Oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas Diámetro 200 mm Espesor 500 μm 4H-Tipo N
Como proveedor de materiales centrales en la cadena de la industria SiC de China, ZMSH desarrolla de forma independiente obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas basadas en una plataforma de tecnología de crecimiento de obleas de gran diámetro madura. Utilizando la Deposición Química de Vapor (CVD), se forma una película monocristalina uniforme en nuestro sustrato de SiC de alta pureza. Las características clave incluyen:
- Espesor de la capa epitaxial: 5-20 μm (uniformidad ±3%)
- Desviación de la concentración de dopaje: <5%
- Densidad de defectos superficiales asesinos: <0.5/cm²
- Baja concentración de fondo: <1×10¹⁴ cm⁻³
- Eficiencia de conversión BPD: >99%
En comparación con las obleas tradicionales de 6 pulgadas, la oblea de 8 pulgadas aumenta el área utilizable en un 78%, reduciendo los costos unitarios de los dispositivos en ~30% a través de la producción automatizada, lo que la hace ideal para vehículos eléctricos, fuentes de alimentación industriales y otras aplicaciones a gran escala.
Especificaciones del producto de la oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas
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Parámetro
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Especificación
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Diámetro
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200 mm
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Espesor
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500 ±25 μm
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Espesor epitaxial
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5-20 μm (personalizable)
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Uniformidad del espesor
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≤3%
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Uniformidad de dopaje (tipo n)
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≤5%
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Densidad de defectos superficiales
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≤0.5/cm²
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Rugosidad superficial (Ra)
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≤0.5 nm (escaneo AFM de 10 μm × 10 μm)
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Campo de ruptura
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≥3 MV/cm
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Movilidad de electrones
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≥1000 cm²/(V·s)
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Concentración de portadores
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5×10¹³~1×10¹⁹ cm⁻³ (tipo n)
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Orientación cristalina
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4H-SiC (fuera de eje ≤0.5°)
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Resistividad de la capa tampón
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1×10¹⁸ Ω·cm (tipo n)
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Certificación automotriz
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Cumple con IATF 16949
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Prueba HTRB (175°C/1000h)
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Deriva de parámetros ≤0.5%
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Dispositivos compatibles
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MOSFET, SBD, JBS, IGBT
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Características clave de la oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas
1. Control de proceso de precisión
- El flujo de gas de circuito cerrado y el monitoreo de temperatura en tiempo real permiten el control del espesor/dopaje a nanoescala, la oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas admite diseños de dispositivos de 600-3300 V.
2. Densidad de defectos ultrabaja
- Defectos superficiales <0.2/cm², densidad de dislocación ~10³ cm⁻³, asegurando <1% de degradación del rendimiento después de 100k ciclos térmicos.
3. Compatibilidad de materiales
- Optimizado para 4H-SiC, la oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas es personalizable con capas de tipo n/semiaislantes, cumpliendo con los estrictos requisitos de RON (<2 mΩ·cm²) and breakdown strength (>3 MV/cm).
4. Estabilidad ambiental
- La pasivación resistente a la corrosión mantiene <0.5% de deriva eléctrica a 85°C/85% HR durante 1000h.
Aplicación de la oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas
1. Vehículos eléctricos
- Material central para inversores de tracción y OBC, que permite plataformas de 800 V con una eficiencia de más del 95% y una carga máxima de 600 kW.
2. Almacenamiento solar/energético
- Los inversores de cadena con un 99% de eficiencia reducen las pérdidas del sistema en un 50%, lo que aumenta la TIR del proyecto en un 3-5%.
3. Energía industrial
- La oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas permite una conmutación de >100 kHz en PFC de servidor y convertidores de tracción, logrando una densidad de potencia de 100 W/in³.
4. Comunicaciones 5G
- Sustrato de baja pérdida para dispositivos RF GaN, la oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas está mejorando la eficiencia de PA de la estación base al 75% con integridad de señal multicanal.
Recomendaciones de productos relacionados
Las obleas epitaxiales de SiC de 6 pulgadas de ZMSH presentan películas monocristalinas 4H-SiC de alta calidad cultivadas mediante CVD en sustratos de primera calidad, que ofrecen un espesor de 5-30 μm con una uniformidad ≤3% y una densidad de defectos <0.5/cm². Optimizadas para dispositivos de potencia de 650 V-3.3 kV (MOSFET/SBD), permiten un Ron un 20% más bajo y una eficiencia de conmutación un 15% mayor que las soluciones de silicio, ideales para cargadores de vehículos eléctricos y convertidores industriales.
Preguntas frecuentes sobre la oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas
1. P: ¿Cuáles son las ventajas de las obleas epitaxiales de SiC de 8 pulgadas sobre las de 6 pulgadas?
R: Las obleas de 8 pulgadas proporcionan un 78% más de área utilizable, lo que reduce los costos de los chips en ~30% a través de un mayor rendimiento y mejores economías de escala para vehículos eléctricos y dispositivos de potencia.
2. P: ¿Cómo se compara la densidad de defectos de la oblea de SiC de 8 pulgadas con la del silicio?
R: Las obleas epi de SiC de 8 pulgadas avanzadas logran <0.5 defectos/cm² frente a los 99% asegurando la fiabilidad del dispositivo de potencia.
Etiquetas: #Oblea epitaxial de SiC de 8 pulgadas, #Sustrato de carburo de silicio, #Diámetro 200 mm, #Espesor 500 μm, #Tipo 4H-N
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