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Sustrato epitaxial de SiC de 8 pulgadas, grado MOS, grado Prime, tipo 4H-N, diámetro grande

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Sustrato epitaxial de SiC de 8 pulgadas, grado MOS, grado Prime, tipo 4H-N, diámetro grande

Ampliación de imagen : Sustrato epitaxial de SiC de 8 pulgadas, grado MOS, grado Prime, tipo 4H-N, diámetro grande

Datos del producto:

Place of Origin:	CHINA
Nombre de la marca:	ZMSH
Certificación:	rohs
Model Number:	8inch SiC Epitaxial Wafer

Pago y Envío Términos:

Minimum Order Quantity:	25
Precio:	by case
Packaging Details:	package in 100-grade cleaning room
Delivery Time:	2-4 weeks
Payment Terms:	T/T
Supply Ability:	1000pcs per month

Contacto

Descripción detallada del producto

Diameter:	200mm	Thickness:	500 ±25μm
Epitaxial Thickness:	5-20μm (customizable)	Surface Defect Density:	≤0.5/cm²
Electron Mobility:	≥1000 cm²/(V·s)	Supported Devices:	MOSFET, SBD, JBS, IGBT
Resaltar:	Sustrato epitaxial de SiC de 8 pulgadas , Epitaxial de SiC de 8 pulgadas , Grado MOS de SiC de 8 pulgadas

Resumen del producto de una oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas

Substrato epitaxial SiC de 8 pulgadas grado MOS grado primario grado 4H-N tipo gran diámetro

Como un facilitador fundamental del avance de la tercera generación de semiconductores, nuestras obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas logran dos avances en el rendimiento del material y la eficiencia de fabricación.Con una superficie utilizable del 78% más grande (200 mm) frente a. las obleas de 6 pulgadas y la densidad de defectos < 0,2/cm2 a través de la producción localizada, reducen los costos de los dispositivos SiC en > 30%.impulsar la sustitución nacional y la competitividad mundial.

Especificaciones del producto de una oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas

Parámetro

Especificación

Diámetro

200 mm

El grosor

500 ± 25 μm

Espesor epitaxial

5-20 μm (se puede personalizar)

Uniformidad del grosor

≤ 3%

Uniformidad del dopaje (tipo n)

≤ 5 por ciento

Densidad de defectos superficiales

≤ 0,5/cm2

Roughness de la superficie (Ra)

≤ 0,5 nm (escaneo AFM de 10 μm × 10 μm)

Campo de descomposición

≥ 3 MV/cm

Movilidad de los electrones

Se aplicarán las siguientes medidas:

Concentración del portador

5×1013 ~ 1×1019 cm−3 (tipo n)

Orientación cristalina

4H-SiC (fuera del eje ≤ 0,5°)

Resistencia de la capa de amortiguador

1×1018 Ω·cm (tipo n)

Certificación para el sector del automóvil

Conforme con la norma IATF 16949

Prueba HTRB (175°C/1000h)

Desviación de parámetros ≤ 0,5%

Dispositivos soportados

Se aplican las siguientes medidas:

Características clave de una oblea epitaxial SiC de 8 pulgadas

1Innovación de procesos

Alcanza una tasa de crecimiento epitaxial de 68,66 μm/h (25% más rápida que las herramientas importadas) a través de MOCVD doméstico, con <50 μm de deformación de la página a través de una unión de bajo estrés para el corte automático.Este proceso de alto rendimiento permite ciclos de producción 20% más rápidos en comparación con los métodos convencionales.

2Descubrimientos materiales

La concentración del portador graduado (5×1013~1×1019cm−3) reduce el SiC MOSFET R_{D (en)}El perfil de dopaje optimizado también mejora la eficiencia de conmutación en un 15% a altas frecuencias (> 100 kHz).

3. Robustez ambiental

La pasivación resistente a la humedad mantiene la estabilidad eléctrica > 1000h a 85°C/85% RH, lo que permite sistemas de almacenamiento de energía tropical..

- ¿ Qué?Aplicaciónde lasUna oblea epitaxial de 8 pulgadas de SiC

Sustrato epitaxial de SiC de 8 pulgadas, grado MOS, grado Prime, tipo 4H-N, diámetro grande 1

1. Vehículos eléctricos

Activa inversores de tracción de 800 V con una eficiencia del 97%, 350 kW de potencia máxima y un alcance de 1000 km.

2Carga muy rápida.

Integra módulos de SiC de 1200V en cargadores refrigerados por líquido para una recarga de 600 kW/10-minuto de 500 km.

3Energía Aeroespacial

Módulos resistentes a la radiación para satélites (-55°C~200°C, 200W/in3), que apoyan las misiones en el espacio profundo.

4Computación cuántica

Funcionamiento estable a 4K en refrigeradores de dilución, extendiendo la coherencia de qubits > 1000μs.

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Las preguntas frecuentes deUna oblea epitaxial de 8 pulgadas de SiC

1P: ¿Cuáles son las principales ventajas de las obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas?

R: las obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas permiten una mayor densidad de potencia y menores costos de fabricación en comparación con las obleas de 6 pulgadas, soportando un 150% más de matriz por obleas y un 30% menos de desperdicio de material..

2P: ¿Qué industrias usan obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas?- ¿ Qué?

R: Crítico para inversores de EV, inversores solares y estaciones base 5G debido a una conductividad térmica 10 veces mayor y un intervalo de banda 3 veces más amplio que el silicio.

Etiquetas: #8 pulgadas de Wafer SiC epitaxial,#Substrato de carburo de silicio,#Diámetro 200 mm, # espesor 500 μm, # tipo H-N, # grado MOS, # grado primario, # gran diámetro

etiqueta:

Persona de Contacto: Mr. Wang

Teléfono: +8615801942596

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8inch SiC Epitaxial Wafer Diameter 200mm Thickness 500μm 4H-N Type

Diameter: 200mm

Thickness: 500 ±25μm

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Surface Defect Density: ≤0.5/cm²

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Diámetro/Grosor: Personalizado

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Estructura de cristal: Cristal único 4H-SiC

Tamaño: 2 pulgadas

Diámetro de la oblea: 50.8±0.5mm

Tipo de dopaje: N-type/P-type