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4H-SEMI pulió sic la dureza de la lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de la oblea para el material del dispositivo

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4H-SEMI pulió sic la dureza de la lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de la oblea para el material del dispositivo

Ampliación de imagen : 4H-SEMI pulió sic la dureza de la lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de la oblea para el material del dispositivo

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	zmsh
Número de modelo:	sic-6inch 4h-n

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1pcs
Precio:	by case
Detalles de empaquetado:	por el caso modificado para requisitos particulares
Tiempo de entrega:	15days dentro

Contacto

Descripción detallada del producto

industria:	substrato del semiconductor	materiales:	sic cristalino
uso:	5G, material del dispositivo, MOCVD, electrónica de poder	Tipo:	4H-N, semi, ningún dopado
color:	verde, azul, blanco	hardeness:	9,0 para arriba
Resaltar:	sic oblea , sic substrato

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1. Descripción

Propiedad	4H-SiC, solo cristal	6H-SiC, solo cristal
Parámetros del enrejado	a=3.076 Å c=10.053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia	ABCB	ABCACB
Dureza de Mohs	≈9.2	≈9.2
Densidad	3,21 g/cm3	3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente de la extensión	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Índice @750nm de la refracción	ningunos = 2,61 ne = 2,66	ningunos = 2,60 ne = 2,65
Constante dieléctrica	c~9.66	c~9.66
Conductividad termal (N-tipo, 0,02 ohm.cm)	a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K
Conductividad termal (semiaislante)	a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K	a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K
Banda-Gap	eV 3,23	eV 3,02
Campo eléctrico de la avería	los 3-5×106V/cm	los 3-5×106V/cm
Velocidad de deriva de la saturación	2.0×105m/s	2.0×105m/s

2. Describtion material del tamaño

especificación del substrato del carburo de silicio de 6 pulgadas de diámetro (sic)


Grado		Grado de Z	Grado de P	Grado de R	Grado de D

		MPD CERO	Producción	Grado de la investigación	Grado simulado

Diámetro		150mm±0.5 milímetro

Grueso		350 μm±25μm o 500±25um o por tamaño modificado para requisitos particulares

Orientación de la oblea		De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N

Densidad de Micropipe		≤1cm-2	cm2s ≤5	cm2s ≤15	cm2s ≤50

Resistencia	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm

	4/6H-SI	>1E5 Ω·cm

Plano primario		{10-10} ±5.0°

Longitud plana primaria		47.5mm±2.5 milímetro

Exclusión del borde		3m m

TTV/Bow /Warp		≤15μm/≤40μm/≤60μm

Aspereza		Ra≤1 polaco nanómetro

		CMP Ra≤0.5 nanómetro

		Ninguno	Ninguno	1 permitida, ≤1 milímetro
Grietas por la luz de intensidad alta

Placas del hex. por la luz de intensidad alta		Area≤ acumulativo el 1%	Area≤ acumulativo el 1%	Area≤ acumulativo el 3%

		Ninguno	Area≤ acumulativo el 2%	El area≤5% acumulativo
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta

		3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer	5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer	8 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer
Rasguños por la luz de intensidad alta

Microprocesador del borde		Ninguno	3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno	5 permitida, ≤1 milímetro cada uno

Contaminación por la luz de intensidad alta		Ninguno

3. productos

Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?

A: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y

La carga está de acuerdo con el acuerdo real.

Q: ¿Cómo pagar?

A: Depósito de T/T el 100% antes de la entrega.

Q: ¿Cuál es su MOQ?

A: (1) para el inventario, el MOQ es 1pcs. si 2-5pcs él es mejor.

(2) para los productos comunes modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba.

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

A: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 -4 semanas después de que usted pide el contacto.

Q: ¿Usted tiene productos estándar?

A: Nuestros productos estándar en existencia. como como los substratos 4inch 0.35m m.

Thanks~~~

etiqueta:

Persona de Contacto: Mr. Wang

Teléfono: +8615801942596

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Índice de refracción a: > 2.6 @550 nm

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