Sustrato de carburo de silicio 4H para electrónica de potencia, dispositivos de RF y optoelectrónica UV
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Lente óptica Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forma y tamaño personalizado 6SP espesor 10.05
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De la pureza elevada de silicio del carburo oblea sin impurificar sic, substrato del carburo de silicio de 6Inch 4H-Semi sic
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4 pulgadas 3C N-tipo de SiC Substrato de carburo de silicio Substrato de espesor 350um de calidad Prime de calidad Dummy
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Wafer de carburo de silicio tipo 4H-P en el eje 0°Utilizado para la fabricación de dispositivos de alta potencia
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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro
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4H-SEMI pulió sic la dureza de la lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de la oblea para el material del dispositivo
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Wafer epitaxial de 4 pulgadas de SiC 4H-N Diámetro 100 mm espesor 350 μm grado primario