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SiC Ingot 6 pulgadas Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Ingot de alta dureza Ingot

Detalles del producto

Lugar de origen: China.

Nombre de la marca: ZMSH

Número de modelo: Ingot de SiC

Condiciones de pago y envío

Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas

Condiciones de pago: T/T

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Resaltar:

4H-N SiC Ingot

,

Ingot de SiC de alta dureza

,

Ingot de SiC de primer grado

El material:
monocristal de SiC
Tipo:
4h-n
Grado:
Primero/Dummy
Es el día.:
150 mm
El grosor:
17mm
Personalizado:
Apoyados
El material:
monocristal de SiC
Tipo:
4h-n
Grado:
Primero/Dummy
Es el día.:
150 mm
El grosor:
17mm
Personalizado:
Apoyados
SiC Ingot 6 pulgadas Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Ingot de alta dureza Ingot

Ingot de silicio, ingot de carburo de silicio, ingot de carburo de silicio en bruto, ingot de carburo de silicio en bruto, grado P, grado D, 2 pulgadas de silicio, 4 pulgadas de silicio, 6 pulgadas de silicio, 8 pulgadas de silicio, 12 pulgadas de silicio, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, tipo HPSI


Sobre el Ingot de SiC 4H-NSiC Ingot 6 pulgadas Ingot 4H-N SiC Prime Grade Dummy Grade Silicon Carbide Ingot Ingot de alta dureza Ingot 0

- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones

- un cristal hexagonal (4H SiC), hecho de monocristal SiC

- Alta dureza, la dureza de Mohs alcanza 9.2, sólo superado por el diamante.

- excelente conductividad térmica, adecuada para ambientes de alta temperatura.

- características de banda ancha, adecuadas para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.


Descripción del lingotes de SiC

El lingote de SiC (Ingot de carburo de silicio) es un cristal de alta pureza hecho de material de carburo de silicio, que se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos de alta potencia y la industria de semiconductores.

Los lingotes de SiC generalmente se cultivan mediante métodos como el transporte físico de vapor (PVT) o la deposición química de vapor (CVD), y tienen una conductividad térmica extremadamente alta,amplia banda y excelente estabilidad química.

Estas características hacen que los lingotes de SiC sean particularmente adecuados para la fabricación de dispositivos electrónicos que requieren conmutación de alta velocidad, alta temperatura y funcionamiento de alto voltaje.

El proceso de crecimiento de los lingotes de SiC es complejo y estrictamente controlado para garantizar la alta calidad y la baja tasa de defectos del cristal.

Debido a sus excelentes propiedades térmicas y eléctricas, los lingotes de SiC tienen un amplio potencial de aplicación en conservación de energía, vehículos eléctricos, energía renovable y aeroespacial.

Además, la dureza de los lingotes de SiC es extremadamente alta, cercana a la de los diamantes, lo que requiere equipos y tecnología especializados durante el corte y el procesamiento.

En general, los lingotes de SiC representan una dirección importante para el desarrollo de materiales de dispositivos electrónicos de alto rendimiento en el futuro.

Ingot de SiC al sustrato de SiC

El lingote se cultiva primero a través de un proceso de fusión y enfriamiento a alta temperatura y luego se procesa en un sustrato a través de procesos como el corte y el pulido.

Los sustratos son los materiales básicos en la fabricación de dispositivos semiconductores y se utilizan para fabricar varios componentes electrónicos.

Por lo tanto, los lingotes de carburo de silicio son las materias primas clave para la producción de sustrato de carburo de silicio.


Detalles del lingotes de SiC

Punto de trabajo Especificación
Diámetro de una longitud igual o superior a 150 mm
Polítipo de SiC 4H-N
Resistencia al SiC ≥1E8 Ω·cm
espesor de la capa de transferencia de SiC ≥ 0,1 μm
No válido ≤ 5 ea/wafer (2 mm > D > 0,5 mm)
Roughness delantera Ra ≤ 0,2 nm (5 μm × 5 μm)
Orientación Se trata de una serie de medidas que se aplican a las empresas.
El tipo P/N
En el caso de las máquinas de la categoría M3 En el caso de las máquinas de la categoría M3
Las partes de las piezas que se desechen en el interior de la caja deberán estar cubiertas por una cubierta de protección. No hay
TTV ≤ 5 μm
El grosor 15 mm


Otras imágenes de Ingot de SiC

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* Siéntase libre de contactarnos si tiene demandas personalizadas.


Sobre nosotros
Nuestra empresa, ZMSH, se especializa en la investigación, producción, procesamiento y ventas de sustratos de semiconductores y materiales ópticos de cristal.
Tenemos un equipo de ingeniería experimentado, experiencia en gestión, equipo de procesamiento de precisión e instrumentos de prueba,que nos proporciona capacidades extremadamente fuertes en el procesamiento de productos no estándar.
Podemos investigar, desarrollar y diseñar varios productos nuevos de acuerdo con las necesidades del cliente.
La empresa se adherirá al principio de "centrada en el cliente, basada en la calidad" y se esforzará por convertirse en una empresa de alta tecnología de primer nivel en el campo de los materiales optoelectrónicos.

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Preguntas frecuentes

1P: En comparación con el sustrato, ¿qué pasa con la aplicación de lingotes?

R: En comparación con el sustrato, los lingotes de carburo de silicio tienen una mayor pureza y resistencia mecánica y son adecuados para su uso en entornos extremos.

Los lingotes ofrecen una resistencia mecánica y pureza superiores, lo que los hace ideales para aplicaciones en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia

2P: ¿Cuáles son las perspectivas del mercado de lingotes de carburo de silicio?
R: A medida que crecen los mercados de vehículos eléctricos y energías renovables, la demanda de lingotes de carburo de silicio continúa aumentando.

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