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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso
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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro
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4H-N carburo de silicio SiC sustrato 2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Prime Grade Dummy Grade
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Wafer de carburo de silicio tipo 4H-P en el eje 0°Utilizado para la fabricación de dispositivos de alta potencia
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Sic Substrato de carburo de silicio tipo 6H-P en el eje 0° Dureza de Mohs 9.2 para dispositivo láser
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Substrato 3C-SiC tipo N Grado de producto para comunicaciones 5G
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Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicaciones y radares Diámetro 150 mm Prime Grade
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Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas 4H-P Diámetro 150 mm espesor 350 μm Producción de MPD cero, grado de producción estándar
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Wafer de carburo de silicio SIC Substrato 4H-P Tipo fuera del eje 4,0° hacia cero Grado para sensor de temperatura
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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo de grado MOS
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Substrato SiC de 6 pulgadas 4H-SEMI para gafas AR y dispositivos RF 5G
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4 de H-N Type Semi-Insulating obleas del carburo de silicio de los substratos 2inch 3inch 4inch sic