Resaltar:
Substrato de SiC de 350um
, Substrato de SiC de 100 mm
, Substrato de SiC de 4 pulgadas
4H-N carburo de silicio SiC sustrato 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Prime Grade Dummy Grade
4H-N carburo de silicio SiC sustrato 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Prime Grade Dummy Grade
Descripción del producto
4H-N carburo de silicio SiC sustrato 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Prime Grade Dummy Grade
El carburo de silicio (SiC), comúnmente conocido como carburo de silicio, es un compuesto formado por la combinación de silicio y carbono.que se utiliza ampliamente en materiales semiconductoresEl carburo de silicio es el segundo después del diamante en dureza, lo que lo convierte en una excelente herramienta de abrasivo y corte.La buena conductividad térmica lo hace adecuado para aplicaciones de alta temperatura como LED y electrónica de potencia. Buena resistencia a los productos químicos, especialmente ácidos y álcalis. Buena resistencia a los productos químicos, especialmente ácidos y álcalis. Buena resistencia a los productos químicos, especialmente ácidos y álcalis.Debido a sus propiedades superioresLos cristales de semilla de carburo de silicio se han convertido en un material indispensable en la industria y la tecnología modernas.
La oblea de carburo de silicio 4H-N de 4 pulgadas (SiC) es un material semiconductor con una estructura cristalina de politipo 4H.
Es típicamente orientado como (0001) Si-face o (000-1) C-face.
Estas obleas son de tipo N, dopadas con nitrógeno, y tienen un grosor de aproximadamente 350 μm.
La resistividad de estas obleas generalmente cae entre 0,015 y 0,025 ohm·cm, y a menudo presentan una superficie pulida en uno o ambos lados.
Las obleas de carburo de silicio son conocidas por su excelente conductividad térmica.
Y también por una amplia banda de 3,23 eV, alto campo eléctrico de descomposición, y la movilidad significativa de electrones.
Exhiben una alta dureza, lo que los hace resistentes al desgaste y al choque térmico, y tienen una excepcional estabilidad química y térmica.
Estas propiedades hacen que las obleas de SiC sean adecuadas para aplicaciones en ambientes hostiles, incluidos dispositivos electrónicos de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.
Características de las obleas de SiC:
Nombre del producto: Substrato de carburo de silicio (SiC)
Estructura hexagonal: Propiedades electrónicas únicas.
Amplia banda: 3,23 eV, lo que permite el funcionamiento a altas temperaturas y la resistencia a la radiación
Alta conductividad térmica: facilita una disipación de calor eficiente
Campo eléctrico de alta ruptura: permite un funcionamiento de mayor voltaje con una reducción de las fugas
Alta movilidad de electrones: mejora el rendimiento de los dispositivos de RF y de energía
Baja densidad de dislocación: mejora la calidad del material y la fiabilidad del dispositivo
Alta dureza: ofrece resistencia al desgaste y al esfuerzo mecánico
Excelente estabilidad química: Resiste la corrosión y la oxidación
Alta resistencia al choque térmico: mantiene la integridad bajo cambios rápidos de temperatura
Parámetros técnicos de las obleas de SiC:
| Propiedad |
2 pulgadas |
3 pulgadas |
4 pulgadas |
6 pulgadas |
8 pulgadas |
12 pulgadas |
| El tipo |
4H-N/HPSI/4H-SEMI,
Las condiciones de funcionamiento de los equipos de ensayo de la unidad de ensayo se especifican en el anexo I.
|
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
6H-SiC (primario) / 4H-SiC |
| Diámetro |
50.8 ± 0,3 mm |
76.2 ± 0,3 mm |
Las demás partidas de las placas |
Las demás partidas |
200 ± 0,3 mm |
300 ± 0,3 mm |
| El grosor |
330 ± 25 μm |
350 ± 25 μm |
350 ± 25 μm |
350 ± 25 μm |
350 ± 25 μm |
500 ± 25 mm |
| una longitud de banda superior o inferior a 10 mm; |
500 ± 25 mm |
500 ± 25 mm |
500 ± 25 mm |
500 ± 25 mm |
1000 ± 25 mm |
| o personalizado |
o personalizado |
o personalizado |
o personalizado |
o personalizado |
o personalizado |
| La rugosidad |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
| La velocidad warp. |
≤ 30 mm |
≤ 30 mm |
≤ 30 mm |
≤ 30 mm |
≤ 45um |
≤ 40um |
| TTV |
≤ 10um |
≤ 10um |
≤ 10um |
≤ 10um |
≤ 10um |
≤ 10um |
| El valor de las emisiones de CO2 |
CMP/MP |
|
| MPD (Departamento de Protección del Medio Ambiente) |
Se aplican las siguientes medidas: |
Se aplican las siguientes medidas: |
Se aplican las siguientes medidas: |
Se aplican las siguientes medidas: |
Se aplican las siguientes medidas: |
Se aplican las siguientes medidas: |
| Forma de las piezas |
En el caso de los vehículos de motor de motor de las categorías M1 y N2 con una longitud superior a 30 mm, el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de motor de las categorías M1 y N2 se calculará en función de la longitud del vehículo. |
| El bisel |
45°, especificación SEMI; forma de C |
| Grado |
Grado de producción para MOS&SBD; Grado de investigación; Grado de simulacro; Grado de oblea de semilla |
| Las observaciones |
Diámetro, espesor, orientación, las especificaciones anteriores se pueden personalizar a petición |
Aplicaciones de las obleas de SiC:
Los sustratos de SiC (carburo de silicio) se utilizan en varias aplicaciones de alto rendimiento debido a sus propiedades únicas como alta conductividad térmica, alta resistencia al campo eléctrico y amplio intervalo de banda.Aquí hay algunas aplicaciones:
1. Energía electrónica
MOSFET: Para una conversión de energía eficiente, capaz de manejar altos voltajes y corrientes.
Diodos de Schottky: Se utilizan en rectificadores de potencia y aplicaciones de conmutación, ofreciendo baja caída de voltaje hacia adelante y conmutación rápida.
JFETs: Ideal para conmutación y amplificación de energía de alto voltaje.
2. Dispositivos de RF
Amplificadores de RF: mejora el rendimiento en las telecomunicaciones, especialmente en los rangos de alta frecuencia.
MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits): Se utilizan en sistemas de radar, comunicaciones por satélite y otras aplicaciones de alta frecuencia.
3. Substratos de LED
LED de alto brillo: sus excelentes propiedades térmicas lo hacen adecuado para aplicaciones de iluminación y visualización de alta intensidad.
Personalización de las obleas de SiC:
Podemos personalizar el tamaño del sustrato de SiC para satisfacer sus requisitos específicos.
También ofrecemos una oblea 4H-Semi HPSI SiC con un tamaño de 10x10 mm o 5x5 mm y tipo 6H-N,6H-Semi.
El precio está determinado por el caso, y los detalles del embalaje se pueden personalizar a su preferencia.
El tiempo de entrega es de 2-4 semanas. Aceptamos el pago a través de T/T.
Este es el de personalización.
Soporte y servicios de obleas SiC:
Nuestro producto de sustrato de SiC viene con soporte técnico y servicios integrales para garantizar un rendimiento óptimo y la satisfacción del cliente.
Nuestro equipo de expertos está disponible para ayudar con la selección del producto, la instalación y la solución de problemas.
Ofrecemos formación y educación sobre el uso y mantenimiento de nuestros productos para ayudar a nuestros clientes a maximizar su inversión.
Además, proporcionamos actualizaciones y mejoras continuas de productos para garantizar que nuestros clientes siempre tengan acceso a la última tecnología.
Recomendación de productos competitivos
Primero
Nos enorgullece ofrecer las obleas SiC de 8 pulgadas, las más grandes disponibles, con precios competitivos y excelente calidad.lo que los convierte en la opción ideal para aplicaciones de semiconductores de alto rendimiento¡Sigan adelante con nuestra tecnología de vanguardia!
4H-N Substrato de semiconductores de 8 pulgadas SIC Wafer de carburo de silicio para energía solar fotovoltaica
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En segundo lugar
Nuestra amplia gama de obleas de SiC incluye 4H-N, 6H-N, 4H-SEMI, HPSI, 4H-P y 6H-P, para satisfacer diversas necesidades industriales.Estas obleas de alta calidad ofrecen un excelente rendimiento para la electrónica de potencia y aplicaciones de alta frecuencia, proporcionando flexibilidad y
la fiabilidad de las tecnologías de vanguardia.
Tipo 14H-N
4H-N 4 pulgadas de Nitruro de silicio SiC Substrato de calidad SiC para dispositivos de alta potencia
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Tipo 26H-N
2 pulgadas de Sic Substrato 6H-N Tipo de espesor 350um 650um Wafer de SiC
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Tipo 34H-SEMI
4" 4H-Semi alta pureza SIC Wafers Semiconductor de primer grado EPI sustratos
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Tipo 4HPSI
10x10x0,5 mm HPSI 1sp 2sp 4H-SEMI SIC Substrato de obleas de carburo de silicio
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Tipo 54H-P 6H-P
Wafer de carburo de silicio 6H tipo P y 4H tipo P MPD de producción cero de calibre falso Dia 4 pulgadas 6 pulgadas
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FAQ de las obleas de SiC:
1 P: ¿Cómo se compara el rendimiento de 4H-N SiC con el de GaN (nitruro de galio) en aplicaciones similares?
R: Tanto el 4H-N SiC como el GaN se utilizan en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, pero el SiC generalmente ofrece una mayor conductividad térmica y voltaje de ruptura,mientras que GaN proporciona una mayor movilidad de electronesLa elección depende de los requisitos específicos de la aplicación.
Además, también suministramos obleas GaN.
2P: ¿Existen alternativas al 4H-N SiC para aplicaciones similares?
R: Las alternativas incluyen GaN (nitruro de galio) para aplicaciones de alta frecuencia y potencia y otros politipos de SiC como 6H-SiC.Cada material tiene sus propias ventajas en función de las necesidades específicas de la aplicación.
3 P: ¿Cuál es el papel del dopaje de nitrógeno en las obleas 4H-N SiC?
R: El dopaje de nitrógeno introduce electrones libres, haciendo que la oblea sea de tipo N. Esto mejora la conductividad eléctrica y el rendimiento de los dispositivos semiconductores hechos de la oblea.
¡Su mensaje debe tener entre 20 y 3.000 caracteres!
