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Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm

Nombre De La Marca:	ZMSH
Número De Modelo:	6H-P SiC
MOQ:	10 por ciento
Precio:	by case
Tiempo De Entrega:	en 30days
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

China.

Certificación:

rohs

Dureza de la superficie:

HV0.3>2500

Densidad:

3.21 G/cm3

Coeficiente de expansión térmica:

4,5 X 10-6/K

Constante dieléctrica:

9,7

Resistencia a la tracción:

>400MPa

Material:

Monocristal de SiC

Tamaño:

2 pulgadas

Tensión de ruptura:

5,5 milivoltios/cm

Packaging Details:

customzied plastic box

Supply Ability:

1000pc/month

Resaltar:

Substrato de carburo de silicio de baja resistencia.

Low Resistance Sic Silicon Carbide Substrate

Descripción de producto

Descripción del producto:

Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm

6H-SiC (carburo de silicio hexagonal) es un material semiconductor de banda ancha con buena conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas,que se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuenciaEl doping de tipo P se logra mediante la introducción de elementos como el aluminio (Al), que hace que el material sea electropositivo y adecuado para diseños específicos de dispositivos electrónicos.que es adecuado para funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje. La conductividad térmica es superior a muchos materiales semiconductores tradicionales y ayuda a mejorar la eficiencia del dispositivo..

En el campo de la electrónica de potencia, se puede utilizar para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT.tiene un excelente rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia y se utiliza ampliamente en equipos de comunicaciónEn el campo de la tecnología LED, se puede utilizar como material básico para dispositivos LED azules y ultravioleta.

Características:

· elBrecha de banda ancha: La brecha de banda es de aproximadamente 3,0 eV, lo que la hace adecuada para aplicaciones de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia.

· elExcelente conductividad térmica: con una buena conductividad térmica, ayuda a la disipación de calor, mejora el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.

· elAlta resistencia y dureza: alta resistencia mecánica, anti fragmentación y anti desgaste, adecuada para su uso en ambientes hostiles.

· elMovilidad de electrones: el dopaje tipo P mantiene una movilidad relativamente alta de los portadores, lo que permite el uso de dispositivos electrónicos eficientes.

· elPropiedades ópticas: con propiedades ópticas únicas, adecuadas para el campo de la optoelectrónica, como LED y láseres.

· elEstabilidad química: buena resistencia a la corrosión química, adecuada para ambientes de trabajo adversos.

· elFuerte adaptabilidad: puede combinarse con una variedad de materiales de sustrato, adecuados para una variedad de escenarios de aplicación.

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

· elElectrónica de potencia: Se utiliza para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT, que se utilizan ampliamente en convertidores de frecuencia, gestión de energía y vehículos eléctricos.
· elEquipo de RF y microondas: se utiliza en amplificadores de alta frecuencia, amplificadores de potencia de RF, adecuados para sistemas de comunicación y radar.

· elOptoelectrónica: Se utiliza como sustrato en LED y láseres, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.

· elSensores de alta temperatura: debido a su buena estabilidad térmica, son adecuados para sensores de alta temperatura y equipos de monitoreo.

· elEnergía solar y sistemas energéticos: se utilizan en inversores solares y otras aplicaciones de energía renovable para mejorar la eficiencia de conversión de energía.

· elElectrónica automotriz: optimización del rendimiento y ahorro de energía en el sistema de alimentación de vehículos eléctricos e híbridos.

· elEquipo eléctrico industrial: módulos de potencia para una amplia gama de equipos y máquinas de automatización industrial para mejorar la eficiencia energética y la fiabilidad.

Personalización:

Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 6H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pc/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de diámetro 50,8 mm de espesor 350 μm. El lugar de origen es China.

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Hay algún stock o producto estándar?

R: Sí, el tamaño de inicio es de 2 pulgadas 0.35 mm tamaño estándar siempre en stock.

P: Si hago un pedido ahora, ¿cuánto tardaría en recibir la entrega?

R: El tamaño estándar en stock en 1 semana puede expresarse después del pago.

y nuestro plazo de pago es el 50% de depósito y la partida antes de la entrega.

Etiquetas:

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del GaAs

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

Oblea del nitruro del galio

Oblea del zafiro

Sic substrato

Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

Piezas del zafiro

Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del GaAs

Oblea del fosfuro de indio

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

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Substrato de carburo de silicio de 2 pulgadas Sic 6H baja resistencia tipo dopado con P alto Diámetro 50,8 mm

Substrato de carburo de silicio de baja resistencia.

Low Resistance Sic Silicon Carbide Substrate

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Características:

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

Personalización:

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