Sustrato epitaxial de SiC de 8 pulgadas, grado MOS, grado Prime, tipo 4H-N, diámetro grande

Substrato epitaxial SiC de 8 pulgadas grado MOS grado primario grado 4H-N tipo gran diámetro

Como un facilitador fundamental del avance de la tercera generación de semiconductores, nuestras obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas logran dos avances en el rendimiento del material y la eficiencia de fabricación.Con una superficie utilizable del 78% más grande (200 mm) frente a. las obleas de 6 pulgadas y la densidad de defectos < 0,2/cm2 a través de la producción localizada, reducen los costos de los dispositivos SiC en > 30%.impulsar la sustitución nacional y la competitividad mundial.

Especificaciones del producto de una oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas

Características clave de una oblea epitaxial SiC de 8 pulgadas

1Innovación de procesos

• Alcanza una tasa de crecimiento epitaxial de 68,66 μm/h (25% más rápida que las herramientas importadas) a través de MOCVD doméstico, con <50 μm de deformación de la página a través de una unión de bajo estrés para el corte automático.Este proceso de alto rendimiento permite ciclos de producción 20% más rápidos en comparación con los métodos convencionales.

2Descubrimientos materiales

• La concentración del portador graduado (5×1013~1×1019cm−3) reduce el SiC MOSFET R_{D (en)}El perfil de dopaje optimizado también mejora la eficiencia de conmutación en un 15% a altas frecuencias (> 100 kHz).

3. Robustez ambiental

• La pasivación resistente a la humedad mantiene la estabilidad eléctrica > 1000h a 85°C/85% RH, lo que permite sistemas de almacenamiento de energía tropical..