Horno de crecimiento de cristales de alta calidad PVT LPE HT-CVD método de crecimiento de cristales simples

Horno de crecimiento de cristales de alta calidad PVT LPE HT-CVD método de crecimiento de cristales simples

El horno de crecimiento de cristales de carburo de silicio es el equipo básico para lograr la preparación de cristales de SiC de alta calidad.El método LPE y el método HT-CVD son tres métodos de crecimiento de cristal único de carburo de silicio comúnmente utilizados.

Al sublimar el polvo de sic a alta temperatura y recristalizarlo en el cristal de semilla, se puede lograr un crecimiento de cristal único de SIC de alta pureza y calidad mediante el método PVT.El método LPE utiliza la tecnología de epitaxia de fase líquida para cultivar cristales de carburo de silicio de alta calidad y alta pureza en el sustrato de carburo de silicio, lo que puede mejorar en gran medida la velocidad de producción y la calidad del cristal.Los cristales de carburo de silicio de alta pureza y de bajo defecto se depositan en los cristales de semilla por pirólisis de gas de alta pureza a alta temperatura..

Basado en las características de alta temperatura, alto vacío y control preciso del horno de crecimiento de cristal único de carburo de silicio,Podemos diseñar soluciones de crecimiento personalizadas para lograr una producción eficiente y estable de gran tamaño y de alta calidad de cristales simples de carburo de silicio.
 

Características:

1Transferencia física de vapor (TFP)
 
 
 
● Proceso: El polvo de SiC se sublima en la región de alta temperatura (> 2000°C), el gas de SiC se transporta a lo largo del gradiente de temperatura y el SiC se condensa en cristales en la cola más fría
 
 
● característica clave:
● Los componentes clave, como el crisol y el porta semillas, están hechos de grafito de alta pureza.
● El horno Sic está equipado con termopares y sensores infrarrojos.
● El horno de cristal Sic utiliza un sistema de vacío y flujo de gas inerte.
● El horno Sic está equipado con un sistema avanzado de controlador lógico programable (PLC) para lograr el control automático del proceso de crecimiento.
● Para garantizar el funcionamiento estable a largo plazo del horno de SiC, el sistema integra funciones de refrigeración y tratamiento de gases de escape.
 
 
● Ventajas: Bajo costo de los equipos, estructura simple, es el método de crecimiento de cristales más común
 
 
● Aplicación: Preparación de cristales de SiC de alta calidad
 
 
 
 
2Precipitación de vapor químico a alta temperatura (HTCVD)

 
 
● Proceso: SiH4, C2H4 y otros gases de reacción pasan a través del gas portador desde el fondo del reactor, reaccionan en la zona central caliente y forman grupos de SiC,sublimado a la parte superior del crecimiento del cristal de semilla del reactor, la temperatura del proceso es de 1800-2300°C
 
 
● característica clave:
● El método de deposición de vapor a alta temperatura utiliza el principio del acoplamiento electromagnético;
● Durante el crecimiento, la cámara de crecimiento se calienta a 1800°C-2300°C mediante bobina de inducción;
● El gas SiH4+C3H8 o SiH4+C2H4 se alimenta de forma estable en la cámara de crecimiento, que es transportada por He y H2 y transportada hacia arriba en dirección del cristal de semilla,proporcionando una fuente de Si y una fuente de C para el crecimiento del cristal, y la realización del crecimiento del cristal de SiC en el cristal de semilla;
● La temperatura en el cristal de semilla es inferior al punto de evaporación del SiC,para que la fase de vapor del carburo de silicio pueda condensarse en la superficie inferior del cristal de semilla para obtener lingotes puros de carburo de silicio.
 
 
● Ventajas: menos defectos, alta pureza, fácil dopaje
 
 
● Aplicación: Se elaboran cristales de carburo de silicio de alta pureza y calidad
 
 
 
 
 
3. Método de fase líquida (LPE)
 
 
 
● Proceso: La solución de carbono y silicio se disuelve a 1800 °C, y el cristal de SiC se precipita de la solución saturada superenfriada
 
 
● característica clave:
● Se logra un crecimiento epitaxial de alta calidad y se obtiene una baja densidad de defectos y una capa de cristal único de SiC de alta pureza.
● El método LPE puede optimizar la tasa de crecimiento y la calidad cristalina de la capa epitaxial.
●Es fácil lograr una producción industrial a gran escala, y las condiciones de crecimiento son relativamente suaves, y los requisitos de equipos son bajos.
 
 
● Ventajas: Bajo costo de crecimiento, baja densidad de defectos
 
 
● Aplicación:El crecimiento epitaxial de una capa de cristal único de carburo de silicio de alta calidad en un sustrato de carburo de silicio puede fabricar dispositivos electrónicos de alto rendimiento
 
 
 

Display de horno de crecimiento de cristal único de carburo de silicio: