Descripción del producto:
Wafer SIC de carburo de silicio 10*10 mm 6H-P espesor 350μm para dispositivos de alta potencia
6H-SiC (carburo de silicio hexagonal) es un material semiconductor de banda ancha con buena conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas,que se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuenciaEl doping de tipo P se logra mediante la introducción de elementos como el aluminio (Al), que hace que el material sea electropositivo y adecuado para diseños específicos de dispositivos electrónicos.que es adecuado para funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje. La conductividad térmica es superior a muchos materiales semiconductores tradicionales y ayuda a mejorar la eficiencia del dispositivo..
En el campo de la electrónica de potencia, se puede utilizar para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT.tiene un excelente rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia y se utiliza ampliamente en equipos de comunicaciónEn el campo de la tecnología LED, se puede utilizar como material básico para dispositivos LED azules y ultravioleta.
Características:
· elBrecha de banda ancha: La brecha de banda es de aproximadamente 3,0 eV, lo que la hace adecuada para aplicaciones de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia.
· elExcelente conductividad térmica: con una buena conductividad térmica, ayuda a la disipación de calor, mejora el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.
· elAlta resistencia y dureza: alta resistencia mecánica, anti fragmentación y anti desgaste, adecuada para su uso en ambientes hostiles.
· elMovilidad de electrones: el dopaje tipo P mantiene una movilidad relativamente alta de los portadores, lo que permite el uso de dispositivos electrónicos eficientes.
· elPropiedades ópticas: con propiedades ópticas únicas, adecuadas para el campo de la optoelectrónica, como LED y láseres.
· elEstabilidad química: buena resistencia a la corrosión química, adecuada para ambientes de trabajo adversos.
· elFuerte adaptabilidad: puede combinarse con una variedad de materiales de sustrato, adecuados para una variedad de escenarios de aplicación.
Parámetros técnicos:
Aplicaciones:
· elElectrónica de potencia: Se utiliza para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT, que se utilizan ampliamente en convertidores de frecuencia, gestión de energía y vehículos eléctricos.
· elEquipo de RF y microondas: se utiliza en amplificadores de alta frecuencia, amplificadores de potencia de RF, adecuados para sistemas de comunicación y radar.
· elOptoelectrónica: Se utiliza como sustrato en LED y láseres, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.
· elSensores de alta temperatura: debido a su buena estabilidad térmica, son adecuados para sensores de alta temperatura y equipos de monitoreo.
· elEnergía solar y sistemas energéticos: se utilizan en inversores solares y otras aplicaciones de energía renovable para mejorar la eficiencia de conversión de energía.
· elElectrónica automotriz: optimización del rendimiento y ahorro de energía en el sistema de alimentación de vehículos eléctricos e híbridos.
· elEquipo eléctrico industrial: módulos de potencia para una amplia gama de equipos y máquinas de automatización industrial para mejorar la eficiencia energética y la fiabilidad.
Personalización:
Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 6H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pc/mes. El tamaño del sustrato de SiC es de 10*10 mm. El lugar de origen es China.
Nuestros servicios:
1Fabricación y venta directa.
2Citas rápidas y precisas.
3Responderemos en 24 horas laborales.
4. ODM: diseño personalizado es disponible.
5Velocidad y entrega preciosa.
¡Su mensaje debe tener entre 20 y 3.000 caracteres!
