Detalles del producto
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: tankblue
Certificación: CE
Número de modelo: 4h-n
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 3 PIEZAS
Precio: by size and grade
Detalles de empaquetado: sola caja del envase de la oblea o caja del casete 25pc
Tiempo de entrega: 1-4weeks
Condiciones de pago: T/T, Western Union
Capacidad de la fuente: 1000PC/mes
Materiales: |
SIC cristalino |
Tipo: |
4h-n |
Pureza: |
99.9995% |
resistencia: |
los 0.015~0.028ohm.cm |
Tamaño: |
2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch |
Grueso: |
350um o modificado para requisitos particulares |
MPD: |
《2cm-2 |
Uso: |
para el SBD, MOS Device |
TTV: |
《15um |
Arco: |
《25um |
Deformación: |
《45um |
Superficie: |
CMP de la Si-cara, P.M. de la c-cara |
Materiales: |
SIC cristalino |
Tipo: |
4h-n |
Pureza: |
99.9995% |
resistencia: |
los 0.015~0.028ohm.cm |
Tamaño: |
2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch |
Grueso: |
350um o modificado para requisitos particulares |
MPD: |
《2cm-2 |
Uso: |
para el SBD, MOS Device |
TTV: |
《15um |
Arco: |
《25um |
Deformación: |
《45um |
Superficie: |
CMP de la Si-cara, P.M. de la c-cara |
grado primero simulado de la producción de las obleas de 4inch 6inch 4H-N sic para SBD MOS Device
1. Comparación de los materiales de tercera generación del semiconductor
Sic cristalino es un material de tercera generación del semiconductor, que tiene grandes ventajas en de baja potencia, los escenarios de la miniaturización, de alto voltaje y de alta frecuencia del uso. Los materiales de tercera generación del semiconductor son representados por el carburo de silicio y el nitruro del galio. Comparado con las dos generaciones anteriores de materiales del semiconductor, la ventaja más grande es su anchura banda-libre amplia, que se asegura de que pueda penetrar una fuerza de campo eléctrico más alta y es conveniente para preparar los dispositivos de poder de alto voltaje y de alta frecuencia.
2. Clasificación
Los substratos del carburo de silicio sic se pueden dividir en dos categorías: substratos semi-aislados del carburo de silicio (la O.N.U-dopend de la pureza elevada y 4H-SEMI V-dopado) con la alta resistencia (resistorivity ≥107Ω·cm), y substratos conductores del carburo de silicio con resistencia baja (la gama de la resistencia es 15-30mΩ·cm).
2. Especificación para las obleas de 6inch 4H-N sic. (2inch, 3inch 4inch, sic oblea 8inch también está disponible)
| Grado |
Producción cero de MPD Grado (grado de Z) |
Grado de la producción estándar (grado de P) |
Grado simulado (Grado de D) |
|
| 99,5 mm~100.0 milímetro | ||||
| 4H-N | 350 μm±20 μm | 350 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | ||
| Orientación de la oblea | ||||
| Densidad de Micropipe | 4H-N | ≤0.5cm-2 | cm2s ≤2 | cm2s ≤15 |
| 4H-SI | ≤1cm-2 | cm2s ≤5 | cm2s ≤15 | |
| Resistencia del ※ | 4H-N | 0.015~0.025 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | |
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | ||
| Orientación plana primaria | {10-10} ±5.0° | |||
| Longitud plana primaria | 32,5 mm±2.0 milímetro | |||
| Longitud plana secundaria | 18,0 mm±2.0 milímetro | |||
| Orientación plana secundaria | Silicio cara arriba: 90°CW. de ±5.0° plano primero | |||
| Exclusión del borde | 3 milímetros | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | ||
|
Aspereza del ※ |
Ra≤1 polaco nanómetro | |||
| CMP Ra≤0.2 nanómetro | Ra≤0.5 nanómetro | |||
|
Grietas del borde por la luz de intensidad alta
|
Ninguno | ≤ acumulativo de la longitud 10 milímetros, solo length≤2 milímetro | ||
| Placas del hex. por la luz de intensidad alta | Área acumulativa el ≤0.05% | Área acumulativa el ≤0.1% | ||
| Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta |
Ninguno | El area≤3% acumulativo | ||
| Inclusiones visuales del carbono | Área acumulativa el ≤0.05% | Área acumulativa el ≤3% | ||
|
Rasguños de la superficie del silicio por la luz de intensidad alta |
Ninguno | Acumulativo len el ‘diámetro de gth≤1×wafer | ||
| Borde Chips High By Intensity Light | Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.2 milímetro | 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno | ||
|
Contaminación superficial del silicio por de intensidad alta |
Ninguno | |||
| casete de la Multi-oblea o solo envase de la oblea | ||||
| 6inch N-tipo sic especificaciones de los substratos | ||||
| Propiedad | Grado P-MOS | Grado de P-SBD | Grado de D | |
| Crystal Specifications | ||||
| Crystal Form | 4H | |||
| Área de Polytype | Ningunos permitieron | El Area≤5% | ||
| (MPD) a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 | |
| Placas del hex. | Ningunos permitieron | El Area≤5% | ||
| Polycrystal hexagonal | Ningunos permitieron | |||
| Inclusiones a | El Area≤0.05% | El Area≤0.05% | N/A | |
| Resistencia | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm-0.028Ω•cm | |
| (EPD) a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A | |
| (TED) a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A | |
| (BPD) a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A | |
| (TSD) a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A | |
| (Falta de amontonamiento) | Área del ≤0.5% | Área del ≤1% | N/A | |
| Contaminación de metal superficial | (Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) cm2s ≤1E11 | |||
| Especificaciones mecánicas | ||||
| Diámetro | 150,0 milímetros +0mm/-0.2mm | |||
| Orientación superficial | De fuera del eje: 4°toward <11-20>±0.5° | |||
| Longitud plana primaria | 47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros | |||
| Longitud plana secundaria | Ningún plano secundario | |||
| Orientación plana primaria | <11-20>±1° | |||
| Orientación plana secundaria | N/A | |||
| Misorientation ortogonal | ±5.0° | |||
| Final superficial | C-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP | |||
| Borde de la oblea | El biselar | |||
| Aspereza superficial (el 10μm×10μm) |
Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C | |||
| Grueso a | μm 350.0μm± 25,0 | |||
| LTV (10mm×10m m) a | ≤2μm | ≤3μm | ||
| (TTV) a | ≤6μm | ≤10μm | ||
| (ARCO) a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm | |
| (Deformación) a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm | |
| Especificaciones superficiales | ||||
| Microprocesadores/mellas | Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mm | Anchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro | ||
| Rasguños a (Cara del Si, CS8520) |
≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer | ≤5 y diámetro acumulativo de la oblea de Length≤1.5× | ||
| TUA (2mm*2m m) | el ≥98% | el ≥95% | N/A | |
| Grietas | Ningunos permitieron | |||
| Contaminación | Ningunos permitieron | |||
| Exclusión del borde | 3m m | |||
2. Cadena industrial
La cadena sic industrial del carburo de silicio se divide en la preparación material del substrato, el crecimiento de la capa epitaxial, la fabricación del dispositivo y usos rio abajo. Los monocristales del carburo de silicio son preparados generalmente por la transmisión física del vapor (método de PVT), y entonces las hojas epitaxiales son generadas por la deposición de vapor químico (método del CVD) en el substrato, y los dispositivos relevantes finalmente se hacen. En la cadena industrial sic de dispositivos, debido a la dificultad de la tecnología de fabricación del substrato, el valor de la cadena industrial se concentra principalmente en el vínculo por aguas arriba del substrato.
La tecnología de ZMSH puede proveer de clientes sic importada y nacional conductor de alta calidad, 2-6inch semiaislantes y los substratos de HPSI (pureza elevada semiaislante) en lotes; Además, puede proveer de clientes las hojas epitaxiales homogéneas y heterogéneas del carburo de silicio, y puede también ser modificada para requisitos particulares según las necesidades específicas de clientes, sin cantidad de orden mínima.
