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Sic Substrato de carburo de silicio 5.0*5.0mm Cuadrado Tipo 6H-P espesor 350μm grado cero grado falso

Name: Sic Substrato de carburo de silicio 5.0*5.0mm Cuadrado Tipo 6H-P espesor 350μm grado cero grado falso
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: China.

Nombre de la marca: ZMSH

Certificación: rohs

Número de modelo: 6H-P SiC

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10 por ciento

Precio: by case

Detalles de empaquetado: caja de plástico personalizada

Tiempo de entrega: en 30days

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 1000pc/month

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Detalles del producto

Descripción de producto

Resaltar: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Substrato de carburo de silicio Sic de grado cero, Substrato de carburo de silicio de 350 μm Sic, 5.0*5.0mm Sic Substrato de carburo de silicio
                              

Dureza de la superficie:	HV0.3>2500	Densidad:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:	4,5 X 10-6/K	Constante dieléctrica:	9,7
Resistencia a la tracción:	>400MPa	Material:	Monocristal de SiC
Tamaño:	5.0*5.0m m	Tensión de ruptura:	5,5 milivoltios/cm

Dureza de la superficie:	HV0.3>2500
Densidad:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansión térmica:	4,5 X 10-6/K
Constante dieléctrica:	9,7
Resistencia a la tracción:	>400MPa
Material:	Monocristal de SiC
Tamaño:	5.0*5.0m m
Tensión de ruptura:	5,5 milivoltios/cm

Sic Substrato de carburo de silicio 5.0*5.0mm Cuadrado Tipo 6H-P espesor 350μm grado cero grado falso

Descripción del producto:

Sic Substrato de carburo de silicio 5.0*5.0mm Cuadrado Tipo 6H-P espesor 350μm grado cero grado falso

6H-SiC (carburo de silicio hexagonal) es un material semiconductor de banda ancha con buena conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas,que se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuenciaEl doping de tipo P se logra mediante la introducción de elementos como el aluminio (Al), que hace que el material sea electropositivo y adecuado para diseños específicos de dispositivos electrónicos.que es adecuado para funcionar en ambientes de alta temperatura y alto voltaje. La conductividad térmica es superior a muchos materiales semiconductores tradicionales y ayuda a mejorar la eficiencia del dispositivo..

En el campo de la electrónica de potencia, se puede utilizar para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT.tiene un excelente rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia y se utiliza ampliamente en equipos de comunicaciónEn el campo de la tecnología LED, se puede utilizar como material básico para dispositivos LED azules y ultravioleta.

Características:

· elBrecha de banda ancha: La brecha de banda es de aproximadamente 3,0 eV, lo que la hace adecuada para aplicaciones de alta temperatura, alto voltaje y alta frecuencia.

· elExcelente conductividad térmica: con una buena conductividad térmica, ayuda a la disipación de calor, mejora el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.

· elAlta resistencia y dureza: alta resistencia mecánica, anti fragmentación y anti desgaste, adecuada para su uso en ambientes hostiles.

· elMovilidad de electrones: el dopaje tipo P mantiene una movilidad relativamente alta de los portadores, lo que permite el uso de dispositivos electrónicos eficientes.

· elPropiedades ópticas: con propiedades ópticas únicas, adecuadas para el campo de la optoelectrónica, como LED y láseres.

· elEstabilidad química: buena resistencia a la corrosión química, adecuada para ambientes de trabajo adversos.

· elFuerte adaptabilidad: puede combinarse con una variedad de materiales de sustrato, adecuados para una variedad de escenarios de aplicación.

Parámetros técnicos:

Aplicaciones:

· elElectrónica de potencia: Se utiliza para fabricar dispositivos de energía de alta eficiencia, como MOSFET y IGBT, que se utilizan ampliamente en convertidores de frecuencia, gestión de energía y vehículos eléctricos.
· elEquipo de RF y microondas: se utiliza en amplificadores de alta frecuencia, amplificadores de potencia de RF, adecuados para sistemas de comunicación y radar.

· elOptoelectrónica: Se utiliza como sustrato en LED y láseres, especialmente en aplicaciones azules y ultravioletas.

· elSensores de alta temperatura: debido a su buena estabilidad térmica, son adecuados para sensores de alta temperatura y equipos de monitoreo.

· elEnergía solar y sistemas energéticos: se utilizan en inversores solares y otras aplicaciones de energía renovable para mejorar la eficiencia de conversión de energía.

· elElectrónica automotriz: optimización del rendimiento y ahorro de energía en el sistema de alimentación de vehículos eléctricos e híbridos.

· elEquipo eléctrico industrial: módulos de potencia para una amplia gama de equipos y máquinas de automatización industrial para mejorar la eficiencia energética y la fiabilidad.

Personalización:

Nuestro sustrato de SiC está disponible en el tipo 6H-P y está certificado RoHS. La cantidad mínima de pedido es de 10pc y el precio es por caso. Los detalles de embalaje son cajas de plástico personalizadas.El tiempo de entrega es dentro de 30 días y aceptamos T / T términos de pagoNuestra capacidad de suministro es de 1000pc/mes.5.0*5.0 mmEl lugar de origen es China.

Nuestros servicios:

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes

¿Es su empresa una fábrica o una empresa comercial?

Somos la fábrica y también podemos exportar nosotros mismos.

P2.¿Dónde se encuentra su empresa?
Nuestra empresa está ubicada en Shanghai, China.

¿Cuánto tiempo tardará en obtener los productos?
En general, el proceso tardará 3~4 semanas. Depende de la cantidad y el tamaño de los productos.

Tags:

12 pulgadas de diámetro 300 mm SIC Substrato epitaxial Wafer pulido de carburo de silicio Ingot Prime Grade 4H-N Tipo conductor solar fotovoltaico

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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas Wafer de carburo de silicio SiC 4H-N Grado Dummy Rrime Grado Materiales semiconductores de alta dureza

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Wafer de carburo de silicio tipo 4H-P en el eje 0°Utilizado para la fabricación de dispositivos de alta potencia

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2 pulgadas 4H-N de carburo de silicio SiC Substrato de espesor 350um 500um Wafer de SiC Prime Grade Grade Dummy

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 4H-P Tipo fuera del eje 2,0 ° hacia el grado de producción

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2 pulgadas / 4 pulgadas / 6 pulgadas / 5,0 * 5,0 mm / 10,0 * 10,0 mm Sic Substrato de carburo de silicio Tipo 3C-N En el eje: < 111 > ± 0,5 ° Grado de producción Grado de simulacro

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2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas Sic Substrato de carburo de silicio 6H Tipo de alta P-dopaje Fuera del eje 4,0° hacia el grado primario grado falso

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Oblea de silicio de IC

Placa del cuarzo fundido

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5.0*5.0mm Sic Substrato de carburo de silicio

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Características:

Parámetros técnicos:

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