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4° Fuera del eje Substrato SiC de 2 pulgadas Aplicaciones a altas temperaturas Wafer epitaxial

Sic substrato
2024-05-29
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#sic oblea #sic substrato #substrato del carburo de silicio
4° Fuera del eje Substrato SiC de 2 pulgadas Aplicaciones a altas temperaturas Wafer epitaxial Descripción del producto: El sustrato de SiC también tiene una rugosidad superficial de Ra < 0,5 nm, que ... Visión más
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