otras aplicaciones de energía renovable para mejorar la eficiencia de conversión de energía.

· elElectrónica automotriz: optimización del rendimiento y ahorro de energía en el sistema de alimentación de vehículos eléctricos e híbridos.

· elEquipo eléctrico industrial: módulos de potencia para una amplia gama de equipos y máquinas de automatización industrial para mejorar la eficiencia energética y la fiabilidad.

Personalización:

Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 6H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pc/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de diámetro 50,8 mm de espesor 350 μm. El lugar de origen es China.

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Hay algún stock o producto estándar?

R: Sí, el tamaño de inicio es de 2 pulgadas 0.35 mm tamaño estándar siempre en stock.

P: Si hago un pedido ahora, ¿cuánto tardaría en recibir la entrega?

R: El tamaño estándar en stock en 1 semana puede expresarse después del pago.

y nuestro plazo de pago es el 50% de depósito y la partida antes de la entrega.

Tags:

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Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm

Substrato de carburo de silicio de baja resistencia.

Low Resistance Sic Silicon Carbide Substrate

Descripción del producto:

Características:

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

Personalización:

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sic oblea,

sic substrato,

Oblea del nitruro del galio

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