Ofras de semillas de cristal de SiC Dia 205 203 208 Producción grado de crecimiento PVT/HTCVD

Ofras de semillas de cristal de SiC Dia 205 203 208 Producción grado de crecimiento PVT/HTCVD

Las obleas de cristal de semilla de carburo de silicio (SiC) son los materiales básicos para el crecimiento de un solo cristal de SiC y la fabricación de dispositivos, producidos mediante corte, molienda,y pulido de cristales de SiC de alta purezaEstas obleas presentan una conductividad térmica ultra alta (4,9 W/cm·K), una excepcional intensidad de campo de descomposición (24 MV/cm), un amplio intervalo de banda (3,2 eV) e inercia química.haciendo que sean críticos para aplicaciones en entornos extremos como la industria aeroespacialLa energía nuclear y la electrónica de alta potencia sirven como "semilla" para el crecimiento de los cristales, su orientación cristalográfica (por ejemplo, politipo 4H-SiC), la planitud de la superficie,La densidad de los micropifos influye directamente en la calidad de los lingotes aguas abajo y en el rendimiento del dispositivo.ZMSH proporciona obleas de cristal de semilla de SiC de 2 ′′12 pulgadas con diámetros de 153 mm, 155 mm, 203 mm, 205 mm y 208 mm, para los sectores de semiconductores, energía renovable e industriales.

Características clave de las obleas de semillas de SiC

1Superioridad física y química.
- Durabilidad extrema: las obleas de cristal de semilla de SiC soportan temperaturas superiores a 1700 °C y exposición a la radiación, ideales para aplicaciones aeroespaciales y nucleares.
- Rendimiento eléctrico: La alta velocidad de saturación de electrones (2,7 × 107 cm/s) permite dispositivos de alta frecuencia (por ejemplo, amplificadores de RF 5G).
- Control de defectos: la densidad de micropipos < 1 cm−2 y los defectos de politipo mínimos aseguran un crecimiento uniforme del lingote.

2. Procesos de fabricación avanzados
- Crecimiento de Cristal:Las obleas de cristal de semillas de SiC utilizan el transporte físico de vapor (PVT) o la deposición química de vapor a alta temperatura (HTCVD) para controlar con precisión los gradientes de temperatura y el transporte de precursores.
- Técnicas de procesamiento: las obleas de cristal de semilla de SiC emplean aserradura de varios alambres, molienda de diamantes y corte de diamantes sigiloso con láser para lograr una rugosidad de superficie ≤ Rz 0,1 μm y una precisión dimensional de ± 0,1 mm.

3. Especificaciones flexibles
- Diversidad de tamaños: las obleas de cristal de semilla de SiC admiten obleas de 2 ′′ 12′′ (153 ′′ 208 mm de diámetro), adaptables a dispositivos de alimentación, módulos de RF y aplicaciones de sensores.

Especificaciones técnicas de las obleas de semillas de SiC

Las aplicaciones principales deWafer de semillas de SiC

1La industria de los semiconductores

· Dispositivos de potencia: habilitar MOSFET y diodos SiC para inversores de vehículos eléctricos, mejorando la eficiencia en un 10­15% y reduciendo el volumen en un 50%.
· Dispositivos de RF: las obleas de cristal de semilla de SiC sustentan las estaciones base 5G y las LNA para la comunicación de ondas milimétricas.

2, Energías renovables e industria

· Energía solar/almacenamiento: Es fundamental para los inversores fotovoltaicos de alta eficiencia, minimizando las pérdidas de conversión de energía.
· Motores industriales: la tolerancia a altas temperaturas reduce las necesidades de refrigeración de los motores de alta potencia.

3, Tecnologías emergentes

· Aeroespacial: la resistencia a la radiación garantiza la fiabilidad de la electrónica espacial.
· Computación cuántica: las obleas de alta pureza admiten bits cuánticos semiconductores de baja temperatura.

Productos relacionados

La ventaja competitiva de ZMSH en las obleas de cristal de semillas de SiC

1. Capacidades técnicas integradas
Domina los procesos PVT y HTCVD, logrando la producción de pequeños lotes de obleas de 8 pulgadas con un rendimiento líder en la industria.
Personalización: ofrece flexibilidad en el diámetro (153 ∼ 208 mm) y un procesamiento especializado (por ejemplo, trincheras, recubrimiento).

2. Hoja de ruta estratégica
Innovación tecnológica: Desarrollo de la epitaxia de fase líquida (LPE) para reducir los defectos y avanzar en la producción en masa de obleas de 12 pulgadas (reducción de costes del 30% para 2025).
Expansión del mercado: colaboración con los sectores de los vehículos eléctricos y las energías renovables, integración de heterostructuras GaN-on-SiC para sistemas de próxima generación.

Método PVT/HTCVD para hornos de crecimiento de cristales de SiC:

El horno de crecimiento de cristales de SiC PVT/HTCVD de ZMSH: