Wafer de semillas de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 pulgadas-12 pulgadas Personalizado para la fabricación de MOSFETs

Wafer de semillas de SiC 4H N tipo Dia 153 155 2 pulgadas-12 pulgadas personalizado Usado para la fabricación de MOSFETs

Las obleas de cristal de semilla de carburo de silicio (SiC) sirven como materiales fundamentales en la industria de semiconductores.Fabricado a partir de materias primas de carburo de silicio (SiC) de alta pureza mediante procesos de transporte físico de vapor (PVT) o deposición química de vapor a alta temperatura (HTCVD), nuestra empresa se especializa en el suministro de 2-12 pulgadas de Wafers de cristal de semilla de SiC con varias especificaciones de diámetro (Dia153, 155, 203, 205, 208) para satisfacer los diversos requisitos de los clientes.

Equipado con instalaciones de producción de obleas de cristal de semillas de SiC de última generación, ZMSH posee capacidades completas que abarcan el crecimiento de cristales, el corte, la molienda y los procesos de pulido,que nos permite proporcionar servicios de personalización de alta precisiónAvanzando hacia adelante, we will continue to optimize manufacturing processes for large-size (8-12 inch) SiC seed crystal wafers while enhancing crystal quality and yield rates to facilitate their applications in high-end markets including power electronics, dispositivos de RF y vehículos de nuevas energías.

Características clave deOfras de semillas de SiC

• Conductividad térmica excepcional (490 W/m·K):Las obleas de cristal de semilla de SiC exhiben un rendimiento superior de disipación de calor, lo que las hace ideales para dispositivos de alta potencia.

• Banda ancha (3.2 eV):Las obleas de cristal de semilla de SiC demuestran resistencia a altas tensiones y temperaturas, con capacidades operativas superiores a 600 °C.

• Excelente estabilidad química:Las obleas de cristal de semilla de SiC ofrecen una notable resistencia a la corrosión para aplicaciones en ambientes hostiles.

• Baja densidad de defectos (EPD < 103/ cm2):La alta calidad de los cristales garantiza el funcionamiento estable del dispositivo.

• Resistencia mecánica excepcional:Con una dureza cercana al diamante, las obleas proporcionan una excelente resistencia al desgaste y al impacto.

Especificaciones técnicas de las obleas de semillas de SiC

Las aplicaciones principales deOfras de semillas de SiC

• Semiconductores de potencia:Las obleas de cristal de semilla de SiC se utilizan en la fabricación de dispositivos de energía de alta eficiencia como los MOSFET y los SBD.

• Dispositivos de RF:Las obleas de cristal de semilla de SiC son adecuadas para aplicaciones de alta frecuencia, incluidas las estaciones base 5G y los sistemas de radar.

• Vehículos de nueva energía:Las obleas de cristal de semilla de SiC se aplican en componentes críticos como sistemas de accionamiento eléctrico y cargadores a bordo.

• Inversores fotovoltaicos:Las obleas de cristal de semilla de SiC mejoran la eficiencia de conversión de energía al tiempo que reducen las pérdidas de energía.

• Aeroespacial:Las obleas de cristal de semilla de SiC son capaces de soportar temperaturas extremas y radiación para equipos electrónicos en ambientes hostiles.

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ZMSH aprovecha tecnologías de fabricación patentadas para ofrecer servicios integrales de extremo a extremo desde el crecimiento de cristales hasta el procesamiento de precisión, incluido el tamaño de obleas personalizado (2-12 pulgadas),especificaciones de diámetro (Dia153/155/203/205/208)Nuestras obleas de cristal de semilla de SiC cumplen con los estándares internacionales avanzados en pureza cristalina, control de defectos y precisión dimensional.satisfacer las demandas de aplicaciones de gama alta en electrónica de potenciaEn la actualidad, el sector de la energía se ha convertido en uno de los sectores más importantes de la industria.Aseguramos un suministro fiable de volumen manteniendo un control de calidad estricto durante todo el proceso de fabricación y entregaNuestro equipo técnico proporciona soporte completo desde la selección del producto hasta el servicio postventa, ayudando a los clientes a optimizar sus soluciones de semiconductores.

Substratos de SiC de tipo 4H-N/SEMI: