En el caso de los productos que no estén incluidos en la lista de productos, se utilizará el método siguiente:Tipo HPSI 4H-P 6H-P
Sobre el 3C-N SiC
- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones
- un cristal cúbico (3C SiC), hecho de monocristal SiC
- Alta dureza, la dureza de Mohs alcanza 9.2, sólo superado por el diamante.
- excelente conductividad térmica, adecuada para ambientes de alta temperatura.
- características de banda ancha, adecuadas para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.
Descripción del SiC 3C-N
La oblea de carburo de silicio (SiC) tipo 3C-N de 4 pulgadas se caracteriza por su estructura de cristal cúbico, que difiere de la estructura hexagonal que se ve típicamente en las obletas 4H-SiC.
En el 3C-SiC, los átomos de silicio y carbono están dispuestos en una red cúbica, similar a la estructura del diamante, dándole propiedades únicas que se destacan en ciertas aplicaciones.
Una de las principales ventajas del 3C-SiC es su mayor movilidad de electrones y velocidad de saturación.
En comparación con el 4H-SiC, el 3C-SiC permite un movimiento de electrones más rápido y una mayor capacidad de manejo de energía, lo que lo convierte en un material prometedor para dispositivos electrónicos de potencia.
Esta propiedad, combinada con la relativa facilidad de fabricación y el menor costo, posiciona al 3C-SiC como una solución más rentable en la producción a gran escala.
Además, las obleas 3C-SiC son particularmente adecuadas para dispositivos electrónicos de alta eficiencia.
La excelente conductividad térmica y estabilidad del material le permiten funcionar bien en condiciones adversas que involucran altas temperaturas, presión y frecuencias.
Como resultado, el 3C-SiC es ideal para su uso en vehículos eléctricos, inversores solares y sistemas de gestión de energía, donde la alta eficiencia y fiabilidad son críticas.
Actualmente, los dispositivos 3C-SiC se construyen principalmente en sustratos de silicio, aunque los desafíos siguen siendo debido a las discrepancias de la red y el coeficiente de expansión térmica, que afectan el rendimiento.
Sin embargo, el desarrollo de obleas 3C-SiC a granel es una tendencia creciente, que se espera que impulse avances significativos en la industria de la electrónica de potencia,especialmente para dispositivos del rango de voltaje 600-1200 V.
Más detalles sobre el 3C-N SiC
| Propiedad |
Tipo N 3C-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red |
a=4,349 Å |
| Secuencia de apilamiento |
El ABC |
| Dureza de Mohs |
≈ 9.2 |
| Densidad |
2.36 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica |
3.8×10-6/K |
| Indice de refracción @750nm |
n=2.615 |
| Constante dieléctrico |
C ~ 9.66 |
| Conductividad térmica |
3 a 5 W/cm·K@298K |
| La banda-brecha |
2.36 eV |
| Campo eléctrico de ruptura |
2-5×106V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación |
2.7×107m/s |
Otras muestras de 3C-N SiC
*Además, aceptamos la personalización si usted tiene requisitos de especificación.
Sobre nosotros
Nuestra empresa, ZMSH, se especializa en la investigación, producción, procesamiento y ventas de sustratos de semiconductores y materiales ópticos de cristal.
Tenemos un equipo de ingeniería experimentado, y la experiencia de gestión en el equipo de procesamiento, e instrumentos de prueba, que nos proporcionan capacidades extremadamente fuertes en el procesamiento de productos no estándar.
Podemos investigar, desarrollar y diseñar varios productos nuevos de acuerdo con las necesidades del cliente.
La empresa se adherirá al principio de "centrada en el cliente, basada en la calidad" y se esforzará por convertirse en una empresa de alta tecnología de primer nivel en materiales optoelectrónicos.
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Preguntas frecuentes
1- ¿ Qué?:¿Necesita sustituirse con frecuencia el SiC 3C-N?
R: No, el SiC 3C-N no necesita ser reemplazado con frecuencia debido a su excepcional durabilidad, estabilidad térmica y resistencia al desgaste.
2P: ¿Se puede cambiar el color de 3C-N sic?
R: Teóricamente, el color del 3C-SiC puede ser alterado mediante tratamientos de superficie o recubrimientos, pero esto no es común.o propiedades electrónicas, por lo que debe hacerse con cuidado para evitar efectos negativos en el rendimiento.
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