logo
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

4° Fuera del eje Substrato SiC de 2 pulgadas Aplicaciones a altas temperaturas Wafer epitaxial

Sic substrato
2024-05-29
110 Las opiniones
Contacta ahora
#sic oblea #sic substrato #substrato del carburo de silicio
4° Fuera del eje Substrato SiC de 2 pulgadas Aplicaciones a altas temperaturas Wafer epitaxial Descripción del producto: El sustrato de SiC también tiene una rugosidad superficial de Ra < 0,5 nm, que ... Visión más
Mensajes del visitante DEJE UN MENSAJE
4° Fuera del eje Substrato SiC de 2 pulgadas Aplicaciones a altas temperaturas Wafer epitaxial
4° Fuera del eje Substrato SiC de 2 pulgadas Aplicaciones a altas temperaturas Wafer epitaxial
Contacta ahora
Aprenda más
Videos relacionados
4H-N tipo de sustrato SiC 10x10mm Wafer para electrónica de potencia 00:11

4H-N tipo de sustrato SiC 10x10mm Wafer para electrónica de potencia

Sic substrato
2025-07-31
Carburo de silicio (SiC) Substrato 6 pulgadas 8 pulgadas de prueba de grado de oblea para el corte por láser 00:12

Carburo de silicio (SiC) Substrato 6 pulgadas 8 pulgadas de prueba de grado de oblea para el corte por láser

Sic substrato
2024-06-03
3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Investigación Grado de SIC Substrato epitaxial 00:10

3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- Investigación Grado de SIC Substrato epitaxial

Sic substrato
2024-04-11
4H-SEMI Substrato de carburo de silicio SiC de 2 pulgadas de espesor 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer 00:10

4H-SEMI Substrato de carburo de silicio SiC de 2 pulgadas de espesor 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer

Sic substrato
2024-08-15
Unión mal hecha baja modificada para requisitos particulares del enrejado del microprocesador del cuadrado del tamaño sic con arriba termal 00:12

Unión mal hecha baja modificada para requisitos particulares del enrejado del microprocesador del cuadrado del tamaño sic con arriba termal

Sic substrato
2022-09-09
Disco de corte de sustrato 4H-SEMI SiC Diámetro 10 mm espesor 5 mm <0001> Alta dureza 00:06

Disco de corte de sustrato 4H-SEMI SiC Diámetro 10 mm espesor 5 mm <0001> Alta dureza

Sic substrato
2024-08-27
Custom Monocrystalline Sapphire Optical Domes for Missile Seekers 00:10

Custom Monocrystalline Sapphire Optical Domes for Missile Seekers

Zafiro Windows óptico
2025-08-26
Ruby Bearings Al₂O₃ Single Crystal for Precision Instruments and Meters 00:15

Ruby Bearings Al₂O₃ Single Crystal for Precision Instruments and Meters

Piezas del zafiro
2025-08-26
Máquina de pulido robótica para el procesamiento de componentes ópticos planos/esféricos/asféricos 00:20

Máquina de pulido robótica para el procesamiento de componentes ópticos planos/esféricos/asféricos

Equipo del semiconductor
2025-08-26
Máquina de corte con sierra de hilo múltiple para el procesamiento de piedra natural 00:36

Máquina de corte con sierra de hilo múltiple para el procesamiento de piedra natural

Equipo del semiconductor
2025-08-26
Equipo de procesamiento por láser cromático intercambiable de 355nm/532nm/1064nm 00:29

Equipo de procesamiento por láser cromático intercambiable de 355nm/532nm/1064nm

Equipo del semiconductor
2025-08-18
Sistema de marcado láser cromático de 355 nm/532 nm/1064 nm para acero inoxidable 00:26

Sistema de marcado láser cromático de 355 nm/532 nm/1064 nm para acero inoxidable

Equipo del semiconductor
2025-08-18
​​Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas de Si/SiC/zafiro​​ 00:21

​​Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas de Si/SiC/zafiro​​

Equipo del semiconductor
2025-08-15
Equipo de rectificado/pulido de doble cara de alta precisión para zafiro/vidrio/cuarzo 00:07

Equipo de rectificado/pulido de doble cara de alta precisión para zafiro/vidrio/cuarzo

Equipo del semiconductor
2025-08-15
Máquina de rectificación de precisión de doble cara para metales/no metales/cerámica/plásticos 00:09

Máquina de rectificación de precisión de doble cara para metales/no metales/cerámica/plásticos

Equipo del semiconductor
2025-08-15