logo
Inicio ProductosSic substrato

Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario

Estoy en línea para chatear ahora

Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario

4Inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Thickness 350μm Zero /  Prime Grade Dummy Grade
4Inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Thickness 350μm Zero /  Prime Grade Dummy Grade 4Inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Thickness 350μm Zero /  Prime Grade Dummy Grade 4Inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Thickness 350μm Zero /  Prime Grade Dummy Grade 4Inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Thickness 350μm Zero /  Prime Grade Dummy Grade 4Inch Sic Silicon Carbide Wafer 6H-P Type Thickness 350μm Zero /  Prime Grade Dummy Grade

Ampliación de imagen :  Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario

Datos del producto:
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: 6H-P SiC
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 10 por ciento
Precio: by case
Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada
Tiempo de entrega: en 30days
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 1000pc/month
Descripción detallada del producto
Dureza de la superficie: HV0.3>2500 Densidad: 3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica: 4,5 X 10-6/K Constante dieléctrica: 9,7
Resistencia a la tracción: >400MPa Material: Monocristal de SiC
Tamaño: 4inch Tensión de ruptura: 5,5 milivoltios/cm
Resaltar:

Wafer de carburo de silicio de 350 μm Sic

,

Oferta de carburo de silicio 6H-P Sic

,

Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas

Descripción del producto:

Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350μm grado cero grado primario grado falso
6H-SiC (carburo de silicio hexagonal) es un material semiconductor de banda ancha con buena conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas,que se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuenciaEl doping de tipo P se logra mediante la introducción de elementos como el aluminio (Al), que hace que el material sea electropositivo y adecuado para diseños específicos de dispositivos electrónicos.que es adecuado para funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje. La conductividad térmica es superior a muchos materiales semiconductores tradicionales y ayuda a mejorar la eficiencia del dispositivo..
En el campo de la electrónica de potencia, se puede utilizar para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT.tiene un excelente rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia y se utiliza ampliamente en equipos de comunicaciónEn el campo de la tecnología LED, se puede utilizar como material básico para dispositivos LED azules y ultravioleta.

Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario 0Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario 1

Características:

· elBrecha de banda ancha: La brecha de banda es de aproximadamente 3,0 eV, lo que la hace adecuada para aplicaciones de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia.
· elExcelente conductividad térmica: con una buena conductividad térmica, ayuda a la disipación de calor, mejora el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.
· elAlta resistencia y dureza: alta resistencia mecánica, anti fragmentación y anti desgaste, adecuada para su uso en ambientes hostiles.
· elMovilidad de electrones: el dopaje tipo P mantiene una movilidad relativamente alta de los portadores, lo que permite el uso de dispositivos electrónicos eficientes.
· elPropiedades ópticas: con propiedades ópticas únicas, adecuadas para el campo de la optoelectrónica, como LED y láseres.
· elEstabilidad química: buena resistencia a la corrosión química, adecuada para ambientes de trabajo adversos.
· elFuerte adaptabilidad: puede combinarse con una variedad de materiales de sustrato, adecuados para una variedad de escenarios de aplicación.
Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario 2Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario 3

Parámetros técnicos:

Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario 4

Aplicaciones:

· elElectrónica de potencia: Se utiliza para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT, que se utilizan ampliamente en convertidores de frecuencia, gestión de energía y vehículos eléctricos.
· elEquipo de RF y microondas: se utiliza en amplificadores de alta frecuencia, amplificadores de potencia de RF, adecuados para sistemas de comunicación y radar.
· elOptoelectrónica: Se utiliza como sustrato en LED y láseres, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.
· elSensores de alta temperatura: debido a su buena estabilidad térmica, son adecuados para sensores de alta temperatura y equipos de monitoreo.
· elEnergía solar y sistemas energéticos: se utilizan en inversores solares y otras aplicaciones de energía renovable para mejorar la eficiencia de conversión de energía.
· elElectrónica automotriz: optimización del rendimiento y ahorro de energía en el sistema de alimentación de vehículos eléctricos e híbridos.
· elEquipo eléctrico industrial: módulos de potencia para una amplia gama de equipos y máquinas de automatización industrial para mejorar la eficiencia energética y la fiabilidad.
Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario 5

Personalización:

Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 6H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pc/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de diámetro 100 mm de espesor 350 μm. El lugar de origen es China.

Wafer de carburo de silicio de 4 pulgadas Sic Tipo 6H-P espesor 350 μm grado cero / primario 6

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.
2Citas rápidas y precisas.
3Responderemos en 24 horas laborales.
4. ODM: diseño personalizado es disponible.
5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cuál es el caminode envío y costo y plazo de pago?
A: ((1) Aceptamos el 50% T/T por adelantado y el 50% antes de la entrega por DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.
Carga es iNo de acuerdo con la liquidación real.

P: ¿Cuál es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, el MOQ es de 3pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 10pcs.

P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y forma, tamaño basado en sus necesidades.

P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?
A: (1) Para los productos estándar
Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles después de realizar el pedido.
Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 3 semanas después de realizar el pedido.
(2) Para los productos de forma especial, la entrega es de 4 semanas laborables después de realizar el pedido.

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona de Contacto: Mr. Wang

Teléfono: +8615801942596

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)