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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso
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Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicaciones y radares Diámetro 150 mm Prime Grade
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Substrato de carburo de silicio de 6 pulgadas 4H-P Diámetro 150 mm espesor 350 μm Producción de MPD cero, grado de producción estándar
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De la pureza elevada de silicio del carburo oblea sin impurificar sic, substrato del carburo de silicio de 6Inch 4H-Semi sic
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SiC Ingot 6 pulgadas Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Ingot de alta dureza Ingot
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Sic Substrato de carburo de silicio tipo 6H-P en el eje 0° Dureza de Mohs 9.2 para dispositivo láser
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Substrato de carburo de silicio de cristal único de 12 pulgadas Sic Tamaño grande Diámetro de alta pureza 300 mm Grado del producto Para comunicación 5G
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obleas de GaN-EN-SIC EPI de la oblea del nitruro del galio de 4inch 6inch
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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H-P Tipo fuera del eje 2,0 ° hacia el grado de producción
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SiC semi-isolante en Wafer compuesto de Si 4H-SEMI sustrato tipo P tipo N espesor 500um
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Wafer de carburo de silicio tipo 4H-P en el eje 0°Utilizado para la fabricación de dispositivos de alta potencia
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Wafer de carburo de silicio Sic 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P Grado de producción para electrónica de potencia