Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Model Number: 6H-N SiC
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Payment Terms: T/T
El material: |
Monocristales de SiC |
El tipo: |
6H-N |
Tamaño: |
2 pulgadas |
El grosor: |
350 mm o 650 mm |
Grado: |
Grado P o Grado D |
Dureza: |
≈ 9.2 (Mohs) |
El material: |
Monocristales de SiC |
El tipo: |
6H-N |
Tamaño: |
2 pulgadas |
El grosor: |
350 mm o 650 mm |
Grado: |
Grado P o Grado D |
Dureza: |
≈ 9.2 (Mohs) |
El sustrato monocristalino de carburo de silicio (SiC) de tipo 6H n es un material semiconductor esencial ampliamente utilizado en aplicaciones electrónicas de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura.Conocido por su estructura cristalina hexagonal, el 6H-N SiC ofrece una amplia banda ancha y una alta conductividad térmica, lo que lo hace ideal para entornos exigentes.
El campo eléctrico de alta degradación de este material y la movilidad de los electrones permiten el desarrollo de dispositivos electrónicos de potencia eficientes, como MOSFET y IGBT,que pueden funcionar a voltajes y temperaturas más altos que los fabricados con silicio tradicionalSu excelente conductividad térmica garantiza una disipación de calor eficaz, crítica para mantener el rendimiento y la fiabilidad en aplicaciones de alta potencia.
En aplicaciones de radiofrecuencia (RF), las propiedades del SiC 6H-N apoyan la creación de dispositivos capaces de operar a frecuencias más altas con una mayor eficiencia.Su estabilidad química y su resistencia a la radiación también lo hacen adecuado para su uso en ambientes hostiles, incluidos los sectores aeroespacial y de defensa.
Además, los sustratos de SiC 6H-N son parte integral de los dispositivos optoelectrónicos, como los fotodetectores ultravioleta, donde su amplia banda permite una detección eficiente de la luz UV.La combinación de estas propiedades hace que el SiC de tipo 6H n sea un material versátil e indispensable para avanzar en las tecnologías electrónicas y optoelectrónicas modernas.
| Propiedad | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único |
| Parámetros de la red | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Secuencia de apilamiento | El ABCB | El ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidad | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 4 a 5 × 10 a 6/K | 4 a 5 × 10 a 6/K |
| Indice de refracción @750nm | no = 2.61 | no = 2.60 |
| n = 2.66 | n = 2.65 | |
| Constante dieléctrica | C ~ 9.66 | C ~ 9.66 |
|
Conductividad térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a ~ 4,2 W/cm·K@298K | |
| C ~ 3,7 W/cm·K@298K | ||
|
Conductividad térmica (Semi-aislante) |
a ~ 4,9 W/cm·K@298K | a~4,6 W/cm·K@298K |
| C ~ 3,9 W/cm·K@298K | C ~ 3,2 W/cm·K@298K | |
| - ¿ Qué haces? | 3.23 eV | 3.02 eV |
| Campo eléctrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm |
| Velocidad de deriva de saturación | 2.0 × 105 m/s | 2.0 × 105 m/s |
Los sustratos de SiC (carburo de silicio) se utilizan en varias aplicaciones de alto rendimiento debido a sus propiedades únicas, como alta conductividad térmica, alta resistencia al campo eléctrico y amplia banda.Aquí hay algunas aplicaciones:
Electrónica de potencia:
Dispositivos de alta frecuencia:
Electrónica de alta temperatura:
Optoelectrónica:
Sistemas de energía renovable:
Industria y Defensa:
Podemos personalizar el tamaño del sustrato SiC para satisfacer sus requisitos específicos. También ofrecemos una oblea SiC 4H-Semi HPSI con un tamaño de 10x10mm o 5x5mm.
El precio está determinado por el caso, y los detalles del embalaje se pueden personalizar a su preferencia.
El tiempo de entrega es de 2-4 semanas. Aceptamos el pago a través de T/T.
Nuestro producto de sustrato de SiC viene con soporte técnico y servicios integrales para garantizar un rendimiento óptimo y la satisfacción del cliente.
Nuestro equipo de expertos está disponible para ayudar con la selección del producto, la instalación y la solución de problemas.
Ofrecemos formación y educación sobre el uso y mantenimiento de nuestros productos para ayudar a nuestros clientes a maximizar su inversión.
Además, proporcionamos actualizaciones y mejoras continuas de productos para garantizar que nuestros clientes siempre tengan acceso a la última tecnología.
P: ¿Se pueden utilizar sustratos de SiC 6H-N de 2 pulgadas para todos los tipos de dispositivos semiconductores?
R: Si bien los sustratos de SiC 6H-N de 2 pulgadas son versátiles, son particularmente adecuados para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.
Pueden no ser ideales para todos los tipos de dispositivos semiconductores, especialmente aquellos que no requieren las propiedades únicas del SiC.
P: ¿Cuáles son las dimensiones y especificaciones típicas para un sustrato de SiC 6H-N de 2 pulgadas?
R: Las dimensiones típicas incluyen un diámetro de 2 pulgadas (50,8 mm), un grosor de alrededor de 300-500 micrómetros y requisitos específicos de calidad y planitud de la superficie.
Las especificaciones exactas pueden variar según el fabricante y la aplicación prevista.
P: ¿Cómo maneja y almacena sustratos de SiC 6H-N de 2 pulgadas?
R: Debido a su fragilidad, los sustratos de SiC deben manejarse con cuidado utilizando guantes de sala limpia y herramientas de manejo adecuadas.
Deben almacenarse en un entorno controlado para evitar la contaminación y el daño.
