Carburo de silicio (SiC) de alta pureza en polvo 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Tamaño de partícula SIC Crecimiento de cristal

Carburo de silicio (SiC) de alta pureza en polvo 99,9999% (6N) HPSI Tipo 100μm Tamaño de partícula SIC Crecimiento de cristal

El polvo de carburo de silicio (SiC), como material principal para semiconductores de tercera generación, presenta una alta conductividad térmica (490 W/m·K), dureza extrema (Mohs 9,5) y un amplio intervalo de banda (3,2 eV).Se utiliza principalmente para el crecimiento de cristales de SiC, preparación del sustrato del dispositivo de potencia y sinterización cerámica a alta temperatura, con síntesis de ultra alta pureza (≥ 99,9999%) y control preciso del tamaño de las partículas (50 nm~200 μm),cumple los requisitos de los hornos de crecimiento de cristales PVT y los equipos epitaxiales CVD.

Características

· Pureza: control de impurezas metálicas de grado 6N (99,9999%) para polvo de SiC tipo HPSI;
· Forma cristalina: politipos 4H/6H controlables en polvo de SiC HPSI;
· Tamaño de partícula: ajustable a 50 nm/200 μm (distribución D50 ±5%) para polvo de SiC semi-aislante de alta pureza;
· Dopaje: Dopaje de tipo N (nitrógeno) o tipo P (aluminio) personalizable en polvo de SiC de grado HPSI;

Aplicaciones

· elCrecimiento de cristales: método PVT para cristales simples de SiC de 4/6 pulgadas

· elSubstrato epitaxial: Preparación de obleas epitaxiales de SiC para dispositivos eléctricos

· elSinterización cerámica: componentes estructurales a alta temperatura (cojinetes/boquillas)

ZMSH SIC en polvo muestra

ZMSH con experiencia en materiales SiC y una planta de producción equipada con hornos de crecimiento de cristales PVT, proporcionamos soluciones integrales desde polvos de alta pureza hasta equipos de crecimiento de cristales.Nuestra pureza de polvo y consistencia de tamaño de partícula lideran la industria.