Material del semiconductor de las obleas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS Device

1. Comparación de los materiales de tercera generación del semiconductor

Sic cristalino es un material de tercera generación del semiconductor, que tiene grandes ventajas en de baja potencia, los escenarios de la miniaturización, de alto voltaje y de alta frecuencia del uso. Los materiales de tercera generación del semiconductor son representados por el carburo de silicio y el nitruro del galio. Comparado con las dos generaciones anteriores de materiales del semiconductor, la ventaja más grande es su anchura banda-libre amplia, que se asegura de que pueda penetrar una fuerza de campo eléctrico más alta y es conveniente para preparar los dispositivos de poder de alto voltaje y de alta frecuencia.

2. Especificación para las obleas de 6inch 4H-N sic. (2inch, 3inch 4inch, sic oblea 8inch también está disponible)

Grado		Producción cero de MPD Grado (grado de Z)	Grado de la producción estándar (grado de P)	Grado simulado (Grado de D)
Diámetro		99,5 mm~100.0 milímetro
Grueso	4H-N	350 μm±20 μm	350 μm±25 μm
	4H-SI	500 μm±20 μm	500 μm±25 μm
Orientación de la oblea		De eje: 4.0°toward <1120> ±0.5°for 4H-N, en eje: <0001> ±0.5°for 4H-SI
Densidad de Micropipe	4H-N	≤0.5cm-2	cm2s ≤2	cm2s ≤15
	4H-SI	≤1cm-2	cm2s ≤5	cm2s ≤15
Resistencia del ※	4H-N	0.015~0.025 Ω·cm		0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E9 Ω·cm		≥1E5 Ω·cm
Orientación plana primaria		{10-10} ±5.0°
Longitud plana primaria		32,5 mm±2.0 milímetro
Longitud plana secundaria		18,0 mm±2.0 milímetro
Orientación plana secundaria		Silicio cara arriba: 90°CW. de ±5.0° plano primero
Exclusión del borde		3 milímetros
LTV/TTV/Bow /Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Aspereza del ※		Ra≤1 polaco nanómetro
		CMP Ra≤0.2 nanómetro		Ra≤0.5 nanómetro
Grietas del borde por la luz de intensidad alta		Ninguno		≤ acumulativo de la longitud 10 milímetros, solo length≤2 milímetro
Placas del hex. por la luz de intensidad alta		Área acumulativa el ≤0.05%		Área acumulativa el ≤0.1%
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta		Ninguno		El area≤3% acumulativo
Inclusiones visuales del carbono		Área acumulativa el ≤0.05%		Área acumulativa el ≤3%
Rasguños de la superficie del silicio por la luz de intensidad alta		Ninguno		Acumulativo len el ‘diámetro de gth≤1×wafer
Borde Chips High By Intensity Light		Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.2 milímetro		5 permitida, ≤1 milímetro cada uno
Contaminación superficial del silicio por de intensidad alta		Ninguno
Empaquetado		casete de la Multi-oblea o solo envase de la oblea

2. Cadena industrial

La cadena sic industrial del carburo de silicio se divide en la preparación material del substrato, el crecimiento de la capa epitaxial, la fabricación del dispositivo y usos rio abajo. Los monocristales del carburo de silicio son preparados generalmente por la transmisión física del vapor (método de PVT), y entonces las hojas epitaxiales son generadas por la deposición de vapor químico (método del CVD) en el substrato, y los dispositivos relevantes finalmente se hacen. En la cadena industrial sic de dispositivos, debido a la dificultad de la tecnología de fabricación del substrato, el valor de la cadena industrial se concentra principalmente en el vínculo por aguas arriba del substrato.