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4 grueso de la oblea 0.5m m de H-N As-Cut Silicon Carbide para la electrónica de poder

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4 grueso de la oblea 0.5m m de H-N As-Cut Silicon Carbide para la electrónica de poder

Ampliación de imagen : 4 grueso de la oblea 0.5m m de H-N As-Cut Silicon Carbide para la electrónica de poder

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	zmsh
Número de modelo:	6inch

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1pcs
Precio:	by case
Detalles de empaquetado:	por el caso modificado para requisitos particulares
Tiempo de entrega:	15days dentro

Contacto

Descripción detallada del producto

Industria:	substrato del semiconductor	Materiales:	sic cristal
Solicitud:	5G, material del dispositivo, MOCVD, electrónica de poder	Tipo:	4H-N, semi, ningún dopado
Color:	verde, azul, blanco	Hardeness:	9,0 para arriba
Resaltar:	substrato del carburo de silicio , sic substrato

6inch sic substratos, sic substratos sic cristalinos 2inch 3inch 4inch 6inch 4h del semiconductor del bloque sic cristalino de los lingotes del lingote sic ninguna oblea dopada

podemos proporcionamos la oblea de alta calidad del solo cristal sic (carburo de silicio) a la industria electrónica y optoelectrónica. Sic la oblea es un material del semiconductor de la siguiente generación, con las propiedades eléctricas únicas y las propiedades termales excelentes, comparadas a la oblea de silicio y a la oblea del GaAs, sic oblea son más convenientes para la aplicación para dispositivos de la temperatura alta y del poder más elevado. Sic la oblea se puede suministrar en el diámetro 2 -6inch, 4H y 6H sic, N-tipo, nitrógeno dopado, y tipo semiaislante disponible. Éntrenos en contacto con por favor para más información de producto.

uso 1.material y advantagement

Usos:

• Dispositivo de la epitaxia de GaN
• Dispositivo optoelectrónico
• Dispositivo de alta frecuencia
• Dispositivo de poder más elevado
• Dispositivo de alta temperatura
• Diodos electroluminosos

• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda

PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO
Polytype	Solo cristal 4H	Solo cristal 6H
Parámetros del enrejado	a=3.076 Å	a=3.073 Å
Parámetros del enrejado	c=10.053 Å	c=15.117 Å
Amontonamiento de secuencia	ABCB	ABCACB
Banda-Gap	eV 3,26	eV 3,03
Densidad	3,21 · 103 kg/m3	3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coeficiente de la extensión	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Índice de la refracción	ningunos = 2,719	ningunos = 2,707
Índice de la refracción	ne = 2,777	ne = 2,755
Constante dieléctrica	9,6	9,66
Conductividad termal	490 W/mK	490 W/mK
Campo eléctrico de la avería	2 – 4 · 108 V/m	2 – 4 · 108 V/m
Velocidad de deriva de la saturación	2,0 · 105 m/s	2,0 · 105 m/s
Movilidad de electrón	800 cm2/V·S	400 cm2/V·S
movilidad de agujero	115 cm2/V·S	90 cm2/V·S
Dureza de Mohs	~9

2. Describtion material del tamaño

3.productes

4 grueso de la oblea 0.5m m de H-N As-Cut Silicon Carbide para la electrónica de poder 2

Q: ¿Cuál es su MOQ y plazo de expedición?

A: (1) para el inventario, el MOQ es 3pcs. si 5-10pcs él es mejor en 10-30days

(2) para 6inch modificó productos para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs para arriba en 30-50days

Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?

A: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) es muy bien si usted tiene su propia cuenta expresa, si no, podríamos ayudarle a enviarlos y la carga está de acuerdo con el acuerdo real.

Q: ¿Cómo pagar?

A: T/T, 100%

Q: ¿Usted tiene productos estándar?

A: no hay 6inch nuestros productos estándar en existencia.

pero como como el grueso 2sp de los substratos 4inch 0.33m m tenga alguno en existencia

Thanks~~~

etiqueta:

Persona de Contacto: Mr. Wang

Teléfono: +8615801942596

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